下载一种基于流模型的CMOS集约模型参数生成方法的技术资料

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本发明属于集成电路技术领域,涉及一种基于流模型的CMOS集约模型的生成方法,具体包括以下步骤:S1.关键参数提取;S2.分布建模;S3.参数生成。利用流模型构建可逆变换网络,直接学习所抽取集约模型基础参数组的联合概率分布,通过最大化对数似然...
该专利属于北京理工大学所有,仅供学习研究参考,未经过北京理工大学授权不得商用。

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