本发明专利技术提供一种发光装置，其具有：基体（１１）；在基体（１１）上安装的发光元件（１２）；和在发光元件（１２）的上方设置的发光部件（１３）。还具有与发光元件（１２）的侧面（１２ｓ）接触的由透光性材料形成的光学部件（１４）。光学部件（１４）具有：设置有发光元件（１２）的开口（１４ｐ），和与发光部件（１３）对置的平坦形状的上表面（１４ｕ）。由此减低发光装置中的发光分布的偏差。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种具有发光二极管等发光元件的发光装置。
技术介绍
近年，具有发光二极管等发光元件的发光装置的开发在进步。该发光 装置被应用于例如照明器具等。发光装置，具有对发光元件所发出的光的 波长进行变换的发光部件。发光部件包含由自发光元件放射的光激发的荧 光材料。在以往的发光装置中，需要提高由发光元件产生的光的波长转换的效 率。为了提高波长转换的效率，需要减低从发光元件放射的光中没有到达 发光部件就消失的比例。
技术实现思路
根据本专利技术的实施方式，发光装置具有基体；在基体上安装的发光 元件；和在发光元件的上方设置的发光部件。发光元件由半导体材料形成， 发出第一光。发光部件含有被第一光激发而放射第二光的荧光材料，并具 有薄片形状。发光装置还具有与发光元件的侧面接触的由透光性材料构成 的光学部件。光学部件具有设置了发光元件的开口和与发光部件对置的平坦形状的上表面。根据本专利技术的另一实施方式，发光装置具有基体；在基体上安装的 发光元件；和在发光元件的上方设置的发光部件。发光元件由半导体材料 形成，发出第一光。发光部件含有被第一光激发而放射第二光的荧光材料， 并具有薄片形状。发光装置还具有在发光元件和发光部件之间配置的由透 光性材料构成的光学部件。光学部件具有与发光部件对置的平坦形状的 上表面。(专利技术效果)本专利技术的实施方式的发光装置，包括具有与发光部件对置的平坦形状 的上表面且与发光元件的侧面接触的光学部件，由此减低了发光分布的偏差。本专利技术的另一实施方式的发光装置，包括具有与发光部件对置的平坦 形状的上表面且配置在发光元件和发光部件之间的光学部件，由此减低了 发光分布的偏差。附图说明图1是表示本专利技术的照明装置的实施方式的立体图。图2是表示照明装置的电路结构的图。图3是表示本专利技术的发光装置的实施方式的立体图。图4是图3所示的发光装置的剖视图。图5是图4所示的发光元件和光学部件的放大图。图6是图3所示的发光元件和光学部件的放大图。图7是发光元件的立体图。图8是其他的发光元件的立体图。图9是表示图4所示的发光装置中的光的前进方法的图。图IO是表示发光装置的制造方法的图。图11是表示发光装置的制造方法的图。图12是表示发光装置的制造方法的图。图13是表示发光装置的制造方法的图。图14是表示本专利技术的发光装置的另一实施方式的立体图。图15是图14所示的发光装置的剖视图。图16是表示另一实施方式的发光装置中的光的前进方法的图。图17是表示本专利技术的发光装置的又一实施方式的立体图。图18是图17所示的发光装置的剖视图。图19是表示图18所示的发光装置中的光的前进方法的图。图20是表示本专利技术的发光装置的再一实施方式的剖视图。图21是表示图20所示的发光装置中的光的前进方法的图。具体实施例方式下面，参照附图对本专利技术的实施方式进行详细说明。如图1所示，照 明装置100具有基板1;在基板1上安装的多个发光装置2;和光反射部件3。基板l具有导体图案la。多个发光装置2与导体图案la电连接。 光反射部件3设置在由多个发光装置2产生的光的至少一部分所到达的位 置。在图1中，光反射部件3设置在多个发光装置2的侧方。参照图2， 对照明装置100的电路结构进行说明。照明装置100具有在基板1上设置 的多个发光装置2以及恒定电流电路4。恒定电流电路5与照明装置100 的恒定电流电路4电连接。电源电力供给电路6与该恒定电流电路5电连 接。如图3所示，发光装置2具有基体ll;基体ll上安装的发光元件 12;和在发光元件12的上方设置的发光部件(波长转换部件)13。发光 装置2，还具有与发光元件12接触的光学部件14。基体11由绝缘材料形 成。如图4所示，基体11具有导体图案15。引线端子16，与导体图案15 电连接，被设置在发光装置2的安装面M上。发光元件12是产生第一光的发光二极管。第一光具有自370nm到 400nm(紫外)的波长范围的至少一部分、或者自450nm到500nm (蓝色) 的波长范围的至少一部分。如图5所示，发光元件12具有在基板12b 上层叠的第一半导体层(n型半导体层)12n;半导体活性层12a;和第二 半导体层(p型半导体层)12p。 n型半导体层12n、半导体活性层12a以 及p型半导体层12p，由氮化镓(GaN)形成。作为发光元件12的其他例， 有由氮化铝(A1N)形成的情况。发光元件12具有在n型半导体层12n上 设置的第一电极焊盘(n侧电极焊盘)12np和在p型半导体层12p上设置 的第二电极焊盘(p侧电极焊盘)12pp。发光元件12还具有在n侧电极焊 盘12叩上设置的金属接触部件19。 n侧电极焊盘12np以及p侧电极焊盘 12pp，经由焊锡20与在基体11上设置的导体图案15电连接。发光元件 12，通过倒装式连接安装在基体ll上。即，发光元件12，在使具有n侧 电极焊盘12np以及p侧电极焊盘12pp的安装面M与基体11对置的状态 下安装到基体ll上。波长转换部件13与发光元件12分离，具有薄片形状。波长转换部件13含有被第一光激发而放射第二光的荧光材料17。在本实施方式中，第 二光具有与第一光的第一波长不同的第二波长。在具有发出紫外光的发光元件12的发光装置2中，荧光材料17放射从625nm到740nm的波长范 围(红色)的至少一部分、从520nm到565nm的波长范围(绿色)的至 少一部分、以及从450nm到500nm的波长范围(蓝色)的至少一部分。 发光装置2放射从波长转换部件13放射的红色光、绿色光以及蓝色光的 混合光(白色光)。在具有发出蓝色光的发光元件12的发光装置2中， 荧光材料17放射从565nm到590nm的波长范围(黄色)的至少一部分。 发光装置2放射由发光元件发出的蓝色光和从波长转换部件13放射的黄 色光的混合光(白色光)。在具有发出蓝色光的发光元件12的发光装置2的另一例中，荧光材 料17放射从625nm到740nm的波长范围(红色)的至少一部分以及从 520nm到565nm的波长范围(绿色)的至少一部分。发光装置2放射由发 光元件12发出的蓝色光、从波长转换部件13放射的红色光以及绿色光的 混合光(白色光)。波长转换部件13还具有含有荧光材料17的树脂材料 18。树脂材料18是具有透光性的硅酮树脂。如图5所示，光学部件14覆盖发光元件12的活性层12a。如图6所 示，光学部件14与发光元件12的侧面12s接触。发光元件12安装在假 想的xyz空间中的xy平面上。光学部件14具有与波长转换部件13对置 的平坦形状的上表面14u。光学部件14具有配置了发光元件12的开口 14p。 光学部件14由透光性材料形成。透光性材料为树脂或玻璃。光学部件14， 至少与处于最靠近p侧电极焊盘12p的位置的侧面12s接触。参照图7和 图8，对发光元件12的结构做进一步详细说明。在图7中，n型半导体层 12n在安装面M的边缘部分从p型半导体层12p露出。光学部件14，至 少形成在距n侧电极焊盘12np最近的侧面12sn上。在图8中，n型半导 体层12n在安装面M的角部分从p型半导体层12p露出。光学部件14， 至少形成在距n侧电极焊盘12np最近的侧面12sn上。如图6所示，光学 部件14包围发光元件本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种发光装置，具有： 基体； 发光元件，其由半导体材料形成，安装在所述基体上，发出第一光；发光部件，其含有被所述第一光激发而放射第二光的荧光材料，并具有薄片形状，设置在所述发光元件的上方；和 光学部件，其由透光性材料形成， 具有设置了所述发光元件的开口、和与所述发光部件对置的平坦形状的上表面，并与所述发光元件的侧面接触。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】JP 2006-8-30 233308/2006;JP 2006-9-28 263858/20061、一种发光装置，具有基体；发光元件，其由半导体材料形成，安装在所述基体上，发出第一光；发光部件，其含有被所述第一光激发而放射第二光的荧光材料，并具有薄片形状，设置在所述发光元件的上方；和光学部件，其由透光性材料形成，具有设置了所述发光元件的开口、和与所述发光部件对置的平坦形状的上表面，并与所述发光元件的侧面接触。2、 根据权利要求l所述的发光装置，其特征在于， 所述光学部件覆盖所述发光元件的活性层。3、 根据权利要求2所述的发光装置，其特征在于， 所述光学部件包围所述发光元件的侧面。4、 根据权利要求3所述的发光装置，其特征在于， 所述光学部件包围所述发光元件的上端。5、 根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于， 还具有封入了所述发光元件和所述光学部件的透光性材料层。6、 根据权利要求5所述的发光装置，其特征在于， 所述光学部件，具有比所述透光性材料层的第二折射率大的第一折射率。7、 根据权利要求6所述的发光装置，其特征在于， 所述光学部件由玻璃材料形成。8、 根据权利要求7所述的发光装置，其特征在于， 所述透光性材料层由硅酮树脂形成。9、 根据权利要求l所述的发光装置，其特征在于， 所述发光元件通过倒装式连接安装在所述基体上。10、 一种发光装置的制造方法，包括如下工序 准备基体；准备具有安装面的发光元件，该安装面上具有第一电极焊盘和...
【专利技术属性】
技术研发人员：作本大辅，松浦真吾，柳泽美津夫，
申请(专利权)人：京瓷株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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