半导体发光组件封装结构制造技术

本发明专利技术提供一种半导体发光组件封装结构，其特征在于：半导体发光组件封装结构之基板及导线架设置复数个纳米反射结构，以增加反射效果。此外，上述复数个纳米反射结构彼此间的间距(P)系小于可见光波长的1/2，并且相邻两个纳米反射结构间具有一相对深度(H)，于本发明专利技术较佳的实施例中，上述相对深度与间距的比值系大于或等于2。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体发光组件的结构，特别是关于具反射结构之半导体发光组件封装结构。
技术介绍
随着半导体发光组件(semiconductor light emitting device)之技术日益进步，越来越多产品的发光源均采用发光二极管(light emitting diode，LED)、有机发光二极管(organic light emitting diode, 0LED)或雷射二极管(laser diode, LD)。半导体发光组件相较于传统灯泡其特点包含较长的寿命、较低的能量消耗、较低的热能产生、较少的红外光光谱产生、以及组件尺寸较小(compact)。然而，现今半导体发光组件常需藉由封装结构形成表面黏着组件(surface mounted device, SMD)，但封装结构中的基板往往是具有吸光的特性，例如印刷电路板(printedcircuit board, PCB)、陶瓷基板(ceramic substrate)或塑料(plastic)材质的基板等等，且上述结构之反射效果不佳，会吸收光线进而影响半导体发光组件的出光效益。因此，如何有效的增加半导体发光组件封装结构的出光效益，是目前尚需一项新的技术来解决上述的问题。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术提供一种可有效提升发光效率的半导体发光组件封装结构。本专利技术提供一半导体发光组件封装结构，包含一基板、一导线架、至少一半导体发光组件以及复数个纳米反射结构。上述基板具有一第一面以及一第二面，并且上述导线架系设置于前述之第一面上，其中导线架具有一承载部以及至少一连结部。另外，上述至少一半导体发光组件系设置于导线架之承载部，且电性连结于导线架之至少一连结部，其中半导体发光组件系用来发出至少一第一波长之光线。其特征在于上述复数个纳米反射结构系设置于前述基板及导线架上，并且其彼此之间具有一距离相同之间距以及该纳米反射结构间之间隙有一深度，其中该深度以及该间距的比值大于或等于2。上述复数个纳米反射结构彼此之间的间距的范围约为90至130 纳米(nm)，或者小于可见光波长的1/2。因此，藉由本专利技术提供之半导体发光组件封装结构，能有效的提高半导体发光组件之发光效率，使得本专利技术所提供之半导体发光组件封装结构更适合运用于背光模块或照明的模块。下面参照附图，结合具体实施例对本专利技术作进一步的描述。 附图说明图IA显示本专利技术第一实施例的剖面示意图；图IB显示本专利技术第一实施例的俯视示意图；图2A至图2C显示本专利技术之复数个纳米反射结构13a 13c的剖面示意图3A至图3F显示本专利技术之复数个纳米反射结构13d图4A显示本专利技术第二二实施例的剖面示意图4B显示本专利技术第二二实施例的俯视示意图5显示本专利技术第三实施例的俯视示意图；以及图6显示本专利技术第四实施例的俯视示意图。主要元件符号说明半导体发光组件封装结构 1、2、3、4基板10导线架11半导体发光组件12、12a 12c复数个奈米反射结构13、13a 13m覆盖层14波长转换单元15金属导线16a、16b第一面101第二面102承载部IllUllaUllb连结部112、112a 112c间隙深度H0 > H” H2间距ppp Γ0、r1、r213i的剖面示意具体实施例方式本专利技术在此所探讨的方向为一种半导体发光组件封装结构。为了能彻底地了解本专利技术，将在下列的描述中提出详尽的步骤及其组成。显然地，本专利技术的施行并未限定于半导体发光组件封装结构之技艺者所熟习的特殊细节。另一方面，众所周知的组成或步骤并未描述于细节中，以避免造成本专利技术不必要之限制。本专利技术的较佳实施例会详细描述如下，然而除了这些详细描述之外，本专利技术还可以广泛地施行在其它的实施例中，且本专利技术的范围不受限定，其以之后的专利范围为准。下文将配合图标与范例，详细说明本专利技术提供之各个较佳实施例及
技术实现思路
。请参照图IA以及图1B，本专利技术第一实施例提供一半导体发光组件封装结构1，包含一基板10、一导线架11、一半导体发光组件12以及复数个纳米反射结构 (nanometer-reflective structures) 13。上述基板 10 具有一第一面 101 以及一第二面 102，分别形成于基板10的相对两侧，而基板10的材质可以为下列至少一材质所构成塑料 (plastic)、聚合物(polymer)、陶瓷(ceramic)、硅(silicon)、金属(metal)或其组合。导线架11系形成于基板10之第一面101上，且导线架11具有一承载部111以及一连结部112，其中承载部111与连结部112彼此电性绝缘，而导线架11的材质包含金属铜 (Cu)或其它导电金属。导线架11的形状并不局限于图IB之俯视示意图，亦可以为其它任意之形状所构成。半导体发光组件12系设置于导线架11之承载部111，并且藉由金属导线16a及16b分别地电性连结于导线架11之连结部112及承载部111。然而，半导体发光组件12亦可以藉由覆晶(flip-chip)的方式电性连结于导线架11之连结部112及承载部111(未显示于图形)。再者，本专利技术之半导体发光组件12系用以发出至少一第一波长之光线，于本专利技术的较佳实施例中，半导体发光组件12可以为III-V族化合物半导体芯片或II-VI族化合物半导体芯片，并且可发出可见或不可见的光束，例如紫外(UV)光、蓝光、绿光或同时可发出多波长的半导体发光组件。本专利技术所提供之半导体发光组件12并不只局限于发光二极管晶粒，亦可以为雷射二极管或有机发光二极管。复数个纳米反射结构13分别形成于基板10之第一面101以及导线架11上，其材质可以为铝(Al)或钛(Ti)，系利用电子束微影(E-beam)蚀刻技术或光微影蚀刻技术形成， 其中复数个纳米反射结构13具有复数个纳米反射结构13a形成于基板10之第一面101、复数个纳米反射结构Hb形成于导线架11之承载部111以及复数个纳米反射结构13c形成于导线架11之连结部112。请参照图2A至图2C之剖面示意图，复数个纳米反射结构13a系形成于基板10上，其中相邻两个纳米反射结构13a彼此之间的间距为Ptl，而相邻两个纳米反射结构13a具有一相对深度氏。另外，复数个纳米反射结构1 系形成于承载部111上， 其中相邻两个纳米反射结构Hb彼此之间的间距为P1，而相邻两个纳米反射结构1 具有一相对深度氏。再者，复数个纳米反射结构13c系形成于连结部112上，其中相邻两个纳米反射结构13b彼此之间的间距为P2，而相邻两个纳米反射结构13b具有一相对深度H2。于本专利技术一较佳的实施例中，上述复数个纳米反射结构13a、13b以及13c，其彼此之间之间距 PpP1以及P2系小于可见光波长的1/2，尤其范围大约为90 130纳米(nm)为本专利技术较佳的实施例范围。此外，于本专利技术较佳的实施例中，上述相邻两个纳米反射结构13a的相对深度Htl与间距Ptl之比值、上述相邻两个纳米反射结构1 的相对深度H1与间距P1之比值以及相邻两个纳米反射结构13c的相对深度H2与间距P2之比值皆大于或等于2，即HcZPtl ^ 2、 H1ZiP1彡2以及H2/P2彡2。纳米反射结构包含了次波长光栅(subwave length grating)，系基于晶圆的纳米级本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一半导体发光组件封装结构，包含一基板、一导线架及至少一用于发出至少一种波长光线的半导体发光组件，该基板具有一第一面及一第二面；该导线架设置于该基板的第一面上；其特征在于：该基板之第一面以及该导线架上形成有复数个纳米反射结构。

【技术特征摘要】
1.一半导体发光组件封装结构，包含一基板、一导线架及至少一用于发出至少一种波长光线的半导体发光组件，该基板具有一第一面及一第二面；该导线架设置于该基板的第一面上；其特征在于该基板之第一面以及该导线架上形成有复数个纳米反射结构。2.根据权利要求1所述的半导体发光组件封装结构，其特征在于所述导线架具有一承载部以及至少一连结部，所述半导体发光组件设置于该承载部并且电性连结于该至少一连结部，并且所述纳米反射结构形成于所述承载部以及所述连接部。3.根据权利要求1所述的半导体发光组件封装结构，其特征在于所述基板对应所述半导体发光组件设有一贯通第一面及一第二面的通孔，该通孔容置一导热体，该半导体发光组件位于该导热体第一面上，并且所述导热体的第一面上形成有复数个纳米反射结构。4.根据权利要求1至3任一项所述的半导体发光组件封装结构，其特征在于所述复数个纳米反射结构彼此之间具有一距离相同之间距，并且该间距系小于可...

【专利技术属性】
技术研发人员：简克伟，
申请(专利权)人：展晶科技深圳有限公司，荣创能源科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：94