The present invention provides a semiconductor device and a method of manufacturing a semiconductor element, which inhibits the influence of parasitic elements and prevents the turn-on voltage from increasing. A p type base region (2) is provided in the surface layer of the n- type drift region (1). A trench (3) is provided on the surface of the semiconductor substrate to pass through the base region (2) and reach the drift region 1. A gate electrode (5) is disposed across the trench (3) across the gate insulating film (4). A first recess (6) is selectively disposed in the surface layer of the base region (2). That is, the surface of the base region (2) is provided with a concave shape composed of a first recess (6) and a convex part without a first recess (6). The first recess (6) is connected with the groove (3). Moreover, compared with the upper end of the gate electrode (5), the bottom surface of the first recess (6) is set apart from the surface of the substrate. The source electrode (8) is connected with the projection of the base region (2) and is embedded in the interior of the first recess (6).
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种。
技术介绍
作为在电动车(EV=Electric Vehicle)等中使用的电力变换装置，消耗电力少且由电压控制容易驱动的绝缘栅型半导体元件最为普及。作为绝缘栅型半导体元件， 已知有绝缘栅型电场效应晶体管(MOSFET =Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)或绝缘栅型双极晶体管(IGBT Jnsulated Gate Bipolar Transistor)等。以下，在本说明书及附图中，在冠以η或ρ的层或区域中，分别表示电子或空穴为多个载流子。另外，赋予η或ρ的+及-分别表示与未标注的层或区域相比为高杂质浓度及低杂质浓度。图17是表示现有的半导体元件的剖视图。作为现有的绝缘栅型半导体元件，例如对沟槽栅结构的MOSFET进行说明。在构成η-型的漂移区域101的半导体基板的表面上设有P型的基极区域102。另外，设有贯通基极区域102而到达漂移区域101的沟槽103。在沟槽103的内部隔着栅极绝缘膜104而设有栅电极105。在基极区域102的表面层选择性地设有与沟槽103相接的η+型的...
【技术保护点】
１．一种半导体元件，其特征在于，具有：第一导电型的第一半导体区域；设置在所述第一半导体区域的表面，且具有比该第一半导体区域高的杂质浓度的第二导电型的第二半导体区域；贯通所述第二半导体区域并到达所述第一半导体区域的沟槽；隔着绝缘膜设置在所述沟槽的内部的第一电极；以与所述沟槽相接触的方式设置在所述第二半导体区域的表面层的比所述第一电极的上端深的第一凹部；埋入所述第一凹部中的第二电极。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：百田圣自，藤井岳志，上岛聪，浅井诚，
申请(专利权)人：富士电机系统株式会社，株式会社电装，
类型：发明
国别省市：JP
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