白光的产生方法以及白光发光二极管装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种白光的产生方法及白光发光二极管装置，该方法包含利用半导体发光组件发出第一波长光线；接着利用一部分的第一波长光线激发出发红光荧光粉体，以产生第二波长光线，以及利用另一部分的第一光线激发出发绿光的荧光粉体，以产生第三波长光线，上述的发红光的荧光粉体与发绿光荧光粉体皆为氮氧化物；其后混合第一波长光线、第二波长光线与第三波长光线，以产生白光。本发明专利技术的优点是：通过本发明专利技术的白光的产生方法，以及本发明专利技术简单且有效率的白光发光二极管装置，可以发出各种固定色温的白光。

Method for producing white light and white light emitting diode device

White light generating method and the present invention relates to a white light-emitting diode device, the method includes the use of semiconductor light emitting assembly emits a first wavelength of light; the first part of the excitation wavelength of light red fluorescent powder, to produce second wavelengths of light, and the other part of the first light excitation of green fluorescent powder. In order to produce third wavelengths of light, fluorescent powder of the red light and green light fluorescent powder are nitrogen oxides; then mixing the first wavelength light, second wavelength light rays and third wavelengths to generate white light. The invention has the advantages that the white light emitting diode device of the invention has simple and efficient white light emitting diode device and can emit various fixed color temperature white light.

【技术实现步骤摘要】

本专利技术有关一种发光二极管装置(lightemitted diode device, LED device), 且特别是有关一种白光发光二极管装置。
技术介绍
发光二极管是一种半导体组件，在施加正向电压时，可通过电致发光效应而发出 单色、不连续的光线。随着半导体材料的化学组成不同，发光二极管可发出近紫外线、可见 光、或红外线等各种波长范围的光线。早期发光二极管多运用于指示灯、显示板等显示装置。随着半导体技术的进展，目 前已发展出多种高亮度、高质量的发光二极管装置。同时，白光发光二极管装置也被广泛地 运用于显示、照明以及其它相关领域中。相较于传统光源，白光发光二极管装置具有低耗能、效率高、寿命长、不易破损等 优点，因此白光发光二极管装置被认为是21世纪的新型光源，可望取代如白炽灯和荧光灯 等传统光源，而成为主要的显示/照明装置。利用白光发光二极管装置作为照明光源时，使用者往往会因情境以及地域的不 同，而偏好特定色温的白光。例如，温带地区的消费者可能偏好暖白色系(色温低于约 3000K)；而热带地区的消费者则可能较偏好冷白色系(色温高于约5000K)。因此，相关领域中亟需提出一种简单且有效率的白光发光二极管装置，以发出各 种固定色温的白光。
技术实现思路
因此，本专利技术的目的就是提供一种白光的产生方法及白光发光二极管装置，用以 达到包括暖白、冷白等色温区块的所有白光色温区。根据本专利技术一方面提供一种白光的产生方法其特点是，包含利用一半导体发光 组件发出一第一光线；利用该第一光线激发一发红光荧光粉体，以产生一第二光线；利用 该第一光线激发一发绿光荧光粉体，以产生一第三光线，其中该发红光荧光粉体与该发绿 光荧光粉体皆为氮氧化物；以及混合该第一光线、该第二光线与该第三光线，以产生白光。根据本专利技术另一方面提供一种白光发光二极管装置，其特点是，包含一基板；一 半导体发光组件，固着于该基板上；一封装胶体，包覆该半导体发光组件；一发红光荧光粉 体，混合于该封装胶体中；以及一发绿光荧光粉体，混合于该封装胶体中，其中该发红光荧 光粉体与该发绿光荧光粉体皆为氮氧化物。在上述本专利技术方案中，该发红光荧光粉体的化学式为(Sri_xEuxa_y)Ybxy)O-SiO2, X与Y为介于0. 005-0. 15之间及0. 02-0. 2之间，且该发绿光荧光粉体之化学式为 MhSi2O2^2nXnN2 = Eua, M 为 Sr、Ba 或 Ca，而 a 与 η 则为分别介于 0. 005-0. 15,0. 02-0. 2 之间 的正整数，X为卤素(F、Cl、Br)。本专利技术的有益技术效果是通过本专利技术的白光的产生方法，以及本专利技术简单且有效率的白光发光二极管装置，可以发出各种固定色温的白光。 附图说明为让本专利技术的上述和其它目的、特征、优点与实施例能更明显易懂，下面将结合附 图对本专利技术的较佳实施例进行详细说明，其中图1绘示依照本专利技术一实施例的白光发光二极管装置的剖面图；图2A绘示图1的发红光荧光粉体的激发光谱图；图2B绘示图1的发绿光荧光粉体的激发光谱图；图3绘示图1的白光发光二极管装置在25°C发出的白光的色度图；图4绘示依照本专利技术另一实施例，一白光发光二极管装置在25°C发出的白光的色 度图。具体实施例方式图1绘示依照本专利技术一实施例的白光发光二极管装置100的剖面图。在图1中， 白光发光二极管装置100包含基板110、半导体发光组件120、封装胶体130、发红光荧光粉 体140、以及发绿光荧光粉体150。其中，半导体发光组件120固着于基板110上。封装胶 体130包覆半导体发光组件120。发红光荧光粉体140与发绿光荧光粉体150均混合于封 装胶体130中，且此两者皆为氮氧化物。使用时，半导体发光组件120将先发出第一波长光线。然后，一部分的第一波长光 线将激发出发发红光荧光粉体140，以产生第二波长光线；另一部分的第一波长光线则将 激发出发发绿光荧光粉体150，以产生第三波长光线。其后，混合上述的第一波长、第二波 长、及第三波长光线三者，使得白光发光二极管装置100产生白光。上述的半导体发光组件120的放射波长范围可为约360-480nm。上述的半导体发 光组件120可为III-V族化合物半导体，如GaNUnGaN等。举例来说，本实施例所使用的半 导体发光组件120为GaN，其放射波长范围为约450-470nm。图1的半导体发光组件120可利用芯片直接封装技术(chip on board, COB)而固 着于基板110上。此外，制造者亦可加装焊线160与焊垫165，以将半导体发光组件120电 性连接至基板110。上述的封装胶体130可包含硅胶、环氧树酯、紫外光胶或上述物质的组合。在本实 施例中，所用的封装胶体为硅胶。上述的发红光荧光粉体140可为铕金属活化的氮氧化物，其化学通式为 (SrhEux(H)Ybxy)O-SiO2，其中χ与y为介于0. 005-0. 15之间的正整数。在本实施例中，所 用的发红光荧光粉体140为(Sri_xEux(1_y)Ybxy)0-Si02(化学式)，其激发光谱图如图2A所绘 示。具体而言，本实施例的发红光荧光粉体140的放射波长为约570-600nm，且其可受激发 波长为约300-500nm。上述的发绿光荧光粉体150可为铕金属活化的氮氧化物，其化学通式为 MhSi2O2W2nXnN2 = Eua，其中 M为 Sr、Ba、或Ca，而a与η则为分别介于0. 005-0. 15,0. 02-0. 2之 间的正整数。在本实施例中，所用的发绿光荧光粉体150为MhSi2O2^2nXnN2:Eua(化学式)， 其激发光谱图如图2Β所绘示。具体而言，本实施例的发绿光荧光粉体150的放射波长为约530-550nm,且其可受激发波长为约300-500nm。由于本专利技术上述实施例所运用的发红光荧光粉体140及发绿光荧光粉体150具有 较大范围的可受激发波长，因此可搭配更多样化的第一光线(例如紫外光)来达到白光， 而无须仅限于蓝光。再者，由于发红光荧光粉体140及发绿光荧光粉体150皆为氮氧化物， 因此二者可以混合得十分均勻，不易产生混色不均的现象。实验例1以下将揭露本专利技术实验例1的实验数据，借此说明本专利技术上述实施例的发红光荧 光粉体与发绿光荧光粉体，确实能在不同温度的情况下保持相对稳定的发光效率。应了解 到，在以下叙述中，已经在上述实施例中提到的参数将不再重复赘述，仅就需进一步界定的 加以补充，在此先予以说明。表一各荧光粉体的成分及使用量权利要求1.一种白光的产生方法，其特征在于，包含利用一半导体发光组件发出一第一光线；利用该第一光线激发一发红光荧光粉体，以产生一第二光线；利用该第一光线激发一发绿光荧光粉体，以产生一第三光线，其中该发红光荧光粉体 是硅酸盐荧光粉，该发绿光荧光粉体是氮氧化物；以及混合该第一光线、该第二光线与该第三光线，以产生白光。2.根据权利要求1所述的白光的产生方法，其特征在于，该发红光荧光粉体的化学式 为(SivxEux(H)Ybxy)O-SiC^x与y介于0. 005-0. 15之间及0. 02-0. 2之间，且该发绿光荧光 粉体的化学式为MhSi2O2^2nXnN2 = EuaJ为Sr、Ba或Ca本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种白光的产生方法，其特征在于，包含：利用一半导体发光组件发出一第一光线；利用该第一光线激发一发红光荧光粉体，以产生一第二光线；利用该第一光线激发一发绿光荧光粉体，以产生一第三光线，其中该发红光荧光粉体是硅酸盐荧光粉，该发绿光荧光粉体是氮氧化物；以及混合该第一光线、该第二光线与该第三光线，以产生白光。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：杨智杰，林治民，陈怡蓉，
申请(专利权)人：亿光电子工业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]