【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及化学机械抛光组合物及方法。
技术介绍
集成电路由形成在基板上或基板中的数百万个有源器件构成，该基板例 如硅晶片。所述有源器件以化学方式和物理方式连接到基板中且通过使用多 层互连而互联形成功能电路。典型的多层互连包含第一金属层、层间介电层、 以及第二金属层和某些情况下的后续的金属层。诸如掺杂及未掺杂的二氧化硅(SiO力和/或低k电介质的层间电介质用以电隔离不同的金属层。形成每一 层时，通常使该层平坦化以使后续各层能够形成在该新形成的层上。钨正在愈来愈多地用作形成集成电路器件内的互连的导电材料。 一种在 二氧化硅基板上制作平坦鴒电路迹线的方法称作镶嵌工艺。根据该工艺的实 施方式，鴒镶嵌工艺始于完全平坦化的介电表面，该表面以垂直接触孔或通促进层(通常为钛或氮化钛)施加至基板表面，以将金属粘附至介电表面并避 免金属与介电材料发生反应。然后，使用化学气相沉积工艺沉积钨，以填充 孔和/或沟槽。采用化学机械抛光(CMP)以减小钨外层的厚度，以及任何粘合 促进层和/或扩散阻挡层的厚度，直至获得暴露出二氧化硅表面的高出部分的 平坦表面。通孔及沟槽仍填充有形成电路互...
【技术保护点】
一种化学机械抛光组合物，其基本上由以下物质组成： （ａ）二氧化硅，其具有１０ｎｍ至４０ｎｍ的平均初级粒径； （ｂ）氧化剂，其选自过氧化氢、脲过氧化氢、过碳酸盐、过氧化苯甲酰、过乙酸、过氧化钠、二叔丁基过氧化物、单过硫酸盐、二过硫 酸盐、硝酸盐、铁（Ⅲ）化合物、及其组合； （ｃ）季铵化合物，其包含具有结构Ｒ↓［１］Ｒ↓［２］Ｒ↓［３］Ｒ↓［４］Ｎ↑［＋］的阳离子，其中Ｒ↓［１］、Ｒ↓［２］、Ｒ↓［３］及Ｒ↓［４］独立地选自Ｃ↓［２］－Ｃ↓［６］烷基及Ｃ↓［７］－ Ｃ↓［１２］芳烷基；及 （ｄ）水， 其中该抛光组合物具有１至５的ｐＨ值。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：罗伯特瓦卡西，本杰明拜尔，陈湛，杰弗里张伯伦，
申请(专利权)人：卡伯特微电子公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]
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