红外线荧光粉、包含其的荧光粉复合材料与发光装置、以及荧光粉复合材料的制备方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种荧光粉，其是由以下通式(I)所表示：Ga

Infrared phosphor, phosphor composite material and luminous device containing the infrared phosphor, and preparation method of phosphor composite material

【技术实现步骤摘要】
红外线荧光粉、包含其的荧光粉复合材料与发光装置、以及荧光粉复合材料的制备方法
本专利技术涉及一种荧光粉，特别是一种以Ga2O3为主体的荧光粉。本专利技术也涉及一种红外线荧光粉、包含荧光粉的荧光粉复合材料、包含其的荧光粉复合材料的发光装置、以及荧光粉复合材料的制备方法。
技术介绍
随着半导体技术的发展，对于发光二极管(light-emittingdiode，LED)进入到了微型发光二极管(micro-LED)与次毫米发光二极管(mini-LED)的研究。micro-LED是将传统LED的芯片单元尺寸微缩至小于100微米，mini-LED则是指芯片单元尺寸在100微米到200微米之间，micro-LED与mini-LED不仅具有高效率、高亮度、高可靠度及反应时间快等特点，更具有体积小、轻薄、节能等特点。然而，随着micro-LED与mini-LED的发展，芯片单元尺寸不断微缩，使得使用荧光粉作为发光中心的LED(phosphor-convertedLED，pc-LED)的荧光粉材料尺寸面临瓶颈，因为通过高温烧结的多数荧光粉颗粒都属于微米等级本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种荧光粉，其是由以下通式(I)所表示：/nGa

【技术特征摘要】
20190426 US 62/839,0991.一种荧光粉，其是由以下通式(I)所表示：
Ga2-x-yO3:xCr3+,ySn4+通式(I)，
其中0<x≤0.1且0≤y≤0.1。


2.根据权利要求1所述的荧光粉，其中0<y≤0.1。


3.一种荧光粉复合材料，其包含载体及位于所述载体表面的如权利要求1所述的荧光粉，其中上述载体是中孔洞氧化物纳米粒子。


4.根据权利要求3所述的荧光粉复合材料，其中所述载体是选自以下群组：中孔洞二氧化硅纳米粒子、中孔洞二氧化钛纳米粒子、中孔洞氧化锌纳米粒子、及其组合。


5.根据权利要求3所述的荧光粉复合材料，其中所述荧光粉复合材料的颗粒直径小于200纳米。


6.一种如权利要求3至5中任一项所述的荧光粉复合材料的制备方法，其包含以下步骤：
基于通式(I)的元素比例，以化学计量比...

【专利技术属性】
技术研发人员：李恬音，黄文泽，郑巧翎，包真，刘如熹，杨佳伟，吕侊懋，康桀侑，林治民，
申请(专利权)人：亿光电子工业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71