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实施例提供了半导体发光器件，所述半导体发光器件包括：发光结构，其包括多个化合物半导体层；绝缘层，其在所述发光结构的外表面上；欧姆层，其在所述发光结构下和所述绝缘层的外表面上；第一电极层，其在所述发光结构上；以及隧道阻挡层，其在所述第一电极层...
该专利属于ＬＧ伊诺特有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过ＬＧ伊诺特有限公司授权不得商用。

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