【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及发光二极管的制造方法，特别是涉及利用牺牲层转换发光二极管的基 板的方法。
技术介绍
发光二极管的外延薄膜通常是成长于GaAs基板上。由于GaAs基板会吸光，为了 改善发光效率，已知的作法会在外延薄膜成长后，将合适的基板与外延薄膜的另一面贴合。 之后，再用蚀刻方式将GaAs基板溶解。然而，溶解可再被利用的GaAs基板是相当浪费的作 法，而且溶解后所残留的As很容易造成环境的污染。
技术实现思路
本专利技术提供可使成长基板保留而重复使用的发光二极管制作方法。于实施例，本专利技术提供一种，包含提供成长基板，依序形成 牺牲层及外延层于成长基板上；形成多个外延层开口穿透外延层而露出牺牲层；形成支撑 层于外延层上，支撑层具有一或数个支撑层开口穿透支撑层而连通一或数个外延层开口 ； 及选择性蚀刻牺牲层而使成长基板脱离外延层。于另一实施例，本专利技术提供一种，包含提供成长基板，具有 一或数个基板开口穿透成长基板；形成牺牲层于成长基板上；形成外延层于牺牲层上，外 延层具有一或数个外延层开口穿透外延层；提供承接基板与外延层相接；以及选择性蚀刻 牺牲层而使成长基板脱离外延层...
【技术保护点】
１．一种发光二极管的形成方法，包含：提供成长基板，依序形成牺牲层及外延层于该成长基板上；形成一或数个外延层开口穿透该外延层而露出该牺牲层；提供支撑层，该支撑层具有一或数个支撑层开口；使该外延层开口中至少其一与该支撑层开口中至少其一相连通；及削减该牺牲层的体积以使该成长基板脱离该外延层。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：陈怡名，徐子杰，陈吉兴，王心盈，
申请(专利权)人：晶元光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]
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