【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术披露涉及一种半导体发光器件。更具体而言，本专利技术涉及一种新的能有效 降低漏电流并增强器件可靠性的在P-型层内钝化的半导体发光器件。
技术介绍
期待固态照明能引领下一代照明技术。高亮度发光二极管(HB-LEDs)从作为显示 器件的光源至替代用于传统照明的灯泡，其应用越来越广泛。一般来说，成本、效率及亮度 是决定LED商业价值的三个最重要的因素。LED产生的光来自有源区，该区夹于受主掺杂层(ρ-型掺杂层)和施主掺杂层 (η-型掺杂层)之间。当LED被施以正向电压时，载流子，包括来自ρ-型掺杂层的空穴和来 自η-型掺杂层的电子，在有源区复合。在直接带隙材料中，这种复合过程释放出光子形式 的能量，或是波长对应有源区内材料带隙能量的光。为了保证LED的高效率，理想的是载流子只在有源区复合，而不会在其他地方如 LED横侧表面上复合。然而，由于在LED横侧表面上的晶体结构的陡峭结束，使得在这样的 表面上有大量的复合。此外，LED表面对其周围的环境非常敏感，这常导致额外的杂质和缺 陷。环境诱致的损害会严重地降低LED的可靠性和稳定性。为了将LED与诸多的环境因素 如...
【技术保护点】
一种半导体发光器件，该器件包括： 衬底； 位于所述衬底上的第一掺杂半导体层； 位于所述第一掺杂半导体层上的第二掺杂半导体层； 位于所述第一和第二掺杂半导体层之间的多量子阱（ＭＱＷ）有源层； 与所述第一掺杂半导体层连接的第一电极；其中部分所述第一掺杂半导体层被钝化，且所述第一掺杂半导体层的钝化部分实质上将所述第一电极与所述第一掺杂半导体层的边缘隔离，从而降低表面复合。 与所述第二掺杂半导体层连接的第二电极；以及 钝化层，其大体上覆盖所述第一和第二掺杂半导体层以及ＭＱＷ有源层的侧面，以及未被所述第二电极覆盖的所述第二掺杂半导体层的部分水平表面。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
【专利技术属性】
技术研发人员：江风益，汤英文，莫春兰，王立，
申请(专利权)人：晶能光电江西有限公司，
类型：发明
国别省市：36[中国|江西]
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