一种制备具有金属衬底的ＩｎＧａＡｌＮ发光二极管的方法技术

本发明专利技术的一个实施例提供一种制备发光二极管的方法。该方法包括在生长衬底上刻蚀凹槽，从而在所述生长衬底上形成台面。该方法进一步包括在所述每个台面上制备铟镓铝氮（ＩｎＧａＡｌＮ）多层结构，该结构包括ｐ－型层、多量子阱层、以及ｎ－型层。此外，该方法包括在所述ＩｎＧａＡｌＮ多层结构上沉积一层或多层金属衬底层。该方法还包括剥离所述生长衬底。该方法进一步包括在所述ＩｎＧａＡｌＮ多层结构的两侧形成电极，从而得到垂直电极结构。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及发光二极管的制造。更具体而言，本专利技术涉及一种在硅衬底上制备铟 镓铝氮(InGaAlN)半导体材料并将这种材料转移至金属衬底上的技术。
技术介绍
由InGaAlN半导体材料制备的发光二极管(LEDs)作为背光、固态发光器件已大量 用于大屏幕显示、交通灯、光源等应用中。通常InGaAlN多层结构是在蓝宝石或SiC衬底上 外延制得，且电极常被置于InGaAlN多层结构的同侧。已有多种方法开发应用于LED的制造。尽管如此，利用这些方法制备的InGaAlN LED通常具有发光效率低和导热性低的缺点，原因在于透明导电层会吸收有源区发射出的 光。此外，同侧电极结构往往导致器件表面面积利用率低。器件的另一种结构是垂直电极结构。在这种结构中一个电极被置于外延结构上， 而另一电极置于导电衬底(如Si衬底)的背面。然而，即使具有垂直电极结构，不透明衬 底和欧姆接触层内的吸光问题仍然存在。此外，由于氮化铝(AlN)缓冲层的存在，垂直电极 结构会增大LED的启动电压。制备^GaAlN的一种方法就是采用结合湿法刻蚀技术的晶片邦定法。在这种方法 中，InGaAlN多层结构在硅生长衬底上制备，接本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于制备发光二极管的方法，该方法包括：　　在生长衬底上刻蚀凹槽，从而在所述生长衬底上形成台面；　　在所述每个台面上制备铟镓铝氮（ＩｎＧａＡｌＮ）多层结构，其中该结构包括ｐ－型层、多量子阱层、以及ｎ－型层；　　在所述ＩｎＧａＡｌＮ多层结构上沉积一层或多层金属衬底层；　　剥离所述生长衬底；以及　　在所述ＩｎＧａＡｌＮ多层结构的两侧形成电极，从而形成垂直电极结构。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

【专利技术属性】
技术研发人员：熊传兵，江风益，王立，方文卿，王古平，章少华，
申请(专利权)人：晶能光电江西有限公司，
类型：发明
国别省市：36[中国|江西]