半导体发光器件制造技术

实施例提供了半导体发光器件，所述半导体发光器件包括：发光结构，其包括多个化合物半导体层；绝缘层，其在所述发光结构的外表面上；欧姆层，其在所述发光结构下和所述绝缘层的外表面上；第一电极层，其在所述发光结构上；以及隧道阻挡层，其在所述第一电极层与所述欧姆层之间。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本公开涉及一种半导体发光器件。
技术介绍
III-V族氮化物半导体已经被不同地应用到诸如蓝色和绿色发光二极管(LED) 的光学器件；诸如金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)、高电子迁移率晶体管(HEMT) 和异质结场效应晶体管(HFET)的高速转换器件；以及发光器件或显示装置的光源。氮化物半导体主要用于LED或激光二极管(LD)，并且已经持续地进行了研究，以 改善氮化物半导体的制造工艺或发光效率。
技术实现思路
技术问题实施例提供了一种包括隧道阻挡层的半导体发光器件。实施例提供了一种包括隧道阻挡层的半导体发光器件，所述隧道阻挡层与发光结 构并联连接。技术方案实施例提供一种半导体发光器件，包括发光结构，所述发光结构包括多个化合物 半导体层；绝缘层，所述绝缘层在发光结构的外表面上；欧姆层，所述欧姆层在发光结构下 和绝缘层的外表面上；第一电极层，所述第一电极层在发光结构上；以及隧道阻挡层，所述 隧道阻挡层在第一电极层与欧姆层之间。实施例提供一种半导体发光器件，包括发光结构，所述发光结构包括多个化合 物半导体层；绝缘层，所述绝缘层在发光结构的外表面上；欧姆层，所述欧姆层在发光结构 下本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体发光器件，包括：发光结构，发光结构包括多个化合物半导体层；绝缘层，所述绝缘层在所述发光结构的外表面上；欧姆层，所述欧姆层在所述发光结构下和所述绝缘层的外表面上；第一电极层，所述第一电极层在所述发光结构上；以及隧道阻挡层，所述隧道阻挡层在所述第一电极层与所述欧姆层之间。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：朴炯兆，
申请(专利权)人：LG伊诺特有限公司，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]