【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及用于CMP磨料的二氧化铈粉末，该粉末可以在半导体制造工艺中化学机械抛光期间改善二氧化硅层对氮化硅层的抛光选择性和/或晶片内不均匀性(WIWNU)。本专利技术还涉及包含该二氧化铈粉末的CMP浆料。
技术介绍
通常，在当前的半导体制造工艺中倾向于增大晶片直径来实现ULSI(超大规模集成电路)的高度集成化。同样，当前的半导体制造要服从包括最小行宽要求为0.13μm或更小的更严格标准。此外，为了提高半导体器件的品质，本质上需要在晶片上形成多重互连(multipleinterconnection)或多层互连结构的步骤。然而，在实施上述技术中的一种之后出现的非平坦化引起了许多问题，如后续步骤中的余地变小或晶体管或器件的质量下降。因此，平坦化加工已被应用于各种步骤中，以便解决这些问题。这些平坦化技术中的一种为CMP(化学机械抛光)。在CMP加工的过程中，将晶片表面压在相对于该表面旋转的抛光垫上，并在抛光处理过程中向抛光垫加入化学活性浆料。该CMP技术通过化学和物理作用实现了晶片表面的平坦化。该CMP技术可被用于浅沟槽隔离(STI)加工，且特别是在沉积绝缘二氧化硅...
【技术保护点】
一种制备二氧化铈粉末的方法，该方法使用具有六方晶系结构的碳酸铈作为前体。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】KR 2006-7-28 10-2006-0071703;KR 2006-7-28 10-2006-1、一种制备二氧化铈粉末的方法，该方法使用具有六方晶系结构的碳酸铈作为前体。2、如权利要求1所述的方法，其中，所述二氧化铈粉末用于化学机械抛光。3、如权利要求1所述的方法，该方法包括以下步骤：(a)将具有六方晶系结构的碳酸铈进行第一煅烧；和(b)在高于第一煅烧温度的温度下，将由第一煅烧步骤制得的粉末进行第二煅烧。4、如权利要求1所述的方法，其中，所述具有六方晶系结构的碳酸铈具有0.1～20μm的平均粒径。5、如权利要求3所述的方法，其中，在200～400℃的温度下进行第一煅烧步骤6～100小时。6、如权利要求3所述的方法，其中，在600～1200℃的温度下进行第二煅烧步骤30分钟～6小时。7、如权利要求3所述的方法，该方法进一步包括在步骤(a)和步骤(b)之间的碾碎第一煅烧步骤制得的粉末的步骤。8、一种二氧化铈粉末，该粉末包含至少50vol％的六方片状颗粒，所述颗粒的至少一边具有120°±20°的角，并且所述二氧化铈粉末通过使用具有六方晶系结构的碳酸铈作为前体而制得。9、如权利要求8所述的二氧化铈粉末，该粉末通过权利要求1～7的任一项中所述的方法制得。10、如权利要求8所述的二氧化铈粉末，该粉末包括...
【专利技术属性】
技术研发人员：吴明焕，曹昇范，鲁埈硕，金种珌，金长烈，
申请(专利权)人：LG化学株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]
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