一种倒装焊接的ＬＥＤ芯片结构制造技术

本实用新型专利技术提供一种倒装焊接的ＬＥＤ芯片结构，包括基板和欧姆接触层，其中：所述的欧姆接触层的厚度为：５１００±２００Ａ。该欧姆接触层上设置有一反光镜结构。本实用新型专利技术通过在欧姆接触层上设置一反光镜，光从正面发出，提高了芯片的出光率，同时，将欧姆接触层的厚度增加到的厚度，以利增加其电流扩散的作用，提高芯片的可靠性。（*该技术在2019年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及发光二极管芯片
，尤其是涉及一种倒装焊接的LED芯片结构。
技术介绍
AlGalnN基二极管外延片一般是生长在绝缘的蓝宝石衬底上，欧姆接触的P电极和N电极只能制备在外延表面的同一侧，正面射出的光部分将被接触电极所吸收和键合引线遮挡。造成光吸收更主要的因素是P型GaN层电导率较低，为满足电流扩展的要求，覆盖于外延层表面大部分的ITO欧姆接触层的厚度应大于5-10nm，但是要使光吸收最小，则ITO欧姆接触层的厚度必须非常薄，这样在透光率和扩展电阻率二者之间则要给以适当的折衷，折衷设计的结果必定使其功率转换的提高受到了限制。反射层的制备将改变光的传输路径经由N基面从蓝宝石一方透射出来，此法进一步提升芯片的出光效率，外量子效率达21 % ，功率换效率达20 % (200mA， 455nm)，最大功率达到400mW (驱动电流1A， 455nm，芯片尺寸lmmxlmm)，其总体发光效率比正装增加1. 6倍左右。 AlGalnN基二极管外延片所用的衬底为蓝宝石，它的导热性能较差，为了更有效的散热和降低结温，另外用激光技术将2英寸HVPE(氢化物气相外延)GaN与蓝宝石剥离，用S本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种倒装焊接的ＬＥＤ芯片结构，包括基板和欧姆接触层，其特征在于：所述的欧姆接触层的厚度为：５１００±２００Ａ，该欧姆接触层上设置有一反光镜结构。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张坤，汪高旭，吴大可，朱国雄，
申请(专利权)人：世纪晶源科技有限公司，
类型：实用新型
国别省市：94[中国|深圳]