一种基于Cell的层次化光学邻近效应校正方法技术

本发明专利技术涉及65纳米集成电路的制造工艺和版图设计技术领域，公开了一种基于Cell的层次化光学邻近效应校正(OPC)方法。该方法通过将层次化设计的概念引入到全芯片OPC修正过程中，将所有标准单元图形规则化，并在标准单元库构建的过程中对标准单元进行OPC，当全芯片版图得到以后，将其中的标准单元部分用OPC修正过的单元代替，从而不必再做全芯片打平方式的OPC，极大的降低了掩模数据存储量，有利于光刻分辨率增强，从而降低了生产误差，提高了芯片生产效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及65纳米集成电路制造工艺和版图设计
，具体涉及一种基于 Cell的层次化光学邻近效应校正(Optical Proximity Correction, 0PC)方法。
技术介绍
集成电路(Integrated Circuit, IC)制造技术按照甚至超过摩尔定律以每18 个月集成度提高一倍的速度快速发展。但当集成电路的特征尺寸降到100纳米以下的时 候，IC制造技术遇到了空前的挑战，其中一个重要的方面来自于制造中的光刻环节。芯片 特征尺寸已经减小到小于光刻光源的波长，由于衍射效应，光刻仪器误差以及透镜的低通 滤波效应，晶圆上的图形已无法和掩模上的图形保持一致。光学邻近效应校正(Optical Proximity Correction, 0PC)作为应用最广泛的光刻分辨率增强技术(Resolution Enhancement Technology, RET)，已成为现在掩模(Mask)制造中修正光学失真的重要手段。目前采用的OPC可分为两类，即基于规则的OPC(rule-based 0PC)和基于模型的 OPC(model-based 0PC)。随着电路特征尺寸的不本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种基于Ｃｅｌｌ的层次化光学邻近效应校正方法，其特征在于，该方法是在标准单元库构建的过程中对标准单元进行光学邻近效应校正，当得到电路的原始版图时，将原始版图中的标准单元部分用相应的进行了光学邻近效应校正的标准单元代替，得到最终制造掩模的版图数据。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：罗海燕，陈岚，尹明会，赵劼，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：11