侧向发光之半导体组件封装结构制造技术

本发明专利技术提供一侧向发光之半导体组件封装结构。利用双面电极结构形成于封装结构之硅基板上，并且分别将复数个半导体发光组件设置在双面电极结构之相对两侧，藉此可形成一双面出光的表面黏着封装体。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体组件封装结构，特别是关于一种侧向发光之半导体组件封装结构。
技术介绍
随着半导体发光组件(semiconductor light emitting device)之技术日益进步，越来越多产品的发光源均采用发光二极管(light emitting diode，LED)、有机发光二极管(organic light emitting diode, 0LED)或雷射二极管(laser diode, LD)。半导体发光组件相较于传统灯泡其特点包含较长的寿命、较低的能量消耗、较低的热能产生、 较少的红外光光谱产生以及组件尺寸较小(compact)。然而，现今业界对于半导体发光组件封装结构的主要需求，是藉由封装结构形成表面黏着组件(surface mounted device, SMD)的结构，但封装结构往往是热传导率(thermalconductivity)不佳的材质所组成， 例如聚邻苯二甲酰胺(Polyphthalamide, PPA)、聚丙烯(polypropylene, PP)、聚碳酸酯 (Polycarbonate,PC)或聚甲基丙烯酸甲脂(Polymethylmethacrylate，PMMA)等塑化材料， 其热传导率约为0. 1 0. 22瓦米-1开尔文-1 (ff/M-k)。因此，现今许多的技术乃采用高热传导率的材料作为封装结构，以增加半导体发光组件的寿命以及发光效率，其材质例如硅 (silicon)或陶瓷(ceramic)，其热传导率可达到150瓦米-1开尔文_1(W/M_k)以上。另外，表面黏着组件之封装结构包含了正向发光(top-view或top emitting type)以及侧向发光(side-view或side emitting type)两种结构，其中两种结构的差异在于正向发光的封装结构之出光面与表面黏着面(surface mounted surface)或底面为彼此相对或平行， 而侧向发光的封装结构之出光面与表面黏着面或底面为彼此相邻或垂直。因此，上述两种结构往往具有不同之运用，例如侧向发光封装结构通常是运用于较薄型化的产品，例如手机的背光模块(backlight unit, BLU)或亮度需求低的应用；相反地，正向发光的封装结构则是运用于亮度需求高的产品，例如显示器的背光模块或照明等等。此外，许多现代化的产品中，高亮度以及薄型化的需求往往是必要的。但半导体发光组件的封装结构往往只有单面出光的封装结构。如果将单面出光的封装结构运用于高亮度或多向出光的产品中，通常需要多个封装结构才能达到上述之目的。如此一来，将导致产品成本上升以及产品体积增加等缺失。先前技术提出具有双面出光之侧向发光的半导体封装结构以解决上述之缺失，其利用电极结构延伸至硅基板面的接合表面形成单面或双面出光的侧向发光结构。但先前技术之封装结构系具有凹槽结构之承载空间并且其光源系设置于该承载空间中，然而承载空间的设置是为了固定或限制出光的光场，相反地，承载空间的凹槽结构往往造成出光面积以及光强度(light intensity)的下降，导致无法有效提供具有高导热且具有双面广角出光之半导体封装结构。因此，现今仍需要一项新的技术来克服上述的问题。
技术实现思路
4 有鉴于此，本专利技术之目的为提供一具高导热且具有双面广角出光之侧向发光的半导体组件封装结构。本专利技术提供一侧向发光之半导体组件封装结构，包含一硅基板、至少一第一半导体组件、至少一第二半导体组件以及一电路结构。上述硅基板包含一第一面、一第二面以及一第三面，其中第一面以及第二面系分别为一平面结构并且系分别位于硅基板之相对两侧，而第三面之两端系分别相邻第一面以及第二面。另外，上述至少一第一半导体组件以及至少一第二半导体组件系分别设置于硅基板之第一面以及第二面。再者，上述电路结构设置于硅基板之第一面以及第二面，其中电路结构系用以将硅基板上之至少一第一半导体组件以及至少一第二半导体组件电性连结外部电路。值得说明的是，上述硅基板之第一面以及第二面系侧向发光之半导体组件封装结构的出光面，而硅基板之第三面系侧向发光之半导体组件封装结构的底面，系用以连结外部电路。藉由本专利技术提供之半导体发光组件封装结构，能提供一双面出光之侧向发光的半导体组件封装结构。另外，复数个半导体发光组件之承载空间为一平面结构，可形成一具有大面积出光之光源。如此一来，将本专利技术的封装结构设置于各应用产品中，可使产品成本下降、容易散热以及产品体积简化等效益。下面参照附图，结合具体实施例对本专利技术作进一步的描述。附图说明 图1显示本专利技术第--实施例的俯视示意图； 图2显示本专利技术第--实施例的仰视示意图； 图3显示本专利技术第--实施例的剖面示意图； 图4显示本专利技术第--实施例的透视图； 图5显示本专利技术第二二实施例的俯视示意图； 图6显示本专利技术第二二实施例的仰视示意图； 图7显示本专利技术第二二实施例的剖面示意图；以及 图8显示本专利技术第三Ξ实施例的剖面示意图。主要元件符号说明 侧向发光之半导体组件封装结构 1、2 娃基板10 第一半导体组件11 第二半导体组件12 电路结构13 第一覆盖层14 第二覆盖层15 孔洞16 第一反射层17 第二反射层18 第一绝缘层19 第二绝缘层20 5第--半导体发光组件第--齐纳二极管第二二半导体发光组件第二二齐纳二极管第--电路结构第二二电路结构第三三电路结构第--承载部第--连结部第二二承载部第二二连结部第三三连结部第四连结部 第一波长转换单元第二波长转换单元 21 101 102 103 111 112 121 122 131 132 133 131a 131b 132a 132b 133a 133b 141 151 具体实施例方式本专利技术在此所探讨的方向为一种半导体组件封装结构。为了能彻底地了解本专利技术，将在下列的描述中提出详尽的步骤及其组成。显然地，本专利技术的施行并未限定于侧向发光之半导体组件封装结构之技艺者所熟习的特殊细节。另一方面，众所周知的组成或步骤并未描述于细节中，以避免造成本专利技术不必要之限制。本专利技术的较佳实施例会详细描述如下，然而除了这些详细描述之外，本专利技术还可以广泛地施行在其它的实施例中，且本专利技术的范围不受限定，其以之后的专利范围为准。本专利技术提供一侧向发光之半导体组件封装结构，利用特殊的硅基板及电极结构， 使得复数个半导体发光组件分别设置于硅基板之两侧，并形成双面出光的表面黏着封装体。由于本专利技术之双面出光的封装体，其复数个半导体发光组件之承载空间为一平面结构，因此，利用本专利技术之手段可以形成一具有大面积出光之侧向发光之半导体组件封装结构。下文将配合图示与实施例，详细说明本专利技术提供之各个较佳实施例及
技术实现思路
。本专利技术第一实施例提供一侧向发光之半导体组件封装结构1，请参照图1之俯视示意图、图2之仰视示意图、图3之剖面示意图以及图4之立体示意图，其中侧向发光之半导体组件封装结构1包含一硅基板10、至少一第一半导体组件11、至少一第二半导体组件 12以及一电路结构13，并且硅基板10包含一第一面101、一第二面102以及一第三面103本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一侧向发光之半导体组件封装结构，其特征在于，包含：一硅基板，具有一第一面、一与该第一面相对的第二面以及一分别与该第一、二面相邻的第三面，其中该第一面与该第二面分别为一平面；至少一第一发光元件，设置于该硅基板之该第一面；至少一第二发光元件，设置于该硅基板之该第二面；以及一电路结构，包括第一电路结构、第二电路结构和第三电路结构，该第一电路结构设置于该第一面且和该至少一第一发光元件电连结，该第二电路结构设置于该第二面且和该至少一第二发光元件电连结，该第三电路结构设置于该第三面，该第一、二电路结构通过该第三电路结构和外部电路电连结。

【技术特征摘要】
1.一侧向发光之半导体组件封装结构，其特征在于，包含一硅基板，具有一第一面、一与该第一面相对的第二面以及一分别与该第一、二面相邻的第三面，其中该第一面与该第二面分别为一平面；至少一第一发光元件，设置于该硅基板之该第一面；至少一第二发光元件，设置于该硅基板之该第二面；以及一电路结构，包括第一电路结构、第二电路结构和第三电路结构，该第一电路结构设置于该第一面且和该至少一第一发光元件电连结，该第二电路结构设置于该第二面且和该至少一第二发光元件电连结，该第三电路结构设置于该第三面，该第一、二电路结构通过该第三电路结构和外部电路电连结。2.根据权利要求第1项所述的侧向发光之半导体组件封装结构，其特征在于该第一电路包括一第一承载部以及一第一连结部，并且该第一承载部与该第一连结部彼此电性分离；以及该第二电路结构包括一第二承载部以及一第二连结部，并且该第二承载部与该第二连结部彼此电性分离。3.根据权利要求第2项所述的侧向发光之半导体组件封装结构，其特征在于该第三电路结构具有一第三连结部以及一第四连结部，其中该第三连结部与该第四连结部彼此电性分离，并且该第一承载部系藉由该第三连结部电性连结至该第二承载部，而该第一连结部系藉由该第四连结部电性连结至该第二连结部。4.根据权利要求第1项所述的侧向发光之半导体组件封装结构，其中该硅基板包含复数个孔洞贯穿该第一面至该第二面，并且该第一电路结构系藉由该复数个孔洞，电性连结该第二电路结构。5.根据权利要求第1项所述的侧向发光之半导体组件封装结构，更包含一第一反射层，位于该硅基板与该第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：谢明村，曾文良，陈隆欣，林志勇，
申请(专利权)人：展晶科技深圳有限公司，荣创能源科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：94