半导体器件及其制造方法技术

提供了一种半导体器件及其制造方法。其中树脂密封结构包括互连衬底板、半导体芯片、散热片和密封树脂。该方法通过以下步骤实现：使用片切割刀片在第一方向上沿着第一散热片切割线切割散热片；在通过片切割刀片在第一方向上进行切割之后，通过片切割刀片在第二方向上沿着第二散热片切割线切割散热片；和分别沿着第一和第二互连衬底板切割线通过衬底板切割刀片在第一方向和第二方向上切割互连衬底板和密封树脂。第二散热片切割线和第二互连衬底板切割线在与第一方向和第二方向正交的第三方向上的位置相互对应。第一散热片切割线在与第二方向相反的方向上从第一互连衬底板切割线移位预置移位量。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种。
技术介绍
作为一种半导体器件，已知BGA (球栅阵列)类型半导体器件。这种类型半导体器件具有互连衬底，半导体芯片，布线，密封树脂，散热器(也称作“散热装置”)和一组球形电极。已知一种制造MAP (模塑阵列封装)类型半导体器件的方法。在这种类型中，半导体芯片安装在互连衬底的正面上。在互连衬底的正面上执行引线键合使得互连衬底和半导体芯片通过布线电连接。散热器设置在半导体芯片上方以面对互连衬底的正面。密封树脂被注入在互连衬底和散热器之间。当固化密封树脂时，形成其中半导体芯片和布线通过互连衬底和散热器之间的密封树脂密封的树脂密封结构。在互连衬底的背面上形成一组球形电极。之后，通过盘形刀片从互连衬底背面侧切开树脂密封结构。通过将树脂密封结构切开成矩阵形状，获得多个半导体器件。示例专利文献1 (JP H11-214596A)作为公开与MAP类型半导体器件相关的技术的技术。此外，在专利文献2(JP 2006494832Α)中，公开了一种涉及形成散热器的方法的技术。在专利文献3(JP 2003-249512A)中，描述了使用盘形刀片切割树脂密封结构整体。 而且，在专利文献4 (JP 2000-183218A)、专利文献5(JP 2003-37236A)和专利文献6 (JP H04-307961A)中，公开了一种切割技术。引用文献JP Hll-214596AJP 2006-294832AJP 2003-249512AJP 2000-183218AJP 2003-37236AJP H04-307961A
技术实现思路
但是，当通过刀片从互连衬底侧一次切开树脂密封结构时，由于散热器(或者例如铜)柔软并且可延展，因此导致在切割边缘部分处形成毛刺。由于毛刺导电，因此如果半导体器件被安装在具有毛刺的安装板上或剥落的毛刺片粘附到半导体器件，则可能在电极之间或者在安装板的互连之间形成短路。因此必须抑制毛刺突出。本专利技术提供了一种半导体器件以及制造半导体器件的方法，其中抑制了毛刺的突出ο在本专利技术的一个方面，提供了一种制造半导体器件的方法，其中树脂密封结构包括互连衬底板、安装在互连衬底板上的半导体芯片、布置在半导体芯片上方的散热片、和设置在散热片和互连衬底板之间的密封树脂。该方法通过以下步骤实现用板状切割刀片在第一方向上沿着第一散热片切割线切割散热片；在用板状切割刀片在第一方向上进行切割之后，用板状切割刀片在与第一方向正交的第二方向上沿着与第一散热片切割线正交的第二散热片切割线切割散热片；以及用衬底板切割刀片分别在第一方向和第二方向上沿着第一和第二互连衬底板切割线切割互连衬底板和密封树脂，以将密封树脂结构分成半导体器件，该半导体器件中的每一个都包括互连衬底、安装在互连衬底上的半导体芯片、设置为覆盖半导体芯片和互连衬底的密封树脂、以及散热器。第二散热片切割线和第二互连衬底板切割线在与第一方向和第二方向正交的第三方向上在位置上相互对应。第一散热片切割线在与第二方向相反的方向上从第一互连衬底板切割线移位预置移位量。在本专利技术的另一方向中，一种半导体器件包括安装在互连衬底的正表面上的半导体芯片；布置在半导体芯片上方的散热器；和设置在散热器和互连衬底之间的密封树脂。 散热器的中心在预定方向上从互连衬底的中心移位预置移位量。根据本专利技术，当切割散热片时，能够防止散热器的毛刺突出到互连衬底的位置之外，同时抑制在从散热器朝向互连衬底的方向上延伸的散热器毛刺和在从互连衬底朝向散热器的方向上延伸的散热器毛刺。附图说明结合附图，根据某些实施例的以下描述，本专利技术的上述和其他目的、优势和特征将更加明显，附图中图1是示出根据本专利技术的实施例的半导体器件结构的截面图；图2是示出制造根据本专利技术的实施例的半导体器件的方法的流程图；图3A是根制本专利技术的实施例的方法中的互连衬底板的顶视图；图;3B是根据本专利技术实施例的制造方法中的互连衬底板和半导体芯片的截面图；图3C是根据本专利技术的实施例的制造方法中的互连衬底板、半导体芯片和键合线的截面图；图3D是根据本专利技术的实施例的制造方法中的树脂密封结构的截面图；图3E是根据本专利技术的实施例的制造方法中的散热片的顶视图；图3F是示出根据本专利技术实施例的制造方法中在第一方向X和第二方向Y上切割散热片时的树脂密封结构的顶视图；图3G是根据本专利技术的实施例的制造方法中在第二方向Y上切割散热片切割线时的树脂密封结构的截面图；图3H是根据本专利技术的实施例的制造方法中的树脂密封结构和一组球形电极的截面图；图31是根据本专利技术的实施例的制造方法中在第二方向Y上切割互连衬底板时的树脂密封结构和一组球形电极的截面图；图3J是根据本专利技术的实施例的制造方法中的包括互连衬底、半导体芯片、键合线、密封树脂、散热器和一组球形电极的半导体器件的截面图；图I是示出图3F中所示的毛刺附近的放大图4A是相对于本专利技术的比较示例中的树脂密封结构的截面图；图4B是比较示例中在第一方向X和第二方向Y上切割散热片时的树脂密封结构的顶视图；图4C是比较示例中在第二方向Y上切割散热片时观察的树脂密封结构的截面图；图4D是比较示例中的树脂密封结构和一组球形电极的截面图；图4E是比较示例中在互连衬底的第二方向Y上切割互连衬底时的树脂密封结构和一组球形电极的截面图；和图4F是比较示例中的半导体器件的透视截面图。 具体实施例方式以下，将在下文中参考附图详细描述根据本专利技术的半导体器件。图1是示出根据本专利技术的实施例的半导体器件的结构的截面图。根据本专利技术的实施例的半导体器件包括互连衬底1、半导体芯片2、键合线3、密封树脂4、散热器5和一组球形电极8。半导体芯片2安装在互连衬底1的正面上。键合线3电连接互连衬底1和半导体芯片2。散热器5被放置在半导体芯片2上方。密封树脂4被设置在互连衬底1和散热器 5之间以通过其密封半导体芯片2和键合线3。一组球形电极8形成在互连衬底1的背面上。散热器5的中心(即，稍后将描述的有效区域恥的中心)在第一方向X上从互连衬底 1的中心(即，稍后将描述的有效区域Ib的中心)移位预置移位量SL。注意的是，在切割散热片5’时形成的毛刺在图1中被示出为散热器5的左边缘处的三角形。而且，尽管未示出，但是键合线3和一组球形电极8通过在互连衬底1中形成的互连电连接。在该实施例中，作为互连衬底1，使用玻璃环氧树脂板等，且其通过层叠用树脂浸渍的玻璃纤维的绝缘层和铜互连层来形成。在该实施例中，互连衬底1的厚度为0. 3至 0. 6mmο密封树脂4用于保护半导体芯片2并且结合散热器5。该实施例中，密封树脂4的厚度为0. 3至1. 2mm。散热器5也被称作“散热装置”，其还标记为HZSp0提供散热器5用于发散半导体芯片2产生的热。作为散热器5，从导热性的角度，优选地使用金属板。具体地，散热器5的材料例如为铜，铝，铁等。该实施例中，散热器5的厚度为0.1至0.5mm。而且，散热器的表面可以具有膜。例如，可以施加表面涂敷并且可以施加表面处理，诸如阳极化铝处理。图2是示出制造根据本专利技术的实施例的半导体器件的方法的流程图。(步骤Si:芯片安装)开始，如图3A中所示，制备互连衬底板1’。互连衬底板1’包括区域Ia和有效区域lb。区域Ia用于在第一方向X和垂直于第一方向X的第二方向Y上延伸的互连衬本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种制造半导体器件的方法，其中树脂密封结构包括：互连衬底板、安装在所述互连衬底板上的半导体芯片、布置在所述半导体芯片上方的散热片和设置在所述散热片和所述互连衬底板之间的密封树脂，所述方法包括：通过片切割刀片在第一方向上沿着第一散热片切割线切割所述散热片；在通过所述片切割刀片在第一方向上的所述切割所述散热片之后，通过所述片切割刀片在与第一方向正交的第二方向上沿着与第一散热片切割线正交的第二散热片切割线切割所述散热片；和通过衬底板切割刀片分别在第一方向和第二方向上沿着第一和第二互连衬底板切割线切割所述互连衬底板和所述密封树脂，以将所述树脂密封结构分成所述半导体器件，其中所述半导体器件中的每一个包括互连衬底、安装在所述互连衬底上的所述半导体芯片、设置为覆盖所述半导体芯片和所述互连衬底的所述密封树脂、和散热器，其中在与第一方向和第二方向正交的第三方向上，所述第二散热片切割线和所述第二互连衬底板切割线在位置上相互对应，和其中所述第一散热片切割线在与第二方向相反的方向上从所述第一互连衬底板切割线移位预置移位量。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：川城史义，
申请(专利权)人：瑞萨电子株式会社，
类型：发明
国别省市：JP