一种基于像素的光学邻近效应校正的优化方法技术

本发明专利技术涉及一种基于像素的光学邻近效应校正的优化方法，通过将目标图形作为初始掩膜图形M0，并设定矩形总数上限为L；计算目标函数的梯度寻找绝对值最大的可翻转像素点并进行翻转；当翻转后计算出的成像误差项F比翻转前计算出的成像误差项F小时，且翻转后掩膜图形的分割矩形总数S不超过L时，保留像素翻转结果；否则还原为像素原值。本发明专利技术在每次像素翻转后，都要判定成像误差项F是否降低，因此能够确保在PBOPC优化过程中，成像误差逐步递减，进而提高成像分辨率。同时，在每次像素翻转后，都要判定当前掩膜图形的分割矩形总数S是否超过上限L，因此本发明专利技术能够有效的限制优化后掩膜图形的复杂度，从而限制掩膜制造成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及，属于光刻分辨率增强

技术介绍
当前的大规模集成电路普遍采用光刻系统制造。光刻系统主要分为照明系统 (光源)、掩膜、投射系统及晶片等四部分。光源发出的光线经过聚光镜聚焦后入射至掩膜， 掩膜的开孔部分透光；经过掩膜后，光线经由投射系统入射至晶片；这样掩膜图形就复制 在晶片上。目前主流的光刻系统是193nm的ArF深度紫外光刻系统。随着光刻技术节点进入 45nm-22nm,电路的关键尺寸已经远远小于光源的波长；因此光的干涉和衍射现象更加显 著，导致光刻成像产生扭曲和模糊。如附图说明图1所示，501为掩膜，则由于干涉和衍射印制在晶片 上的图像变成了 502，为此光刻系统必须采用分辨率增强技术，用以提高成像质量。基于像 素的光学邻近效应校正(pixel-based optical proximity correction PBOPC)是一禾中重 要的光刻分辨率增强技术。PBOPC首先对掩膜进行栅格化，然后对每一个像素的透光率进行 优化。如图2所示，503为进行PBOPC优化后的掩膜，则由于干涉和衍射印制在晶片上的图 像变成了 504，其趋近于所需的图形。在掩膜制造本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种基于像素的光学邻近效应校正的优化方法，其特征在于，具体步骤为：步骤３０１、将目标图形作为初始掩膜图形Ｍ０，并设定掩膜图形的分割矩形总数上限为Ｌ；步骤３０２、计算目标函数的梯度（ｍａｔｈ）??（ｍｒｏｗ）?（ｍｏ）＆ｄｔｒｉ；（／ｍｏ）?（ｍｉ）Ｄ（／ｍｉ）?（ｍｏ）＝（／ｍｏ）?（ｍｏ）＆ｄｔｒｉ；（／ｍｏ）?（ｍｉ）Ｆ（／ｍｉ）?（ｍｏ）＋（／ｍｏ）?（ｍｉ）＆ｇａｍｍａ；（／ｍｉ）?（ｍｆｒａｃ）?（ｍｓｕｂ）?（ｍｒｏｗ）?（ｍｏ）｜（／ｍｏ）?（ｍｏ）｜（／ｍｏ）?（ｍｉ）Ｆ（／ｍｉ）?（ｍｏ）｜（／ｍｏ）?（ｍｏ）｜（／ｍｏ）?（／ｍｒｏｗ）?（ｍｎ）２（／ｍｎ）?（／ｍｓｕ...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：马旭，李艳秋，
申请(专利权)人：北京理工大学，
类型：发明
国别省市：11