用于显示器下指纹和手势传感器的具有半导体活性层的光检测器制造技术

在各个方面，本公开提供了可以以阵列提供的光检测器设备。该光检测器包括第一电极、第二电极、以及设置在第一电极与第二电极之间的光活性层组件。该光活性层组件包括第一电荷传输层、第二电荷传输层、以及基本上无掺杂的并且为设置在第一电荷传输层与第二电荷传输层之间的基本上无掺杂的非晶硅(a

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于显示器下指纹和手势传感器的具有半导体活性层的光检测器


[0001]本公开涉及采用可以被沉积在大面积上方的半导体活性材料(例如非晶硅(a
‑
Si))的光检测器设备(光电探测器设备，photodetector device)，所述光检测器设备用于在显示器和触摸屏设备中使用，例如，作为显示器下指纹传感器(under
‑
display fingerprint sensors)和手势传感器。

技术介绍

[0002]本部分提供与本公开有关的、不一定是现有技术的背景信息。
[0003]显示器下或屏下光学指纹传感器正在取代移动设备和触摸屏显示器中的传统电容式触摸传感器，以提供额外的前屏空间来实现全屏显示。此前，晶体硅(Si)系的互补金属氧化物半导体(complementary metal
‑
oxide
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semiconductor，CMOS)光检测器已经被开发用于光学屏下指纹识别。然而，传统的显示器面板结合了非晶硅(a
‑
Si)或低温多晶硅作为用于背板控制电路本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种光检测器设备，所述光检测器设备包含：第一电极；第二电极；以及光活性层组件，所述光活性层组件设置在所述第一电极与所述第二电极之间，其中所述光活性层组件包含第一电荷传输层、第二电荷传输层和基本上无掺杂的半导体层，所述半导体层设置在所述第一电荷传输层与所述第二电荷传输层之间，其中所述光检测器设备具有在0至
‑
5V的电压偏置下测量的、大于或等于约102的光电流与暗电流的比值。2.根据权利要求1所述的光检测器设备，其中，所述第一电极或所述第二电极中的至少一个对于预定波长范围内的光是透明的。3.根据权利要求1所述的光检测器设备，其中，所述半导体层包含选自由以下组成的组的半导体材料：非晶硅(a
‑
Si)、多晶硅、有机铅卤化物钙钛矿半导体、有机半导体、量子点、氧化物半导体、二维半导体及其组合。4.根据权利要求1所述的光检测器设备，其中，所述光检测器设备限定暴露至外部环境的、为不透明的第一表面，并且所述第一电极包含选自由以下组成的组的材料：银(Ag)、铝(Al)、镍(Ni)、铜(Cu)、钼(Mo)、钯(Pd)及其组合。5.根据权利要求4所述的光检测器设备，其中，所述第一电极为阳极，所述阳极包含选自由以下组成的组的材料：银(Ag)、镍(Ni)、钼(Mo)、以及其合金和其组合。6.根据权利要求1所述的光检测器设备，其中，所述第一电极对于预定波长范围内的光是透明的，其中所述第一电极包含选自由以下组成的组的材料：铟锡氧化物(ITO)、掺杂氟的锡氧化物(FTO)、锌锡氧化物(ZTO)、氧化锌(ZnO)、铝锌氧化物(AZO)、或铟锌氧化物(IZO)、及其组合。7.根据权利要求1所述的光检测器设备，其中，所述第一电极对于预定波长范围内的光是透明的，并且所述第一电极包含设置在第一金属氧化物层与第二金属氧化物层之间的、含银(Ag)的超薄层，其中所述第二金属氧化物层是作为空穴传输层的所述第一电荷传输层。8.根据权利要求1所述的光检测器设备，其中，所述第一电极是阳极并且所述第二电极是阴极，其中所述第一电荷传输层是设置在所述阳极与所述半导体层之间的空穴传输层，并且所述第二电荷传输层是设置在所述半导体层与所述阴极之间的电子传输层。9.根据权利要求8所述的光检测器设备，其中，所述空穴传输层和所述电子传输层独立地包含金属氧化物。10.根据权利要求8所述的光检测器设备，其中，所述空穴传输层包含金属氧化物并且所述电子传输层包含有机材料。11.根据权利要求8所述的光检测器设备，其中，所述空穴传输层包含选自由以下组成的组的金属氧化物：钒氧化物(VO
x
)、钼氧化物(MoO
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【专利技术属性】
技术研发人员：郭凌杰，崔晴宇，
申请(专利权)人：密歇根大学董事会，
类型：发明
国别省市：