一种单电极ＬＥＤ芯片结构制造技术

本实用新型专利技术涉及一种单电极ＬＥＤ芯片结构，包括ｎ金属电极层、蓝宝石衬底粗化层、蓝宝石衬底、外延层、钝化层、透明电极层及焊料层，所述的焊料层表面上通过光学镀膜的方式形成有ＤＢＲ光学反射层，所述的焊料层底部设置有一高导电导热基座层；本实用新型专利技术所述的单电极ＬＥＤ芯片通过采用高导热导电基座取代高热阻及绝缘的原衬底，使得芯片散热能力显著改善，由于量子阱的电－光转换效率是随着温度的增加而降低，ＬＥＤ芯片在散热性能上的改善使得芯片可以在大电流下仍然维持较高的电－光转换效率，实现大功率高亮度；同时本实用新型专利技术将芯片倒置，利用ＤＢＲ光学反射层使得取光方向改道透明的蓝宝石衬底，提高了芯片的外量子效率，增加取光效率。（*该技术在2018年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及半导体器件领域，尤其是涉及一种大功率、高取光效率的单电极 LED芯片结构。
技术介绍
目前，蓝光、绿光等发光二极管(LED)的基本结构是在蓝宝石衬底上外延生长 InGaN/GaN发光半导体材料，然后在外延层的上表面制作正/负电极用于注入电流使之将 电能转换成光能。如图-1所示，其是典型的蓝光LED芯片的剖面结构示意图，该芯片主要 由三部分组成，蓝宝石衬底11，外延层12，以及欧姆电极13 (包含p、 n两个电极)，正极欧 姆电极是制作在P型GaN层上。为了改善电流注入的均匀性，通常需要在p型GaN层上先 沉积一层透明导电接触层，负极欧姆电极是制作在n型GaN层上，这需要将部分p型GaN层 刻蚀去除。这种将两个电极制作在同一侧的器件结构是因为蓝宝石衬底不导电，但是这种 结构同时也局限了芯片表面发光区的面积，降低了芯片的发光效率。此外，蓝宝石衬底的低 导热性使之作为芯片与外界的散热通道限制了芯片在大电流下的可靠性能，这是因为蓝宝 石衬底的导热系数只有0. 4W/K. cm。散热问题也成为阻碍大功率LED芯片发展的主要问题 之一，因为量子阱的发光效率会随着量子阱温度的上升而急剧本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种单电极ＬＥＤ芯片结构，该芯片为倒装结构，其包括依次叠置在一起的ｎ金属电极层、蓝宝石衬底粗化层、蓝宝石衬底、外延层、钝化层、透明电极层及焊料层，其特征在于：所述的焊料层表面上通过光学镀膜的方式形成有ＤＢＲ光学反射层，所述的焊料层底部设置有一高导热基座层。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：吴大可，朱国雄，张坤，
申请(专利权)人：世纪晶源科技有限公司，
类型：实用新型
国别省市：94[中国|深圳]