一种基于流模型的CMOS集约模型参数生成方法技术

本发明专利技术属于集成电路技术领域，涉及一种基于流模型的CMOS集约模型的生成方法，具体包括以下步骤：S1.关键参数提取；S2.分布建模；S3.参数生成。利用流模型构建可逆变换网络，直接学习所抽取集约模型基础参数组的联合概率分布，通过最大化对数似然函数捕获参数间的非线性依赖关系与复杂分布特征；根据训练好的流模型，通过潜在空间扰动与可逆映射建立实时生成模块，该模块可通过调整潜在变量的分布参数（如注入高斯噪声或偏移量），精确控制生成参数组中涨落、老化等统计量的强度，同时保持参数间原始的相关性结构。本发明专利技术解决了大规模集成电路设计中集约模型样例库中模型数量有限导致的重复采样问题，且实时生成的参数组能够保持原有的参数分布和参数间相关性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于集成电路，涉及一种基于流模型的cmos集约模型的生成方法。

技术介绍

1、随着器件尺寸不断缩小，尤其是纳米片围栅晶体管等前沿器件的极度微缩化，统计涨落对晶体管的影响已不可避免，在eda软件中构建包含涨落、老化等统计量信息的集约模型库成为实现对其正确仿真的关键。然而，仅通过直接对实验或tcad仿真数据进行参数提取来构建模型库，会受限于数据量导致模型有限，造成电路仿真时对晶体管集约模型样例重复采样，无法体现统计量对电路的影响，难以满足大规模集成电路设计需求。目前工业界主要采用基于阈值电压参数值分布或主成分分析的方法生成无限参数集，但前者无法捕获阈值电压外其他因素的影响，后者仅能保持高斯分布，无法保留原有参数分布及参数间相关性，且对原始参数的相关性和尾部拟合有所欠缺，均无法准确体现真实电路特性，因此亟需一种实时高效、能保持参数分布及相关性并体现统计量影响的新型集约模型生成方法。

技术实现思路

1、本专利技术针对纳米级cmos器件集约模型参数生成中存在的统计特性建模不足问题，提供一种基于流模型的参数生成本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种基于流模型的CMOS集约模型参数生成方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的基于流模型的CMOS集约模型参数生成方法，其特征在于：步骤S1选取若干对器件电学特性有关键影响作用的物理参数和若干用于调整仿真结果的拟合参数作为关键参数；通过对上述关键参数取值进行调整，可以使集约模型输出的电学特性曲线贴合对应晶体管的目标电学特性曲线，实现所选参数的提取。

3.根据权利要求1所述的基于流模型的CMOS集约模型参数生成方法，其特征在于：步骤S2中所述数据标准化单元在训练初始阶段根据所提取的关键参数组的均值和方差进行标准化，使输入特征的均值为0、方差为...

【技术特征摘要】

1.一种基于流模型的cmos集约模型参数生成方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的基于流模型的cmos集约模型参数生成方法，其特征在于：步骤s1选取若干对器件电学特性有关键影响作用的物理参数和若干用于调整仿真结果的拟合参数作为关键参数；通过对上述关键参数取值进行调整，可以使集约模型输出的电学特性曲线贴合对应晶体管的目标电学特性曲线，实现所选参数的提取。

3.根据权利要求1所述的基于流模型的cmos集约模型参数生成方法，其特征在于：步骤s2中所述数据标准化单元在训练初始阶段根据所提取的关键参数组的均值和方差进行标准化，使输入特征的均值为0、方差为1，所述数据标准化单元包括但不限于通过显式归一化层（如激活归一化、批归一化）或隐式归一化机制（如权重标准化）实现，从而提高流模型对cmos参数小样本分布的拟合精度。

4.根据权利要求1所述的基于流模型的cmos集约模型参数生成方法，其特征在于：步骤s2中所述维度混合单元通过可逆置换矩阵实现参数维度的混合，所述可逆置换矩阵包括随机初始化的正交矩阵或固定排列矩阵，其雅可比行列式的绝对值为1，从而将对数似然计算复杂度从o(n²)降低至o(n)。

5.根据权利要求1所述的基于流模型的cmos集约模型参数生成方法，其特征在于：步骤s2中所述条件变换单元将输入参数分为两部分，对第一部分参数通过非线性子网络生成尺度和偏移参数，对第二部分参数进行包括加...

【专利技术属性】
技术研发人员：丁洁，张瑶，范绪阁，李卓翰，周奕帆，
申请(专利权)人：北京理工大学，
类型：发明
国别省市：