使用经氨基硅烷处理的研磨剂颗粒的抛光组合物和方法技术

本发明专利技术方法包括用本发明专利技术抛光组合物对基材进行化学－机械抛光，该抛光组合物包含液体载体、阳离子型聚合物、酸和经氨基硅烷化合物处理的研磨剂颗粒。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
技术介绍
用于抛光(例如平坦化)基材表面的化学-机械抛光(CMP)组合物及方法在本领 域中是公知的。抛光组合物(也称为抛光浆料、CMP浆料及CMP组合物)通常含有在水溶 液中的研磨材料并通过使表面与用该抛光组合物饱和的抛光垫接触而施加到该表面上。典 型的研磨材料包括金属氧化物颗粒，例如二氧化硅、二氧化铈、氧化铝、氧化锆及氧化锡。例 如，美国专利5，527，423描述了通过使表面与包含在含水介质中的高纯度金属氧化物细颗 粒的抛光组合物接触而对金属层进行化学-机械抛光的方法。该抛光组合物通常与抛光垫 (例如抛光布或圆盘)结合使用。合适的抛光垫描述于美国专利6，062，968、6，117，000及 6，126，532 (它们公开了具有开孔型多孔网状结构的烧结聚 氨酯抛光垫的使用)及美国专 利5，489，233 (其公开了具有表面纹理或图案的实心抛光垫的使用)中。半导体晶片通常包括其上已形成多个晶体管的基材诸如硅或砷化镓。通过将基材 中的区域及基材上的层图案化而将晶体管以化学和物理方式连接至该基材。晶体管和层被 主要包含某一形式的氧化硅(Si02)的层间电介质(ILD)隔开。通过使用公知的多层互本文档来自技高网...

【技术保护点】
用于抛光基材的化学－机械抛光组合物，其包含：（ａ）液体载体，（ｂ）悬浮于所述液体载体中的研磨剂，其中所述研磨剂包括胶体二氧化硅颗粒，（ｃ）至少一种具有１至４的ｐＫａ的酸性组分，和（ｄ）阳离子型聚合物；其中所述抛光组合物具有１至３．５的ｐＨ。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：杰弗里戴萨德，斯里拉姆安朱尔，史蒂文格鲁姆比恩，丹妮拉怀特，威廉沃德，
申请(专利权)人：卡伯特微电子公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]