【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种发光元件及其制造方法，且特别是涉及一种发光二极管及其制造 方法。
技术介绍
由于发光二极管与传统灯泡比较具有绝对的优势，例如体积小、寿命长、低电压/ 电流驱动、不易破裂、发光时无显著的热问题、不含水银(没有污染问题)、发光效率佳(省 电)等特性，且近几年来发光二极管的发光效率不断提升，因此发光二极管在某些领域已 渐渐取代日光灯与白热灯泡，例如需要高速反应的扫描器灯源、液晶显示器的背光源或前 光源汽车的仪表板照明、交通号志灯以及一般的照明装置等。图1为已知发光二极管的剖面示意图。请参照图1，发光二极管100主要是由基底 110, N型半导体层120、电极122、发光层130、P型半导体层140以及电极142所构成。其 中，N型半导体层120、发光层130、P型半导体层140以及电极142是依序配置于基板110 上，且发光层130仅覆盖住部分的N型半导体层120，而电极122即是配置在未被发光层130 所覆盖的N型半导体层120上。请继续参照图1，在透过外界电路施加电压至电极122与电极142，以于N型半导 体层120与P型半导体层140之间产生电...
【技术保护点】
１．一种发光二极管，包括：基底，具有彼此相对的第一表面与第二表面；第一型半导体层，配置于该基底的该第一表面；发光层，配置于该第一型半导体层上；第二型半导体层，配置于该发光层上，且该第二型半导体层内部具有第一区与第二区，其中该第一区具有第一电阻值，该第二区具有第二电阻值，且该第一电阻值大于该第二电阻值；以及第一电极，配置于该第二型半导体层的该第一区上方。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：陈玉宪，
申请(专利权)人：联华电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]
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