钝化层及其制造方法技术

本发明专利技术公开了一种钝化层及其制造方法，该钝化层包括形成于半导体基底之上、并且覆盖于半导体基底之中金属线（４）上的非晶硅层（３），以及依次形成于所述非晶硅层（３）之上的二氧化硅层（２）和氮氧化硅层（１）。该钝化层的制造方法包括以下步骤：Ｓ０１在半导体基底上沉积非晶硅层（３），所述的非晶硅层（３）覆盖半导体基底及半导体基底之中的金属线（４）；Ｓ０２在上述的非晶硅层（３）上沉积二氧化硅层（２）；Ｓ０３在上述的二氧化硅层（２）上沉积氮氧化硅层（１）。本发明专利技术应用于半导体制造技术领域，可以提高半导体芯片的良品率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体芯片制造领域，具体的讲是涉及一种形成于半导体基底之上、 并且覆盖半导体基底之中的金属线上的。
技术介绍
在半导体器件制造过程中，器件表面的钝化是关键技术之一。对半导体器件表面 进行钝化可以减少器件氧化层中的各种电荷，增强半导体芯片对离子沾污的阻挡能力，保 护半导体芯片内部器件的互连以及半导体芯片表面的电特性，防止半导体芯片器件受到机 械损伤和化学损伤。在半导体芯片钝化层的制造过程中，常采用沉积、溅射等方法，由于各 层材料的杨氏模量和热胀系数的差异，以及相应温度变化都会使薄膜内部的应力发生变 化，从而使芯片内部产生空洞、裂纹或者脱落等现象，引起半导体芯片内部的结构变形或者 互连导线短路或断路，造成半导体芯片性能变差或者失效，使半导体芯片的良品率降低。钝化层的种类和结构对于互连内部形成的应力及应力释放的快慢影响很大。在 CMOS技术中，双嵌式互连线通常使用金属铜作为导电材料，CMOS器件中的金属铜互连层表 面覆盖有钝化层。如图1所示，现有技术半导体芯片的钝化层一般由依次沉积在金属线30 上的二氧化硅层20和氮氧化硅层10组成。所述的二氧化硅层20可用高密摄氏度等离子本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
一种钝化层，其特征在于包括形成于半导体基底之上、并且覆盖于半导体基底之中金属线(4)的非晶硅层(3)，以及依次形成于所述非晶硅层(3)之上的二氧化硅层(2)和氮氧化硅层(1)。2.根据权利要求1所述的钝化层，其特征在于所述的金属线(4)为铜线。3.根据权利要求1所述的钝化层，其特征在于所述非晶硅层(3)的厚度为 600A- 1400A。4.根据权利要求1所述的钝化层，其特征在于所述二氧化硅层(2)的厚度为 3000A- 5000A。5.根据权利要求1所述的钝化层，其特征在于所述氮氧化硅层(1)的厚度为 3000A- 5000A。6.一种钝化层的制造方法，其特征在于包括以下步骤SOl在半导体基底上沉积非晶硅层(3)，所述的非晶硅层(3)覆盖半导体基底及半导体 基底之中的金属线⑷；S02在上述的非晶硅层(3)上沉积二氧化硅层(2)；S03在上述的二氧化硅层(2)上沉积氮氧...

【专利技术属性】
技术研发人员：曾绍海，张伟，
申请(专利权)人：上海集成电路研发中心有限公司，
类型：发明
国别省市：31