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本发明公开了一种钝化层及其制造方法，该钝化层包括形成于半导体基底之上、并且覆盖于半导体基底之中金属线（４）上的非晶硅层（３），以及依次形成于所述非晶硅层（３）之上的二氧化硅层（２）和氮氧化硅层（１）。该钝化层的制造方法包括以下步骤：Ｓ０１在...该专利属于上海集成电路研发中心有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海集成电路研发中心有限公司授权不得商用。
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本发明公开了一种钝化层及其制造方法，该钝化层包括形成于半导体基底之上、并且覆盖于半导体基底之中金属线（４）上的非晶硅层（３），以及依次形成于所述非晶硅层（３）之上的二氧化硅层（２）和氮氧化硅层（１）。该钝化层的制造方法包括以下步骤：Ｓ０１在...