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本发明公开了一种用于ＣＭＰ磨料的二氧化铈粉末，该粉末可以在半导体制造工艺中化学机械抛光期间改善二氧化硅层对氮化硅层的抛光选择性和／或晶片内不均匀性（ＷＩＷＮＵ）。更具体而言，所述二氧化铈粉末通过使用具有六方晶系结构的碳酸铈作为前体而制得。同...
该专利属于LG化学株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过LG化学株式会社授权不得商用。

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