发光二极管的形成方法技术

一种发光二极管的形成方法，包含提供成长基板，依序形成牺牲层及外延层于成长基板上；形成一或数个外延层开口穿透外延层而露出牺牲层；形成支撑层于外延层上，支撑层具有一或数个支撑层开口穿透支撑层而连通多个外延层开口；及选择性蚀刻牺牲层而使成长基板脱离外延层。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及发光二极管的制造方法，特别是涉及利用牺牲层转换发光二极管的基 板的方法。
技术介绍
发光二极管的外延薄膜通常是成长于GaAs基板上。由于GaAs基板会吸光，为了 改善发光效率，已知的作法会在外延薄膜成长后，将合适的基板与外延薄膜的另一面贴合。 之后，再用蚀刻方式将GaAs基板溶解。然而，溶解可再被利用的GaAs基板是相当浪费的作 法，而且溶解后所残留的As很容易造成环境的污染。
技术实现思路
本专利技术提供可使成长基板保留而重复使用的发光二极管制作方法。于实施例，本专利技术提供一种，包含提供成长基板，依序形成 牺牲层及外延层于成长基板上；形成多个外延层开口穿透外延层而露出牺牲层；形成支撑 层于外延层上，支撑层具有一或数个支撑层开口穿透支撑层而连通一或数个外延层开口 ； 及选择性蚀刻牺牲层而使成长基板脱离外延层。于另一实施例，本专利技术提供一种，包含提供成长基板，具有 一或数个基板开口穿透成长基板；形成牺牲层于成长基板上；形成外延层于牺牲层上，外 延层具有一或数个外延层开口穿透外延层；提供承接基板与外延层相接；以及选择性蚀刻 牺牲层而使成长基板脱离外延层。于更另一实施例，本专利技术提供一种，包含提供成长基板，依 序成长牺牲层及外延层于成长基板上；提供支撑基板，支撑基板具有正面及背面，背面形成 一或数个凹槽；将支撑基板的背面接合于外延层；从正面移除支撑基板的一部分以暴露至 少一凹槽，并形成一或数个支撑基板开口穿透该支撑基板；以支撑基板为掩模，蚀刻外延层 以形成一或数个外延层开口穿透外延层而露出牺牲层；及选择性蚀刻牺牲层而使成长基板 脱离外延层。于再另一实施例，本专利技术提供一种，包含提供成长基板，依 序成长牺牲层及外延层于成长基板上；提供支撑基板并使支撑基板与暂时基板接合；形成 一或数个支撑基板开口穿透支撑基板；将支撑基板接合于外延层；移除暂时基板；以支撑 基板为掩模，蚀刻外延层以形成一或数个外延层开口穿透外延层而露出牺牲层；及选择性 蚀刻牺牲层而使成长基板脱离外延层。于再更另一实施例，本专利技术提供一种，包含提供成长基板， 依序成长牺牲层及外延层于成长基板上；提供支撑基板；形成一或数个支撑基板开口穿透 支撑基板；将支撑基板接合于外延层；以支撑基板为掩模，蚀刻该外延层以形成一或数个 外延层开口穿透外延层而露出牺牲层；及选择性蚀刻牺牲层而使成长基板脱离外延层。本专利技术尚包含其他方面以解决其他问题并合并上述的各方面详细披露于以下实施方式中。附图说明图IA及1A’至图IE及1E’显示依据本专利技术实施例的发光二极管190制作过程中 各步骤的剖面图与俯视图。图2A及2A，至图2D及2D，显示依据本专利技术实施例的发光二极管290制作过程中各步骤的剖面图与俯视图。图3A及3A，至图3F及3F，显示依据本专利技术实施例发光二二极,f 390制作过程中各步骤的剖面图与俯视图。图4A及4A，至图4E及4E，显示依据本专利技术实施例发光二二极,f 490制作过程中各步骤的剖面图与俯视图。图5A及5A’至图5E及5E’显示依据本专利技术实施例发光二二极,f 590制作过程中各步骤的剖面图与俯视图。附图标记说明100，200，300，400，500 成长基板201 基板开口202 成长基板部分120,220,320,420,520牺牲层221牺牲层开口222牺牲层部分140，240，340，440，540外延层 咎190，290，390，490发光二极S 141，141a,141b,141c，241，341，441，541外延层开口142，142a,142b,142c,242，342，442，542外延层部分150支撑层151支撑层开口152支撑层部分160,260承接基板350,450,550支撑基板352,452,552支撑基板部分350a,450a正面350b,450b背面5351，451，551凹槽，支撑基板开口470暂时基板具体实施例方式以下将参考附图示范本专利技术的优选实施例。附图中相似元件采用相同的元件符 号。应注意为清楚呈现本专利技术，附图中的各元件并非按照实物的比例绘制，而且为避免模糊 本专利技术的内容，以下说明亦省略已知的零组件、相关材料、及其相关处理技术。图IA及1A’至图IE及1E’显示依据本专利技术实施例的发光二极管190制作过程中 各步骤的剖面图与俯视图，其中图1A’至图1E’为俯视图，图IA至图IE为沿图1A’至图 1E，的线1-1，的剖面图。首先，参考图IA及1A，，提供成长基板100，依序成长牺牲层120及外延层140于 成长基板100上。成长基板100的组成元素可包含氮、铝、镓、砷、锌、硅、氧中至少其一，例 如n-型GaAs。外延层140为多层结构，其组成元素可包含氮、铝、镓、铟、砷、磷、硅、氧中至 少其一，且各层所含元素不以相同为必要，例如其可依序包含η-型GaAs下接触层、η-型 AlxGa1^xAs下包覆层、AlyGa1^yAs活性层、ρ-型AlzGi^zAs上包覆层及ρ-型GaAs上接触层， x，y及ζ分别介于0与1之间。外延层140的厚度可在1至100 μ m之间，但不此为限。于 本实施例中，牺牲层120与外延层140皆以外延方式形成。牺牲层120的组成元素可包含 铝、砷中至少其一，例如AlAs，此材料可使蚀刻剂，相对于成长基板100、外延层140及后续 将形成的支撑层，选择性地将牺牲层120侵蚀者。牺牲层120厚度优选在3000人与5000人 之间。此外，成长基板100的电性亦可为ρ-型，使用者当可依其需要任意组合搭配。参考图IB及1B’，图案化外延层140以形成一或数个外延层开口 141穿透外延层 140而露出底下的牺牲层120。形成多个外延层开口 141可有多个目的，譬如可以用来进行 每个发光二极管芯片的定位、或可作让蚀刻剂接触牺牲层120的孔洞。本专利技术于其他实施 例所制作的开口或凹槽，不限于外延层，亦可基于如上所述的目的。可使用黄光蚀刻技术完 成此步骤。多个外延层开口 141的位置可如图IB所示阵列式地排列、或随机地分布在外延 层140的表面。外延层开口 141的形状可为圆形、矩形、多边形、或其他合适形状，其大小则 依实作需求而定。于实施例中，图案化后，外延层开口 141四周的外延层142(即图案化后 剩余的外延层140)仍相互连接。举例而言，图1B’显示环绕开口 141a的外延层部分14 ； 环绕开口 141b的外延层部分142b ；环绕开口 141c的外延层部分142c。如图所示，外延层 部分142a、142b及142c —体地相互连接。换言之，图案化后剩余的外延层142呈现连续结 构，即其不会因为多个外延层开口 141的形成而有分立不相连的岛状部分。此外，应注意实 施例中虽例示穿透外延层140的外延层开口 141，然于其他实施例中外延层开口 141亦可部 分或完全穿过牺牲层120。详言之，在另一实施例，除形成外延层开口 141，也于牺牲层120 上形成牺牲层凹槽(未显示)以对应至少一外延层开口 141 ；又于再一实施例，除形成外延 层开口 141，也形成贯穿牺牲层120并对应至少一外延层开口 141的牺牲层开口(未显示)。参考图IC及1C，，形成支撑层150于具多个外延层开口 141的外延层140上。本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种发光二极管的形成方法，包含：提供成长基板，依序形成牺牲层及外延层于该成长基板上；形成一或数个外延层开口穿透该外延层而露出该牺牲层；提供支撑层，该支撑层具有一或数个支撑层开口；使该外延层开口中至少其一与该支撑层开口中至少其一相连通；及削减该牺牲层的体积以使该成长基板脱离该外延层。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陈怡名，徐子杰，陈吉兴，王心盈，
申请(专利权)人：晶元光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]