PBOPC优化掩膜图形的分割矩形总数的获取方法技术

本发明专利技术涉及一种PBOPC优化掩膜图形的分割矩形总数的获取方法，具体步骤为：步骤一、设计拓扑滤波器g；步骤二、计算拓扑滤波器g与当前掩膜图形中各像素点M(x，y)的卷积；步骤三、根据GM(x，y)计算当前掩膜图形中凸顶点和凹顶点的个数；步骤四、根据计算出的凸顶点和凹顶点的个数计算当前掩膜图形的分割矩形总数S。本发明专利技术利用掩膜图形中凸顶点和凹顶点的数目，近似计算出掩膜图形的分割矩形总数，从而可以实现对光刻系统成像分辨率和掩膜制造成本进行有效的全局优化。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及PBOPC优化掩膜图形的分割矩形总数的获取方法，属于光刻分辨率增 强

技术介绍
当前的大规模集成电路普遍采用光刻系统制造。光刻系统主要分为照明系统 (光源)、掩膜、投射系统及晶片等四部分。光源发出的光线经过聚光镜聚焦后入射至掩膜， 掩膜的开孔部分透光；经过掩膜后，光线经由投射系统入射至晶片；这样掩膜图形就复制 在晶片上。目前主流的光刻系统是193nm的ArF深度紫外光刻系统。随着光刻技术节点进入 45nm-22nm,电路的关键尺寸已经远远小于光源的波长；因此光的干涉和衍射现象更加显 著，导致光刻成像产生扭曲和模糊。如附图说明图1所示，501为掩膜，则由于干涉和衍射印制在晶片 上的图像变成了 502，为此光刻系统必须采用分辨率增强技术，用以提高成像质量。基于像 素的光学邻近效应校正(pixel-based optical proximity correction PBOPC)是一禾中重 要的光刻分辨率增强技术。PBOPC首先对掩膜进行栅格化，然后对每一个像素的透光率进行 优化。如图2所示，503为进行PBOPC后的掩膜，则由于干涉和衍射印制在晶片上的图像变 成本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种ＰＢＯＰＣ优化掩膜图形的分割矩形总数的获取方法，获得的矩形总数应用于基于像素的光学邻近效应校正ＰＢＯＰＣ过程中，其特征在于，具体步骤为：步骤一、设计拓扑滤波器ｇ；（ｍａｔｈ）??（ｍｒｏｗ）?（ｍｉ）ｇ（／ｍｉ）?（ｍｏ）＝（／ｍｏ）?（ｍｆｅｎｃｅｄｏｐｅｎ＝＇［＇ｃｌｏｓｅ＝＇］＇）?（ｍｔａｂｌｅ）?（ｍｔｒ）?（ｍｔｄ）?（ｍｎ）１（／ｍｎ）?（／ｍｔｄ）?（ｍｔｄ）?（ｍｎ）１（／ｍｎ）?（／ｍｔｄ）?（／ｍｔｒ）?（ｍｔｒ）?（ｍｔｄ）?（ｍｎ）１（／ｍｎ）?（／ｍｔｄ）?（ｍｔｄ）?（ｍｎ）１（／ｍｎ）?（／ｍｔｄ）?（／ｍｔｒ）?（／ｍｔａｂｌｅ）?（／ｍｆｅｎｃｅｄ）...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：马旭，李艳秋，
申请(专利权)人：北京理工大学，
类型：发明
国别省市：11