内燃机点火器半导体器件制造技术

为了提供尽可能低成本的内燃机点火器半导体器件，同时确保能量耐受性和反向浪涌耐受能力。一种IGBT包括在集电电极和栅电极之间的钳位二极管，该IGBT在IGBT的p+衬底和n型基极层之间具有不同杂质浓度的两个n型缓冲层，其中该双层缓冲层的总厚度为50μm或更小，而总杂质量为20x1013cm-2或更小。

【技术实现步骤摘要】
内燃机点火器半导体器件
本专利技术涉及用于内燃机点火器的半导体器件。
技术介绍
图2所示的电路包括作为电感负载的初级侧线圈45以及次级侧线圈42，并具有响应从电源41流至初级侧线圈45的间歇电流借助次级线圈42中产生的高电压造成间歇火花发出的功能。该电路所应用的一种产品是内燃机点火器(在下文中称为“点火器”)，该点火器利用在连接于次级侧线圈42的内燃机火花塞44中发出的间歇火花。迄今为止，双极型晶体管已在内燃机点火器(点火器)中用作使间歇电流流至初级侧线圈的开关单元43，但近年来，这已被绝缘栅双极型晶体管(IGBT)代替(JP-A-2000-310173、JP-A-2002-4991以及日本专利No.4,263,102)。在使用这种类型点火器的IGBT中，可内建图3的IGBT等效电路中所示的栅极控制电路部分17以使IGBT具有监视工作状态且在存在异常时控制栅极信号的功能，也可如图5的IGBT主要部分截面图所示内建有用于防止IGBT由于过电流、过电压或发热而损坏的控制电路部分21。为了减小L负载截止时的浪涌电压，已知提供在IGBT的高阻n型基极层和高杂质浓度n型缓冲层之间具有中间杂质浓本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种内燃机点火器半导体器件，包括：半导体衬底，所述半导体衬底具有第一导电型集电层、第二导电型缓冲层和第二导电型基极层，这些层按前述顺序排列，所述第二导电型缓冲层具有杂质浓度比所述第二导电型基极层的杂质浓度高的、设置在所述第二导电型基极层侧的第二缓冲层，以及杂质浓度比所述第二缓冲层的杂质浓度高的、设置在所述第一导电型集电层侧的第一缓冲层；绝缘栅双极型晶体管，所述绝缘栅双极型晶体管包括设置在半导体衬底的所述第二导电型基极层的表面层上的第一导电型基极区，跨过夹在形成于所述第一导电型基极区内的表面层上的第二导电型发射区和第二导电型基极层表面之间的第一导电型基极区的表面上的栅绝缘膜的栅电极；以及在第...

【技术特征摘要】
2009.12.04 JP 2009-2768041.一种内燃机点火器半导体器件，包括：半导体衬底，所述半导体衬底按顺序排列有第一导电型集电层、第二导电型缓冲层和第二导电型基极层，所述第二导电型缓冲层具有杂质浓度比所述第二导电型基极层的杂质浓度高的、设置在所述第二导电型基极层侧的第二缓冲层，以及杂质浓度比所述第二缓冲层的杂质浓度高的、设置在所述第一导电型集电层侧的第一缓冲层，在所述半导体衬底的所述第二导电型基极层的表面层上具有有主电流流过的有源区、邻接于该有源区并用于防止有源区被击穿的控制电路部，所述有源区具有设置在所述半导体衬底的所述第二导电型基极层的表面层上的第一导电型基极区、以及跨过夹在形成于所述第一导电型基极区内的表面层上的第二导电型发射区和第二导电型基极层表面之间的第一导电型基极区的表面上的栅绝缘膜的栅电极；绝缘栅双极型晶体管，所述绝缘栅双极型晶体管包括在第一导电型集电层表面上与集电极、第二导电型基极层以及第二导电型发射区共同接触的发射电极；以及在栅电极和集电极之间的钳位二极管，其栅极侧作为阳极侧，在所述控制电路部上、与所述绝缘栅双极型晶体管位于同一半导体衬底上，具备多个第一导电型的扩散区、...

【专利技术属性】
技术研发人员：上野胜典，
申请(专利权)人：富士电机系统株式会社，
类型：发明
国别省市：JP