发光二极管的制造方法技术

本发明专利技术公开了一种发光二极管的制造方法，包括：提供衬底；在衬底表面形成n型掺杂的GaN层；在所述n型掺杂的GaN层形成发光单元；在所述发光层表面形成p型掺杂的GaN层；在所述p型掺杂的GaN层表面形成透明导电层；利用激光刻蚀工艺确定n型和/或p型电极的位置和接触层深度；沉积金属材料形成p型电极和n型电极和焊盘；将所述p型电极和n型电极位置以外的金属去除。本发明专利技术的发光二极管的制造方法通过利用激光刻蚀工艺确定p型电极和/或n型电极的位置和层深，能够大大降低掩模光刻工艺的使用次数，从而降低制造成本，提高良率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体照明器件
，具体涉及一种发光二极管(LED)的制造方法。
技术介绍
半导体发光二极管简称为LED。由镓(Ga)与砷(AS)、磷(P)的化合物制成的二 极管，当电子与空穴复合时能辐射出可见光，因而可以用来制成发光二极管。发光二极管 (LED)作为光源以其功耗低、寿命长、可靠性高等特点，在日常生活中的许多领域得到了普 遍的认可，在电子产品中得到广泛应用，例如显示器背光等。以基于宽禁带半导体材料氮化稼(GaN)和铟氮化稼(InGaN)的发光二极管为代表 的近紫外线、蓝绿色和蓝色等短波长发光二极管在1990年代后期得到广泛应用，在基础研 究和商业应用上取得了很大进步。目前普遍应用的GaN基发光二极管的结构如图1所示， 包括蓝宝石衬底10，η型GaN层201和ρ型GaN层209，以及两者中间由ρ型掺杂的AlGaN 层207、InGaN发光层205 (包括单量子胼或多量子胼)和η型掺杂的AWaN层203组成的 发光单元，此外包括透明导电接触(TCO)层211，ρ型电极213和η型电极215。GaN基发光二极管的制造工艺主要采用半导体制造工艺，首先是外延片 (epi-w本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种发光二极管的制造方法，包括：提供衬底；在衬底表面形成ｎ型掺杂的ＧａＮ层；在所述ｎ型掺杂的ＧａＮ层形成发光单元；在所述发光层表面形成ｐ型掺杂的ＧａＮ层；在所述ｐ型掺杂的ＧａＮ层表面形成透明导电层；利用激光刻蚀工艺确定ｎ型和／或ｐ型电极的位置和层深；沉积金属材料形成ｐ型电极和ｎ型电极和焊盘；将所述ｐ型电极和ｎ型电极位置以外的金属去除。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：林朝晖，
申请(专利权)人：泉州市金太阳电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：35