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一种半导体发光器件，该器件包括衬底；第一掺杂半导体层；位于所述第一掺杂层上的第二掺杂半导体层，以及位于所述第一和第二掺杂半导体层之间的多量子阱（ＭＱＷ）有源层。该器件还包括与所述第一掺杂半导体层连接的第一电极，其中部分所述第一掺杂半导体层被...
该专利属于晶能光电（江西）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过晶能光电（江西）有限公司授权不得商用。

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