【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种纳米CMOS电路结构的自动化设计方法,尤其是涉及一种用于纳 米CMOS电路结构的I/O引脚分配方法。
技术介绍
目前硅基集成电路大规模生产技术已经达到0. 09、. 065微米工艺,进一步将达 到0. 045微米甚至达到纳米级。随着集成电路线宽的进一步缩小,硅基微电子技术将遇到 许多难以克服的挑战(1)通过光刻工艺控制线宽难度剧增,已经远远超出了当今制造水 平,使得开发相应工具的制造成本暴涨。( 量子效应使得连线之间的串扰日益严重,阻 碍了信号的完整性。由于这些原因,硅基微电子技术将没有办法满足人类对信息量不断增 长的需求,从而有研究人士预言摩尔定律时代即将终结,后CMOS时代即将到来,找寻硅基 CMOS芯片的替代品已是当务之急。美国Mony Brook大学LiWiarev等提出的结合纳米技术和传统CMOS工艺的 CMOS/纳米线/分子混合(Cmos / nanowire / MOLecular hybrid, CM0L)电路结构引起研 究者们的广泛关注,被认为是最有前途的CMOS替代技术之一。CMOL电路结构是利用MOS 管丰富的逻辑功能和纳 ...
【技术保护点】
1.一种用于纳米CMOS电路结构的I/O引脚分配方法,其特征在于包括以下步骤:步骤①:定义电路网表包含I/O引脚、逻辑门单元以及互连线;取一个基于或非门的输入电路网表,将该输入电路网表中的I引脚和O引脚分别保存到集合,中,总的I/O引脚数目为,将该输入电路网表中的逻辑门单元保存到集合中,逻辑门单元数目为;步骤②:定义纳米CMOS电路结构为一个二维单元阵列,其大小为,横向坐标为,纵向坐标为,其中为一个纳米CMOS单元,即纳米CMOS单元数目;该二维单元阵列的最外围纳米CMOS单元为I/O引脚分配区域,该二维单元阵列的其余纳米CMOS单元为逻辑门单元分配区域;分配规模大小的纳米 ...
【技术特征摘要】
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