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一种用于纳米CMOS电路结构的I/O引脚分配方法组成比例

技术编号:6028077 阅读:366 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术公开了一种用于纳米CMOS电路结构的I/O引脚分配方法,优点在于本发明专利技术提出的方法可有效解决纳米CMOS电路I/O引脚分配连通域有限的情况,为电路整体分配降低了复杂度。通过分析输入引脚I的扇出度,当其大于某一阈值,则通过逻辑复制以扩大连通域;分析输出引脚O的扇入度,当其大于某一阈值,则通过插入一对反相器组将连通域扩大,从而缓解了电路中I/O引脚高扇出/扇入所带来的分配难度。通过实例验证,本发明专利技术的方法能有效解决纳米CMOS电路结构的I/O引脚分配难的问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种纳米CMOS电路结构的自动化设计方法,尤其是涉及一种用于纳 米CMOS电路结构的I/O引脚分配方法。
技术介绍
目前硅基集成电路大规模生产技术已经达到0. 09、. 065微米工艺,进一步将达 到0. 045微米甚至达到纳米级。随着集成电路线宽的进一步缩小,硅基微电子技术将遇到 许多难以克服的挑战(1)通过光刻工艺控制线宽难度剧增,已经远远超出了当今制造水 平,使得开发相应工具的制造成本暴涨。( 量子效应使得连线之间的串扰日益严重,阻 碍了信号的完整性。由于这些原因,硅基微电子技术将没有办法满足人类对信息量不断增 长的需求,从而有研究人士预言摩尔定律时代即将终结,后CMOS时代即将到来,找寻硅基 CMOS芯片的替代品已是当务之急。美国Mony Brook大学LiWiarev等提出的结合纳米技术和传统CMOS工艺的 CMOS/纳米线/分子混合(Cmos / nanowire / MOLecular hybrid, CM0L)电路结构引起研 究者们的广泛关注,被认为是最有前途的CMOS替代技术之一。CMOL电路结构是利用MOS 管丰富的逻辑功能和纳米线的高密度结合在一本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于纳米CMOS电路结构的I/O引脚分配方法,其特征在于包括以下步骤:步骤①:定义电路网表包含I/O引脚、逻辑门单元以及互连线;取一个基于或非门的输入电路网表,将该输入电路网表中的I引脚和O引脚分别保存到集合,中,总的I/O引脚数目为,将该输入电路网表中的逻辑门单元保存到集合中,逻辑门单元数目为;步骤②:定义纳米CMOS电路结构为一个二维单元阵列,其大小为,横向坐标为,纵向坐标为,其中为一个纳米CMOS单元,即纳米CMOS单元数目;该二维单元阵列的最外围纳米CMOS单元为I/O引脚分配区域,该二维单元阵列的其余纳米CMOS单元为逻辑门单元分配区域;分配规模大小的纳米CMOS电路阵列,使...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:夏银水储著飞王伦耀
申请(专利权)人:宁波大学
类型:发明
国别省市:97

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