用于抛光氮化硅材料的组合物及方法技术

本发明专利技术提供一种用于抛光含有氮化硅的基板的方法。该方法包括用抛光组合物研磨氮化硅基板的表面，该抛光组合物包含胶体二氧化硅、至少一种酸性组分、及含水载体。该至少一种酸性组分具有在１至４．５范围内的ｐＫａ。该组合物的ｐＨ值在比该至少一种酸性组分的ｐＫａ小０．５个ｐＨ单位至比该ｐＫａ大１．５个ｐＨ单位范围内。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及抛光组合物及方法。更具体而言，本专利技术涉及用于抛光含有 氮化硅的基板的方法及为此的组合物。
技术介绍
的。用于半导体基板(例如集成电路)表面的CMP的抛光组合物(也称为抛光 浆料、CMP浆料及CMP组合物)通常含有研磨剂、多种添加剂化合物等。通常，CMP涉及对表面同时进行化学及机械研磨，例如研磨上覆的第 一层以暴露其上形成第一层的非平坦的第二层的表面。 一种这样的工艺描述 于Beyer等人的美国专利第4,789,648号中。简言之，Beyer等人公开了 一种 CMP工艺，其使用抛光垫及浆料以比第二层快的速率移除第一层直至上覆 的第 一材料层的表面变为与被覆盖的第二层的上表面共面。化学机械抛光的 更详细解释参见美国专利第4,671,851号、第4,910,155号及第4,944,836号。在常规CMP技术中，在CMP装置中，将基板载体(carrier)或抛光头安 装于载体组件上且将其安置成与抛光垫相接触。载体组件提供对基板的可控 压力，迫使基板抵靠着抛光垫。使垫与载体及其附着的基板彼此相对移动。 垫与基板的相对移动用以研磨基板的表面以从基板表面移除一部分材料，由 此抛本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于抛光含有氮化硅的基板的方法，该方法包含用抛光组合物研磨含有氮化硅的基板的表面，该抛光组合物包含：　（ａ）０．０１重量％至１５重量％的胶体二氧化硅；　（ｂ）１０ｐｐｍ至１００，０００ｐｐｍ具有１至４．５的ｐＫａ的至少一种酸 性组分；及　（ｃ）为此的含水载体；　其中该抛光组合物的ｐＨ值在比该至少一种酸性组分的ｐＫａ小０．５个ｐＨ单位至比该ｐＫａ大１．５个ｐＨ单位的范围内。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：杰弗里戴萨德，斯里拉姆安朱尔，蒂莫西约翰斯，陈湛，
申请(专利权)人：卡伯特微电子公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]