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本发明公开了一种发光二极管的制造方法，包括：提供衬底；在衬底表面形成n型掺杂的GaN层；在所述n型掺杂的GaN层形成发光单元；在所述发光层表面形成p型掺杂的GaN层；在所述p型掺杂的GaN层表面形成透明导电层；利用激光刻蚀工艺确定n型和/或...
该专利属于泉州市金太阳电子科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过泉州市金太阳电子科技有限公司授权不得商用。

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