本实用新型专利技术提供了一种光电子半导体装置和电子设备，涉及光电子半导体装置技术领域，以解决现有光电子半导体装置易发生串扰的技术问题。该光电子半导体装置包括电路板、发光元件和感测元件，发光元件和感测元件分别设置在电路板的不同位置上，发光元件和感测元件分别与电路板的不同电路电性连接。感测元件接收待检测体反射的发光元件发射的光线。电路板上设置有封装体，封装体覆盖发光元件和感测元件。封装体内设置有阻挡结构，阻挡结构位于发光元件和感测元件之间。发光元件和感测元件之间具有间隙。本实用新型专利技术能够降低光电子半导体装置的串扰，提高光电子半导体装置和电子设备的使用稳定性。的使用稳定性。的使用稳定性。
【技术实现步骤摘要】
光电子半导体装置和电子设备
[0001]本技术涉及光电子半导体
，尤其涉及一种用于环境光和距离感测的光电子半导体装置和电子设备。
技术介绍
[0002]时下的终端电子设备，尤其是各种便携终端，通常都具备随光线进行自动调节的功能，这种随光线自动调节的功能主要通过环境光和距离感测模组来实现，环境光和距离感测模组用来感测周围环境光以及待测物距离。
[0003]环境光和距离感测模组是一种光电子半导体装置，该光电子半导体装置包括壳体、发射光线的半导体芯片和探测光线的半导体芯片，壳体围成第一腔体和第二腔体，发射光线的半导体芯片和探测光线的半导体芯片分别位于第一腔体和第二腔体内，壳体在发射光线的半导体芯片和探测光线的半导体芯片之间形成挡墙，挡墙用于降低两个半导体芯片之间的串扰。随着电子产品朝向多功能性和微型化发展，光电子半导体装置的尺寸不断缩小。
[0004]然而，由于挡墙的尺寸会随着光电子半导体装置的尺寸一同缩小且减薄，使得发射光线的半导体芯片所发射的光线容易穿透挡墙，而让探测光线的半导体芯片产生误侦测，导致光电子半导体装置易发生串扰(Crosstalk)。
技术实现思路
[0005]为了解决
技术介绍
中提到的至少一个问题，本技术提供一种光电子半导体装置和电子设备，能够降低光电子半导体装置的串扰，提高光电子半导体装置和电子设备的使用稳定性。
[0006]为了实现上述目的，第一方面，本技术提供了一种光电子半导体装置，包括电路板、发光元件和感测元件，发光元件和感测元件分别设置在电路板的不同位置上，发光元件和感测元件分别与电路板的不同电路电性连接。
[0007]感测元件接收待检测体反射的发光元件发射的光线。
[0008]电路板上设置有封装体，封装体覆盖发光元件和感测元件。
[0009]封装体内设置有阻挡结构，阻挡结构位于发光元件和感测元件之间。
[0010]发光元件和感测元件之间具有间隙，间隙内的光传输介质的光折射率小于封装体的光折射率。
[0011]本技术提供的光电子半导体装置，通过设置发光元件和感测元件，使发光元件发出光线，光线可以照射在待检测体，待检测体然后将该光线反射，感测元件接收反射后的光线，这样可以根据发射和接收的时间差用于检测待检测体的距离。通过设置阻挡结构，可以使阻挡结构吸收发光元件发射的部分光线，防止发光元件沿侧向方向发射的光线直接被感测元件接收造成串扰。通过设置间隙，可以使大部分由发光元件沿侧向方向发射的光线经过间隙后被折射出去，降低光线发射后向感测元件直接传播的总量，降低光电子半导
体装置的串扰，提高光电子半导体装置的使用稳定性。
[0012]在上述的光电子半导体装置中，可选的是，间隙包括相对的第一端和第二端，第一端远离电路板，第二端靠近电路板。
[0013]在上述的光电子半导体装置中，可选的是，间隙数量为一个，间隙位于阻挡结构和发光元件之间的封装体上。
[0014]在上述的光电子半导体装置中，可选的是，间隙为两个，两个间隙中的一个位于感测元件和阻挡结构之间的封装体上，两个间隙中的另一个位于阻挡结构和发光元件之间的封装体上。
[0015]在上述的光电子半导体装置中，可选的是，第二端延伸至电路板，间隙贯穿封装体。
[0016]或，第二端位于封装体内，且第二端与电路板之间具有预设间距。
[0017]在上述的光电子半导体装置中，可选的是，两个间隙中的一个的第二端延伸至电路板，并贯穿封装体。
[0018]两个间隙中的另一个的第二端位于封装体内，且与电路板之间具有预设间距。
[0019]在上述的光电子半导体装置中，可选的是，间隙位于阻挡结构上，间隙的第二端延伸至电路板，并贯穿阻挡结构。
[0020]封装体包括覆盖感测元件的第一封装体和覆盖发光元件的第二封装体。
[0021]在上述的光电子半导体装置中，可选的是，间隙数量为一个，间隙分隔阻挡结构为两个子阻挡结构，两个子阻挡结构包括靠近感测元件的第一子阻挡结构和靠近发光元件的第二子阻挡结构。
[0022]第一子阻挡结构和第一封装体抵接，第二子阻挡结构和第二封装体抵接。
[0023]在上述的光电子半导体装置中，可选的是，间隙数量为N个，间隙分隔阻挡结构为间隔设置的N+1个子阻挡结构。
[0024]N个子阻挡结构中最靠近感测元件的一个与第一封装体抵接，N个子阻挡结构中的最靠近发光元件的一个与第二封装体抵接。
[0025]第二方面，本技术提供一种电子设备，包括上述的光电子半导体装置。
附图说明
[0026]为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作以简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0027]图1为本技术实施例一提供的第一种光电子半导体装置的结构的示意图；
[0028]图2A为本技术实施例一提供的第二种光电子半导体装置的第一种阻挡结构的示意图；
[0029]图2B为本技术实施例一提供的第二种光电子半导体装置的第二种阻挡结构的示意图；
[0030]图2C为本技术实施例一提供的第二种光电子半导体装置的第三种阻挡结构的示意图；
[0031]图2D为本技术实施例一提供的第二种光电子半导体装置的第四种阻挡结构的示意图；
[0032]图3A为本技术实施例一提供的第三种光电子半导体装置的第一种阻挡结构的示意图；
[0033]图3B为本技术实施例一提供的第三种光电子半导体装置的第二种阻挡结构的示意图；
[0034]图3C为本技术实施例一提供的第三种光电子半导体装置的第三种阻挡结构的示意图；
[0035]图3D为本技术实施例一提供的第三种光电子半导体装置的第四种阻挡结构的示意图；
[0036]图4A为本技术实施例一提供的第四种光电子半导体装置的第一种阻挡结构的示意图；
[0037]图4B为本技术实施例一提供的第四种光电子半导体装置的第二种阻挡结构的示意图；
[0038]图4C为本技术实施例一提供的第四种光电子半导体装置的第三种阻挡结构的示意图；
[0039]图4D为本技术实施例一提供的第四种光电子半导体装置的第四种阻挡结构的示意图；
[0040]图5为本技术实施例一提供的光电子半导体装置的制作工艺示意图；
[0041]图6A为本技术实施例二提供的第一种光电子半导体装置的俯视图；
[0042]图6B为本技术实施例二提供的第一种光电子半导体装置的侧视图；
[0043]图7A为本技术实施例二提供的第二种光电子半导体装置的俯视图；
[0044]图7B为本技术实施例二提供的第二种光电子半导体装置的侧视图；<本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种光电子半导体装置，其特征在于，包括电路板、发光元件和感测元件，所述发光元件和感测元件分别设置在所述电路板的不同位置上，所述发光元件和所述感测元件分别与所述电路板的不同电路电性连接；所述感测元件接收待检测体反射的所述发光元件发射的光线；所述电路板上设置有封装体，所述封装体覆盖所述发光元件和所述感测元件；所述封装体内设置有阻挡结构，所述阻挡结构位于所述发光元件和所述感测元件之间；所述发光元件和所述感测元件之间具有间隙，所述间隙内的光传输介质的光折射率小于所述封装体的光折射率。2.根据权利要求1所述的光电子半导体装置，其特征在于，所述间隙包括相对的第一端和第二端，所述第一端远离所述电路板，所述第二端靠近所述电路板。3.根据权利要求2所述的光电子半导体装置，其特征在于，所述间隙数量为一个，所述间隙位于所述阻挡结构和所述发光元件之间的所述封装体上。4.根据权利要求2所述的光电子半导体装置，其特征在于，所述间隙为两个，两个所述间隙中的一个位于所述感测元件和所述阻挡结构之间的所述封装体上，两个所述间隙中的另一个位于所述阻挡结构和所述发光元件之间的所述封装体上。5.根据权利要求3或4所述的光电子半导体装置，其特征在于，所述第二端延伸至所述电路板，所述间隙贯穿所述封装体；或，所述第二端位于所述封装体内，且所述第二端...
【专利技术属性】
技术研发人员：李致纬，蓝哲维，李玮恩，刘恩铨，许莉绢，黄昱智，陈章源，
申请(专利权)人：亿光电子工业股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。