【技术实现步骤摘要】
发光装置及包括其的发光模块
[0001]本技术涉及一种发光装置及包括其的发光模块,更具体而言,涉及一种包括光型调整结构的发光装置及包括其的发光模块。
技术介绍
[0002]在显示装置不断朝向薄型化发展的产业趋势中,应用于这些显示装置的发光装置亦有相应的微型化需求。就现今而言,发光二极管(Light
‑
Emitting Diode,LED)芯片因为具有较小的元件尺寸、高效率、高亮度、高可靠度及较短的反应时间等特性,已被广泛用于上述发光装置中。
[0003]请参阅图1A、图1B及图2。图1A为现有技术的发光装置的剖面示意图;图1B为现有技术的发光装置的光型示意图;而图2为现有技术的发光模块的剖面示意图。如图1A所示,一般而言,发光装置L
’
包括载体1
’
、设置于载体1
’
上的发光二极管芯片2
’
、及覆盖该发光二极管芯片的封装体3
’
,而由发光二极管芯片2
’
发射的光束通过封装体3
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【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种发光装置,其特征在于,包括:载体,其具有载体上表面,且所述载体上表面包括至少一导电图案;发光二极管芯片,其设置于所述载体上表面,并与所述至少一导电图案电性连接,其中,所述发光二极管芯片具有与所述载体上表面平行的发光二极管芯片出光面;封装体,其覆盖所述发光二极管芯片及部分的所述载体上表面;以及光型调整结构,其设置于所述封装体上,其中,所述光型调整结构于所述载体上表面的投影区域与所述发光二极管芯片于所述载体上表面的投影区域至少部分重叠,且所述光型调整结构用以允许所述发光二极管芯片出光面射出之正向光束部分穿透且部分反射。2.根据权利要求1所述的发光装置,其特征在于,所述光型调整结构是通过激光蚀刻而形成于所述封装体上的消光层。3.根据权利要求2所述的发光装置,其特征在于,所述消光层于所述载体上表面的投影区域及所述发光二极管芯片于所述载体上表面的投影区域皆呈矩形,且所述矩形的各自的长轴是彼此垂直,且所述多个矩形的各自中心点位置大致重叠。4.根据权利要求1所述的发光装置,其特征在于,所述光型调整结构是通过点胶而形成于所述封装体上的消光胶体。5.根据权利要求4所述的发光装置,其特征在于,所述消光胶体于所述载体上表面的投影区域大于或等于所述发光二极管芯片于所述载体上表面的投影区域。6.根据权利要求5所述的发光装置,其特征在于,还进一步包括凸胶层,其中,所述凸胶层覆盖所述消光胶体及所述封装体。7.根据权利要求1所述的发光装置,其特征在于,还进一步包括分散式布拉格反射层,其设置于所述发光二极管芯片上。8.根据权利要求1所述的发光装置,其特征在于,还进一步包括反射墙体,其设置于所述载体上表面且围绕所述封装体的侧面。9.根据权利要求1所述的发光装置,其特征在于,还进一步包括透光墙体,其设置于所述载体上表面且围绕所述封装体的侧面,其中,所述封装体的折射率与所述透光墙体的折射率相异。10.一种发光模块,其特征在于,包括:电路基板;多如权利要求1所述的发光装置,其设置于所述电路基板上并与所述电路基板电性连接;透光保护层,其覆盖所述多个发光装置,其中,由所述发光装置射出的光束通过所述透光保护层并由所述透光保护层的一上表面射出;以及波长转换层,其用以接收由所述透光保护层上表面射出的光束,并使所接收的光束的波长转换为另一波长后,使所述光束由所述波长转换层射出。11.根据权利要求10所述的发光模块,其特征在于,所述透光保护层的折射率与所述封装体的折射率相异。12.根据权利要求11所述的发光模...
【专利技术属性】
技术研发人员:姜柏丞,赖仁雄,曾子伦,
申请(专利权)人:亿光电子工业股份有限公司,
类型:新型
国别省市:
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