光刻机硅片台双台交换系统技术方案

光刻机硅片台双台交换系统，该系统含有基台，运行于预处理工位硅片台，运行于曝光工位的硅片台。在基台下方装有旋转电机，在两硅片台完成预处理和曝光运动后，旋转硅片台，以完成硅片台工位的交换，交换时基台固定不动。本发明专利技术避免了大惯量的基台旋转，电机功率要求低，同时省去要求极高的导轨对接装置和辅助装置，大大简化了系统结构，同时操作简单方便，易控制。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种包括两个用于保持硅片的平台的光刻设备，特别涉及一种设置有 旋转交换桥的光刻设备，属于半导体装备领域。
技术介绍
在集成电路芯片的生产过程中，芯片的设计图形在硅片表面光刻胶上的曝光转印 (光刻)是其中最重要的工序之一，该工序所用的设备称为光刻机(曝光机)。光刻机的分 辨率和曝光效率极大的影响着集成电路芯片的特征线宽(分辨率)和生产率。而作为光刻 机关键系统的硅片超精密运动定位系统(以下简称为硅片台)的运动精度和工作效率，又 在很大程度上决定了光刻机的分辨率和曝光效率。步进扫描投影光刻机基本原理如图1所示。来自光源45的深紫外光透过掩模 版47、透镜系统49将掩模版上的一部分图形成像在硅片50的某个Chip上。掩模版和硅 片反向按一定的速度比例作同步运动，最终将掩模版上的全部图形成像在硅片的特定芯片 (Chip)上。硅片台运动定位系统的基本作用就是在曝光过程中承载着硅片并按设定的速度 和方向运动，以实现掩模版图形向硅片上各区域的精确转移。由于芯片的线宽非常小(目 前最小线宽已经达到45nm)，为保证光刻的套刻精度和分辨率，就要求硅片台具有极高的运 动定位精度；由于硅片台的运动速度在很大程度上影响着光刻的生产率，从提高生产率的 角度，又要求硅片台的运动速度不断提高。图2为现有技术中光刻机的硅片支撑平台的结构示意图。硅片支撑平台包括粗动 模块18和微动模块20。粗动模块18和微动模块20均包括静止部分、可移动部分和驱动 部分。连接到基台30的是粗动模块18的静止部分8。粗动模块18的可移动部分相对于 静止部分是可移动的。连接到粗动模块18的可移动部分10的是微动模块20的静止部分 12。微动模块20的可移动部分14相对于静止部分12是可移动的。硅片台16连接到微动 模块20的可移动部分14。硅片台16配置用于支撑硅片W，硅片W并非所述硅片支撑平台 的一部分。这里“静止部分”是相对可移动部分而言的，“静止部分”本身也可以是可移动 的。粗动模块的驱动电机公知的可以为直线电机等，微动模块的驱动电机公知的可以为平 面电机、音圈电机等。传统的硅片台，如专利EP 0729073和专利US 5996437所描述的，光刻机中只有一 个硅片运动定位单元，即一个硅片台。调平调焦等准备工作都要在上面完成，这些工作所 需的时间很长，特别是对准，由于要求进行精度极高的低速扫描(典型的对准扫描速度为 lmm/s)，因此所需时间很长。而要减少其工作时间却非常困难。这样，为了提高光刻机的生 产效率，就必须不断提高硅片台的步进和曝光扫描的运动速度。而速度的提高将不可避免 导致系统动态性能的恶化，需要采取大量的技术措施保障和提高硅片台的运动精度，为保 持现有精度或达到更高精度要付出的代价将大大提高。专利W098/40791(公开日期1998.9. 17 ；国别荷兰)所描述的结构采用双硅片台结构，将上下片、预对准、对准等曝光准备工作转移至第二个硅片台上，且与曝光硅片台 同时独立运动。在不提高硅片台运动速度的前提下，曝光硅片台大量的准备工作由第二个 硅片台分担，从而大大缩短了每片硅片在曝光硅片台上的工作时间，大幅度提高了生产效 率。然而该系统存在的主要缺点在于硅片台系统的非质心驱动问题。本申请人在2009年申请的专利技术专利“一种光刻机硅片台双台交换装置”(公开号 CN201364459)公开了一种光刻机的双台交换系统，其有结构简单，空间利用率高以及无需 对接辅助装置等优点。但是该双硅片台系统也存在一些问题，在基台下方安装旋转电机，结 构复杂，交换时整个基台被旋转，由于基台上装有X、Y向直线电机以及粗动台、微动台等， 转动惯量大，电机功率大，不易精确控制和定位，另外也容易受到线缆等辅助装置的影响。
技术实现思路
针对现有技术的不足和缺陷，本专利技术的目的是提供一种设置旋转交换桥的光刻机 硅片台双台交换系统，以克服已有硅片台双台交换系统存在非质心驱动、结构复杂、要求极 高的导轨对接精度、转动惯量大等缺点，使其具有结构简单，空间利用率高，电机功率小，转 动惯量小，无需导轨对接装置等优点，进而提高光刻机的曝光效率。本专利技术的技术方案为一种光刻机硅片台双台交换系统，该系统含有运行于曝光 工位的硅片台和运行于预处理工位的硅片台，所述的两个硅片台设置在一基台上，其特征 在于在所述的基台下层设置有一个旋转电机；运行于曝光工位的硅片台和运行于预处理 工位的硅片台在分别完成曝光和预处理工作后，旋转电机驱动基台上的两硅片台同步逆时 针旋转180°，从而实现两硅片台的工位交换。在交换过程中，基台固定不动。本专利技术所述基台两侧长边边缘X方向分别设置有两条直线电机定子磁钢，由X方 向运动的第一单自由度驱动单元和第二单自由度驱动单元共用第一直线电机定子磁钢；所 述由X方向运动的第三单自由度驱动单元和第四单自由度驱动单元共用第二直线电机定 子磁钢；Y方向第一导轨分别与χ方向运动的第一单自由度驱动单元和第三单自由度驱动 单元联结，共同驱动第一硅片台在X-Y平面运动；Y方向第二导轨分别与X方向运动的第二 单自由度驱动单元和第四单自由度驱动单元联结，共同驱动第二硅片台在X-Y平面运动； 所述在基台周围分别布置有测量X方向位移的双频激光干涉仪，测量Y方向位移的双频激 光干涉仪。本专利技术的技术特征还在于旋转电机的输出轴穿过基台，输出轴末端连接交换桥， 交换桥包括交换桥主体，交换桥主体两侧分别设置锁紧装置，两锁紧装置分别对应两硅片 支撑平台的微动台的可移动部分。本专利技术的又一技术特征是所述锁紧装置可相对交换桥主体伸出和缩回。本专利技术与现有技术相比，具有以下突出的优点该系统在基台下层设有旋转电机， 旋转电机仅驱动微动台可移动部分和硅片台旋转，以实现两个硅片台的工位交换，基台并 不旋转，因此避免了大的转动惯量和大功率电机，省去导轨对接装置等，大大简化了系统结 构，同时交换简单易控，操作方便。附图说明图1为光刻机的工作原理示意图。图2为现有技术中光刻机的硅片支撑平台的结构示意图。图3为本专利技术提供的光刻机硅片台双台交换系统的结构示意图。图4为本专利技术提供的光刻机硅片台双台交换前的俯视图。图5为本专利技术提供的光刻机硅片台双台交换后的俯视图。图中2-预处理工位；3-曝光工位；9. 1-第一直线电机定子磁钢；9. 2_第二直线 电机定子磁钢；4-第一单自由度驱动单元；；5-第二单自由度驱动单元；6-第三单自由 度驱动单元；7-第四单自由度驱动单元；11. 1-测量X方向位移的第一双频激光干涉仪、 11. 2-测量X方向位移的第二双频激光干涉仪；8-粗动模块的静止部分；10-粗动模块的 可移动部分；12-微动模块的静止部分；14-微动模块的可移动部分；16. 1-第一硅片台； 16. 2-第二硅片台；18-粗动模块；20-微动模块；13. 1_测量Y方向位移的双频激光干涉仪； 13. 2-测量Y方向位移的双频激光干涉仪；15. I-Y方向第一导轨；15. 2-Y方向第二导轨； 30-基台；40-交换桥主体；41-旋转电机；42-旋转电机的输出轴；43. 1_第一锁紧装置； 43. 2第二锁紧装置；45-光源；47-掩模版；49-透镜系统；50-硅片。具体实施例方式下面结合附图来具体说明本专利技术光刻机硅片本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种光刻机硅片台双台交换系统，该交换系统包括运行于预处理工位（２）的第一硅片台（１６．１）和运行于曝光工位（３）的第二硅片台（１６．２），所述两个硅片台设置在一基台（３０）上，其特征在于：在所述的基台（３０）下层设置有一个旋转电机（４１），运行于曝光工位（３）的第二硅片台（１６．２）和运行于预处理工位（２）的第一硅片台（１６．１）在分别完成曝光和预处理工作后，旋转电机（４１）驱动基台（３０）上的两硅片台（１６．１、１６．２）同步逆时针旋转１８０°，从而实现两硅片台的工位交换，在交换过程中，基台（３０）固定不动。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：朱煜，陈亚英，张鸣，徐登峰，汪劲松，
申请(专利权)人：清华大学，
类型：发明
国别省市：11