一种Sn-Si靶材制造技术

本发明专利技术涉及一种Sn-Si靶材，它是一种用于生产氧化物、氮化物和碳化物薄膜的Sn-Si靶材，它的化学组分和重量配比是：Sn为5-95%、Si为95-5%。本发明专利技术采用Sn以及Si为原料生产Sn-Si靶材，具有制作工艺简单、制作成本低、耐磨性能好、应用范围广的优点。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于靶材
，涉及一种用于生产氧化物、氮化物和碳化物薄膜 的Sn-Si靶材。
技术介绍
对溅射类镀膜，简单理解为利用电子或高能激光轰击靶材，并使表面组分以原子 团或离子形式被溅射出来，并且最终沉积在基片表面，经历成膜过程，最终形成薄膜。溅射镀膜又分为很多种，总体看，与蒸发镀膜的不同点在于溅射速率将成为主要 参数之一。溅射镀膜中的激光溅射镀膜pld，组分均勻性容易保持，而原子尺度的厚度均勻 性相对较差(因为是脉冲溅射)，晶向(外沿)生长的控制也比较一般。以Pld为例，因素主 要有靶材与基片的晶格匹配程度、镀膜氛围(低压气体氛围)、基片温度、激光器功率、脉冲 频率和溅射时间，对于不同的溅射材料和基片，最佳参数需要实验确定，是各不相同的，镀 膜设备的好坏主要在于能否精确控温，能否保证好的真空度，能否保证好的真空腔清洁度。现有的溅射靶材有金属靶材如钛靶Ti、铝靶Al、锡靶Su、铪靶Hf、铅靶1 等；有 合金靶材如铁钴靶i^eCo、铝硅靶AlSiJi--TiSi ；有陶瓷靶材如一氧化硅靶SiO、二 氧化硅靶Si02、二氧化钛靶Ti02，三氧化二钇靶Y203、五氧化二钒靶V205、五氧化二钽靶 Ta205。上述靶材价格高，耐磨性能差。
技术实现思路
为了克服现有技术的上述缺点，本专利技术提供一种制作工艺简单、制作成本低、耐磨 性能好、应用范围广的Sn-Si靶材。本专利技术解决其技术问题所采用的技术方法是一种Sn-Si靶材，它是一种用于生 产氧化物、氮化物和碳化物薄膜的Sn-Si靶材，它的化学组分和重量配比是Sn为5-95%、Si 为 95-5%。上述一种Sn-Si靶材的制备方法是，按照上述重量配比称取Sn粉末和Si粉末，将 粒度范围为O-IOOOum的Sn粉末与Si粉末进行混合均勻后，在真空状况下或氮气或氩气或 含碳原子的气体中进行烧结，烧结温度为150-600°C，经烧结后制得Si-SiC靶材成品。本专利技术的有益效果是采用Sn以及Si为原料生产Sn-Si靶材，具有制作工艺简 单、制作成本低、耐磨性能好、应用范围广的优点。具体实施例方式下面结合实施例对本专利技术进一步说明。实施例1 称取重量比5%Sn粉末和重量比95%Si粉末，将粒度范围为0_200um的 Sn粉末与Si粉末进行混合均勻后，在真空状况下进行烧结，烧结温度为550°C，经烧结后制 得Si-SiC靶材成品。所制得的Sn-Si靶材密度高，能够用于生产氧化物、氮化物和碳化物薄膜。实施例2 称取重量比50%Sn粉末和重量比50%Si粉末，将粒度范围为O-IOOOum的 Sn粉末与Si粉末进行混合均勻后，在真空状况下进行烧结，烧结温度为350°C，经烧结后制 得Si-SiC靶材成品。所制得的Sn-Si靶材密度高，能够用于生产氧化物、氮化物和碳化物薄膜。实施例3 称取重量比75%Sn粉末和重量比25%Si粉末，将粒度范围为0_800um的 Sn粉末与Si粉末进行混合均勻后，在真空状况下进行烧结，烧结温度为300°C，经烧结后制 得Si-SiC靶材成品。所制得的Sn-Si靶材密度高，能够用于生产氧化物、氮化物和碳化物薄膜。实施例4 称取重量比95%Sn粉末和重量比5%Si粉末，将粒度范围为0_600um的 Sn粉末与Si粉末进行混合均勻后，在氮气或氩气或含碳原子的气体中进行烧结，烧结温度 为180°C，经烧结后制得Si-SiC靶材成品。所制得的Sn-Si靶材密度高，能够用于生产氧化 物、氮化物和碳化物薄膜。本专利技术采用Sn以及Si为原料生产Sn-Si靶材，具有制作工艺简单、制作成本低、 耐磨性能好、应用范围广的优点。权利要求1.一种Sn-Si靶材，其特征在于它是一种用于生产氧化物、氮化物和碳化物薄膜的 Sn-Si靶材，它的化学组分和重量配比是Sn为5-95%、Si为95_5%。2.制备如权利要求1所述的Sn-Si靶材的方法，其特征是按照上述重量配比称取Sn 粉末和Si粉末，将粒度范围为O-IOOOum的Sn粉末与Si粉末进行混合均勻后，在真空状 况下或氮气或氩气或含碳原子的气体中进行烧结，烧结温度为150-600°C，经烧结后制得 Si-SiC靶材成品。全文摘要本专利技术涉及一种Sn-Si靶材，它是一种用于生产氧化物、氮化物和碳化物薄膜的Sn-Si靶材，它的化学组分和重量配比是Sn为5-95%、Si为95-5%。本专利技术采用Sn以及Si为原料生产Sn-Si靶材，具有制作工艺简单、制作成本低、耐磨性能好、应用范围广的优点。文档编号C23C14/06GK102146555SQ20111009835公开日2011年8月10日 申请日期2011年4月20日 优先权日2011年4月20日专利技术者文宏福 申请人:韶关市欧莱高新材料有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种Ｓｎ－Ｓｉ靶材，其特征在于：它是一种用于生产氧化物、氮化物和碳化物薄膜的Ｓｎ－Ｓｉ靶材，它的化学组分和重量配比是：Ｓｎ为５－９５％、Ｓｉ为９５－５％。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：文宏福，
申请(专利权)人：韶关市欧莱高新材料有限公司，
类型：发明
国别省市：44