【技术实现步骤摘要】
本专利技术是关于一种制备绝缘体上硅材料的方法，特别涉及一种。
技术介绍
为了实现集成电路芯片的三维集成，需要将已经做好电路的硅片或芯片重叠，而重叠的芯片之间又需要保证良好的电信号通路，实现途径就是硅通孔(TSV)技术。现有技术通常是采用体硅片，器件做好后直接减薄到IOOum左右厚度，此工艺受到硅片减薄技术限制，不能做很薄的硅片，从而难以实现通孔工艺。而一种改进的做法是是用昂贵的SOI片， 顶层硅作为器件层，衬底层作为牺牲层，这种做法的工艺成本高，导致产品价格昂贵，不易推广。申请号为200710173095. 7的中国专利申请揭露了一种，采用对剥离层的衬底剥离工艺代替传统的腐蚀或者研磨工艺，可以降低被减薄的衬底的厚度，而且可以提高表面的平整度。但是该方法要在已经形成器件的衬底中通过离子注入的手段形成剥离层，离子注入难免会对已经形成的器件层产生影响，并且这种工艺也无法避免采用昂贵的SOI衬底。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是，提供一种，能够简化三维封装工艺， 并尽量与体硅的现有工艺兼容。为了解决上述问题，本专利技术提供了一种三维封装的方法，包括下列步骤提...
【技术保护点】
１．一种三维封装的方法，其特征在于，包括下列步骤：提供一个表面已经制作器件的初始衬底；提供Ｎ个叠层衬底，所述叠层衬底包括器件层和位于器件层下方的离子富集层；将初始衬底与一个叠层衬底进行贴合；腐蚀叠层衬底并停止于离子富集层的位置；在叠层衬底中形成器件的电学引线；重复上述步骤，将Ｎ个叠层衬底依次键合，形成具有Ｎ＋１个器件层的三维封装结构；所述Ｎ为大于１的整数。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：张峰，曹共柏，魏星，王文宇，王曦，
申请(专利权)人：上海新傲科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：31
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