像素结构、像素阵列以及显示面板制造技术

本发明专利技术公开一种像素结构、像素阵列以及显示面板。所述像素结构包括扫描线、数据线、有源元件、像素电极以及导电条状图案。有源元件与扫描线以及数据线电连接。像素电极与有源元件电连接。导电条状图案位于数据线的上方且与数据线电连接，其中导电条状图案的线宽大于或是等于数据线的线宽，且导电条状图案与像素电极属于同一膜层。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种像素结构、像素阵列以及显示面板。
技术介绍
一般而言，液晶显示器的像素结构包括扫描线、数据线、有源元件与像素电极。 在像素结构中，将像素电极的面积设计地愈大，可提高液晶显示器的开口率(aperture ratio)。然而，当像素电极与数据线过于接近时，像素电极与数据线之间的杂散电容 (capacitance between pixel and data line，Cpd)会变大。如此一来，在幵关兀件 关闭期间，像素电极的电压会受到数据线所传送的信号的影响而发生所谓的串音效应 (crosstalk)，进而影响液晶显示器的显示品质。更详细来说，一般在像素阵列的其中一个像素结构中，像素电极两侧会各自有一 条数据线。由于像素结构的多道光掩模制作工艺之间会存在某种程度的对位偏移，导致像 素结构的各膜层之间存在一定程度的偏移量。如此将使得像素电极与其两侧的数据线之间 的距离不同，以致像素电极与其两侧的数据线之间的耦合电容并不相等。换言之，数据线上 的信号变化对于像素电极的电位拉扯不相等，如此将导致像素电极上的电位有所变化，进 而影响显示面板于显示影像时的灰阶表现，而产生所谓V形串音效应(v-crosstalk)。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种像素结构、像素阵列以及显示面板，其可以减轻显示 面板的V形串音效应(v-cross-talk)。本专利技术提出一种像素结构，其包括扫描线、数据线、有源元件、像素电极以及导电 条状图案。有源元件与扫描线以及数据线电连接。像素电极与有源元件电连接。导电条状 图案，位于数据线的上方且与数据线电连接，其中导电条状图案的线宽大于或是等于数据 线的线宽，且导电条状图案与像素电极属于同一膜层。本专利技术提出一种像素阵列，其包括多条数据线、多条扫描线、多个有源元件、多个 像素电极以及多个导电条状图案。每一有源元件与其中一条扫描线以及其中一条数据线电 连接。每一像素电极与对其中一个有源元件电连接。每一导电条状图案位于其中一条数据 线的上方且与数据线电连接，其中所述导电条状图案的线宽大于或是等于所述数据线的线 宽，且导电条状图案与像素电极属于同一膜层。本专利技术提出一种显示面板，其包括第一基板、第二基板以及显示介质。第一基板包 括如上所述的像素阵列。第二基板位于第一基板的对向。显示介质位于第一基板与第二基 板之间。基于上述，本专利技术在数据线上方设置导电条状图案，且导电条状图案与数据线电 连接。由于导电条状图案与像素电极属于同一膜层，且像素电极除了与两侧的数据线产生 耦合电容之外也会与数据线上方的导电条状图案产生耦合电容。因此，像素电极两侧的耦 合电容的差异值可以降低，进而以减轻显示面板的V形串音效应(v-cross-talk)。 为让本专利技术的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附附图 作详细说明如下。附图说明图1是根据本专利技术一实施例的像素阵列的上视示意图图2是图1沿着剖面线A-A’的剖面示意图3是根据本专利技术一实施例的像素阵列的上视示意图图4是图3沿着剖面线B-B’的剖面示意图5是根据本专利技术一实施例的显示面板的示意图。主要元件符号说明100 基板102，104 绝缘层SLl SL2 扫描线DLl DL3 数据线T1、T2 有源元件PEU ΡΕ2 像素电极G1、G2 栅极S1、S2 源极D1、D2 漏极Cl C3 接触窗Bl B3 导电条状图案dl、d2 距离SMU SM2 遮蔽图案10 第一基板20 第二基板12 像素阵列30 显示介质具体实施例方式图1是根据本专利技术一实施例的像素阵列的上视示意图。图2是图1沿着剖面线 A-A’的剖面示意图。请参照图1以及图2，本实施例的像素阵列包括多条数据线DLl DL3、 多条扫描线SLl SL2、多个有源元件Tl，T2、多个像素电极PE1，PE2以及多个导电条状图 案Bl B3。一般来说，像素阵列是由多个像素结构所构成。为了详细说明本实施例，图1 的像素阵列仅绘示出其中两个像素结构。实际上，像素阵列是由多个阵列排列的像素结构 所构成。扫描线SLl SL2与数据线DLl DL3设置于基板100上。扫描线SLl SL2与 数据线DLl DL3彼此交错设置，且扫描线SLl SL2与数据线DLl DL3之间夹有绝缘 层102。换言之，数据线DLl DL3的延伸方向与扫描线SL1、SL2的延伸方向不平行，较佳 的是，数据线DLl DL3的延伸方向与扫描线SLl SL2的延伸方向垂直。另外，扫描线5CN 102122655 A SLl SL2与数据线DLl DL3属于不同的膜层。基于导电性的考量，扫描线SLl SL2 与数据线DLl DL3 —般是使用金属材料。然，本专利技术不限于此，根据其他实施例，扫描线 SLl SL2与数据线DLl DL3也可以使用其他导电材料。例如合金、金属材料的氮化物、 金属材料的氧化物、金属材料的氮氧化物、或其它合适的材料)、或是金属材料与其它导材 料的堆叠层。有源元件Tl，T2分别与扫描线SLl SL2的其中一条以及数据线DLl DL3的其 中一条电连接。更详细来说，有源元件Tl包括栅极G1、源极Sl以及漏极D1。栅极Gl与扫 描线SLl电连接。源极Sl与数据线DLl电连接。有源元件T2包括栅极G2、源极S2以及漏 极D2。栅极G2与扫描线SL电连接。源极S2与数据线DL2电连接。上述的有源元件Tl， T2可以是底部栅极型薄膜晶体管或是顶部栅极型薄膜晶体管。像素电极PEl与有源元件Tl电连接。像素电极PE2与有源元件T2电连接。更详 细来说，像素电极PEl与有源元件Tl的漏极Dl电连接。像素电极PE2与有源元件T2的漏 极D2电连接。像素电极PE1，PE2可为穿透式像素电极、反射式像素电极或是半穿透半反射 式像素电极。穿透式像素电极的材质包括金属氧化物，例如是铟锡氧化物、铟锌氧化物、铝 锡氧化物、铝锌氧化物、铟锗锌氧化物、或其它合适的氧化物、或者是上述至少二者的堆叠 层。反射式像素电极的材质包括具有高反射率的金属材料。在本实施例中，上述的像素电极PE1，PE2与数据线DLl DL3之间是不重叠的。值 得一提的是，一般来说，当于设计用来定义像素结构的像素电极PE1，PE2的光掩模与用来 定义数据线DLl DL3的光掩模时，会设计成使像素电极与其两侧的数据线之间的距离相 等。但，实际上，在制作工艺过程之中，因光掩模与膜层之间会存在某种程度的对位偏移，使 得最后所形成的像素电极与其两侧的数据线之间的距离无法如理想般的完全相等。因此， 通常像素电极与其两侧的数据线之间的距离不完全一致。举例而言，以图1为例，像素电极 PEl与其两侧的数据线DL1，DL2之间具有第一距离dl以及第二距离d2，一般来说第一距离 dl不等于第二距离d2。而由于像素电极PEl与其两侧的数据线DL1，DL2之间的第一距离 dl与第二距离d2不相同，因此像素电极PEl与其两侧的数据线DLl，DL2之间的耦合电容 也就不相同。为了降低像素电极与其两侧的数据线之间的耦合电容的差异值，本实施例在 数据线上设置了导电条状图案，如下所述。导电条状图案Bl B3分别位于数据线DLl DL3的上方且分别与对应的数据线 DLl DL3电连接。在本实施例中，数据本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种像素结构，包括：扫描线以及数据线；有源元件，其与该扫描线以及该数据线电连接；像素电极，其与该有源元件电连接；以及导电条状图案，位于该数据线的上方且与该数据线电连接，其中该导电条状图案的线宽大于或是等于该数据线的线宽，且该导电条状图案与像素电极属于同一膜层。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：徐雅玲，奚鹏博，侯鸿龙，
申请(专利权)人：友达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71