半导体发光组件封装结构制造技术

本发明专利技术提供一种半导体发光组件封装结构，其特征在于：半导体发光组件封装结构之反射面设置复数个纳米反射结构，以增加反射面之反射效果。上述复数个纳米反射结构彼此间的间距(P)小于可见光波长的1/2，并且该复数个纳米反射结构具有一深度(H)，于本发明专利技术较佳的实施例中，该纳米反射结构之深度与间距的比值大于或等于2。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体发光组件的结构，特别是关于具有反射结构之半导体发光组件封装结构。
技术介绍
随着半导体发光组件(semiconductor light emitting device)之技术日益进步，越来越多产品的发光源均采用发光二极管(light emitting diode，LED)、有机发光二极管(organic light emitting diode, 0LED)或雷射二极管(laser diode, LD)。半导体发光组件相较于传统灯泡其特点包含较长的寿命、较低的能量消耗、较低的热能产生、较少的红外光光谱产生、以及组件尺寸较小(compact)。然而，现今半导体发光组件常需藉由封装结构形成表面组件(surface mounted device，SMD)，或是具有反射杯壳的结构以固定出光光场，但反射杯壳通常是聚邻苯二甲酰胺(PPA)或聚丙烯(PPB)之白色塑料材料，其反射的效果有限并且会吸收光线进而影响半导体发光组件的出光效益。因此，如何有效的增加半导体发光组件封装结构的出光效益，是目前尚需一项新的技术来解决上述的问题。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术提供一种具有高效率反射结构的半导体发光组件封装结构。本专利技术提供一半导体发光组件封装结构，具有至少一半导体发光组件、一导线架以及一反射结构，其中半导体发光组件系用来发出至少一第一波长之光线。而前述之导线架包含一承载电极以及一连结电极，其中上述之半导体发光组件系设置于上述承载电极上并且电性连结于上述连结电极。其特征再于前述之反射结构另包含有一反射面，围绕于上述半导体发光组件，其中反射面具有复数个纳米反射结构。藉由本专利技术提供之半导体发光组件封装结构，能有效的提高半导体发光组件之发光效率，并且有效的集中半导体发光组件之光场，使得本专利技术所提供之半导体发光组件封装结构更适合运用于背光模块或照明的模块。下面参照附图，结合具体实施例对本专利技术作进一步的描述。附图说明图1显示本专利技术第一实施例的剖面示意图；图2显示本专利技术第一实施例之第一反射面的剖面示意图；图3显示本专利技术第一实施例的俯视示意图；图4A至4F显示本专利技术之第一纳米反射结构的剖面示意图；图5显示本专利技术第二实施例的剖面示意图；图6显示本专利技术第二实施例之第二反射面的剖面示意图；以及图7A至7F显示本专利技术之第二纳米反射结构的剖面示意图。主要元件符号说明半导体发光组件封装结构1、2半导体发光组件10导线架20反射结构30第一反射面31第二反射面32金属导线40覆盖层50波长转换单元60承载电极201连结电极202第一奈米反射结构311第一奈米反射结构311b -第二奈米反射结构312第二奈米反射结构312b -深度HO、Hl间距P0、Pl具体实施例方式本专利技术在此所探讨的方向为一种半导体发光组件封装结构。为了能彻底地了解本专利技术，将在下列的描述中提出详尽的步骤及其组成。显然地，本专利技术的施行并未限定于半导体发光组件封装结构之技艺者所熟习的特殊细节。另一方面，众所周知的组成或步骤并未描述于细节中，以避免造成本专利技术不必要之限制。本专利技术的较佳实施例会详细描述如下，然而除了这些详细描述之外，本专利技术还可以广泛地施行在其它的实施例中，且本专利技术的范围不受限定，其以之后的专利范围为准。下文将配合图标与范例，详细说明本专利技术提供之各个较佳实施例及
技术实现思路
。请参照图1，本专利技术提供一半导体发光组件封装结构1，具有一半导体发光组件 10、一导线架20以及一反射结构30，其中半导体发光组件10系用来发出至少一第一波长之光线。导线架20包含一承载电极201以及一连结电极202，其中半导体发光组件10系设置于承载电极201上，并且藉由金属导线40电性连结于上述连结电极202。然而，半导体发光组件10的电连结方式并不局限于前述结构，亦可藉由覆晶(flip-chip)(图未示)的电性连结结构固定于导线架20上。本专利技术较佳的实施例中，半导体发光组件10可以为III-V族化合物半导体芯片或II-VI族化合物半导体芯片，并且可发出可见或不可见的光束，例如 紫外(UV)光、蓝光、绿光或多波长的半导体发光组件。值得注意的是，本专利技术所提供之半导体发光组件10并不只局限于发光二极管晶粒，亦可以为雷射二极管或有机发光二极管。上述半导体发光组件10亦可包含两个以上之半导体发光组件。可发出可见或不可见的光束，例如紫外光、紫光、蓝光、绿光、红光、蓝光、黄光或多波长的半导体发光组件。 再者，本专利技术所提供之半导体发光组件10亦可以为两种以上相同波长之半导体发光组件、 两种以上不同波长的半导体发光组件或多种多波长的半导体发光组件等组合。此外，反射结构30包含有一第一反射面31，围绕于上述半导体发光组件10，请同时参照图2，其中第一反射面31具有复数个第一纳米反射结构311。半导体发光组件封装结构1包含一覆盖层50及掺杂于覆盖层50中的至少一波长转换单元60，其中覆盖层50的材质包含下列至少一种物质或其组合二氧化硅(Si02)、环氧树脂(印oxy)或其它任一可透光之材料。于本专利技术较佳实施例中，上述之覆盖层50另包含扩散颗粒(图未示)掺杂于其中，藉此以增加光线于覆盖层50之中的散射。波长转换单元60受到前述第一波长之光线激发后，会发出不同于第一波长的第二波长之光线，并且与第一波长的光线混光后形成多波段的混光，使得半导体发光组件10 之封装结构可同时发出具有多波长的光线。而前述波长转换单元60可以为钇铝石榴石 (YAG)、铽铝石榴石(TAG)、硅酸盐、氮化物、氮氧化物、磷化物、硫化物或其组合。于本专利技术的一较佳实施例中，半导体发光组件10可发出蓝色光，而波长转换单元60受半导体发光组件10之光线照射并激发形成黄光发出，藉由上述两种不同波长的光线混光后，使得本专利技术提供之半导体发光组件10之封装结构可发出白光。请参照图2，复数个第一纳米反射结构311系形成于第一反射面31上，并形成阶梯状结构，其中复数个纳米反射结构311之材质可以为金属的材质，例如铝(Al)或钛 (Ti)。并且，复数个第一纳米反射结构311可以先利用电子束微影(E-beam)蚀刻技术或光微影蚀刻技术形成阶梯结构。此外，上述反射结构30的材质可以为塑料(plastic)、陶瓷 (ceramic)、硅(silicon)或金属(metal)，其中复数个纳米反射结构311的折射率大于上述反射结构30的折射率。请继续参照图2，相邻两个第一纳米反射结构311彼此的间距为P0，而相邻的二第一纳米反射结构311具有一相对深度H0，于实施例中，相邻的二第一纳米反射结构311的相对深度HO与彼此的间距PO的比值约大于或等于2，即Η0/Ρ0 2。另外，相邻的二第一纳米反射结构311的间距PO系小于可见光波长的1/2，尤其范围大约是90 130纳米(nm)为本专利技术较佳的实施例范围。由于纳米反射结构的实体结构远小于光波长，其高精密度表面结构与光相互间的实体作用能够促成光处理功能的重新排列。这种排列方式能够产生更高的密度、更佳的性能和更高的整合度，因而根本上改变光学系统设计方法。并且，藉由纳米反射结构，能有效的提高半导体发光组件之发光效率，并且有效的集中半导体发光组件之光场。请参照图3，复数个第一纳米反射结构311之俯视结构为环状之矩形的结本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种半导体发光组件封装结构，包含至少一用来发出至少一第一波长光线的半导体发光组件、一与该半导体发光组件电性连接的导线架及一反射结构，其特征在于：所述反射结构具有一围绕该半导体发光组件的反射面，该反射面具有复数个纳米反射结构。

【技术特征摘要】
1.一种半导体发光组件封装结构，包含至少一用来发出至少一第一波长光线的半导体发光组件、一与该半导体发光组件电性连接的导线架及一反射结构，其特征在于所述反射结构具有一围绕该半导体发光组件的反射面，该反射面具有复数个纳米反射结构。2.根据权利要求1所述的半导体发光组件封装结构，其特征在于所述复数个纳米反射结构其中相邻的两个之间的间距小于可见光波长的1/2。3.根据权利要求2所述的半导体发光组件封装结构，其特征在于所述复数个纳米反射结构其中相邻的两个之间的间距的范围大约为90 130纳米(nm)。4.根据权利要求2或3所述的半导体发光组件封装结构，其特征在于所述复数个纳米反射结构其中相邻的两个具有一相对深度，该相对深度与间距的比值大于或等于2。5.根据权利要求1至3任一项所述的半导体发光组件封装结构，其特征在于所述复数个纳米反射结构之剖面结构为下列至少一种形状或其组合梯形、倒梯形、椭圆形、半圆形、矩形、金字...

【专利技术属性】
技术研发人员：简克伟，
申请(专利权)人：展晶科技深圳有限公司，荣创能源科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：94