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本发明公开了一种半导体晶圆亲水表面、疏水表面局部定位采样方法。对工艺处理过程中完全亲水晶圆，或者表面做不到完全疏水面的晶圆、以及因材质的缘故不会成为疏水面的晶圆，采用气相包裹法局部定位采样方法，在采样时避免了因采样液滴在亲水晶圆表面铺展导致...
该专利属于叶伟清所有，仅供学习研究参考，未经过叶伟清授权不得商用。

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