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本发明提供一种半导体元件及半导体元件的制造方法，其抑制寄生元件所产生的影响，并且能够防止导通电压增大。在n-型的漂移区域(1)的表面层设有p型的基极区域(2)。在半导体基板的表面上设有贯通基极区域(2)且到达漂移区域1的沟槽(3)。在沟槽(...
该专利属于富士电机系统株式会社;株式会社电装所有，仅供学习研究参考，未经过富士电机系统株式会社;株式会社电装授权不得商用。

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