磁记录介质的制造方法、磁记录介质和磁记录再生装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种磁记录介质的制造方法，是在非磁性基板上至少具有记录层和保护膜的磁记录介质的制造方法，其特征在于，依次具有以下工序：在基板上形成连续的记录层的工序，形成图案化的抗蚀剂层的工序，依照该抗蚀剂图案部分性地除去上述记录层的工序，在上述记录层和已除去记录层的部位上涂布具有活性能量线固化性官能团的有机硅化合物的工序，通过活性能量线使上述有机硅化合物固化的工序，对上述有机硅化合物进行蚀刻，使磁性层在表面露出的工序，以及形成保护膜的工序。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及在硬盘装置等中使用的磁记录介质、其制造方法、和具有上述磁记录 介质的磁记录再生装置。本申请基于2008年3月18日在日本提出的特愿2008-070016号、和于2008年8 月21日在日本提出的特愿2008-212911号，要求具有优先权，本文中引用了其中的内容。
技术介绍
近年来，磁盘装置、软盘(Floppy，注册商标)装置、磁带装置等的磁记录装置的使 用范围明显增大，变得愈加重要，而且人们在不断试图显著提高在这些装置中使用的磁记 录介质的记录密度。特别是，自从引入了 MR磁头(磁电阻效应型磁头)、和PRML(局部响应最大似然) 技术以来，面记录密度进一步大幅提高，近年来还引入了 GMR磁头(巨磁电阻效应型磁头)、 TMR磁头(隧道磁电阻效应型磁头)等，记录密度以年约100%的步伐不断增加。今后要求这些磁记录介质要实现更高的记录密度，因此，要求实现磁记录层的高 矫顽力化、高信噪比(SN比)、高分辨能力。此外，近年来为了实现高面记录密度，介质的绝 对膜厚变薄，随之导致记录磁化因热干扰而变弱的现象，特别是记录的热稳定性已成为重 大技术课题。尤其是，在要改善上述SN比时，很多情况下其热稳定性降低，同时拥有这两方 面的性能已经成为开发研究的目标。这是由于，一般SN比优异的介质，大多数情况下构成 磁性层的磁性粒子的结晶粒子尺寸细小，这对于介质噪音方面有效，而另一方面，从磁性的 热稳定性方面考虑，可以说是接近不稳定区域。此外，近年来人们在不断努力提高线记录密度的同时，也努力通过提高道密度来 提高面记录密度，在最新的磁记录装置中的道密度甚至达到llOkTPI。但当道密度不断提高 时，相邻轨道间的磁记录情报会相互干扰，其边界区域的磁化传递区域变成噪音源，容易产 生破坏SN比的问题。这样使得误码率(Bit Error rate)方面性能较低，成为提高记录密 度的障碍。此外，由于轨道间距变近，所以要求磁记录装置具有极高精度的轨道伺服技术，同 时为了在较广泛的区域进行记录，尽可量地消除相邻轨道对再生的影响，一般采用使用比 记录时更窄的方式进行再生的方法。这样的方法可以将轨道间的影响控制在最小程度，但 另一方面，难以得到充分的再生输出，因此，存在难以确保充分的SN比的问题。为了前述的 介质的热稳定性，近年来使用垂直磁记录介质。这样作为实现高记录密度化的技术而使用垂直磁记录介质，但为了在垂直磁记录 中进一步提高记录密度，需要增加道密度。此外，垂直磁记录介质也需要降低由于道密度增 加而导致的记录端部的记录洇渗(边际效应)的问题。作为解决该边际效应方法的一例，有离散轨道介质(参照例如以下的专利文献1、 2)。专利文献1提出了使数据部为凸部、保护频带部为凹部的离散介质结构。但在设置凹部型保护频带部时，由于在盘表面存在凹凸部，所以存在会影响记录再生头的飞行特 性的问题，所以不优选。专利文献2提出了将埋入材料埋入到保护频带部，使盘表面变平坦的离散介质。 并且作为保护频带材料列举出了氧化物、氮化物、碳化物、硼化物、聚合物。作为将氧化物等埋入离散介质的保护频带部中的方法，可采用下述方法使用例 如溅射法等方法在离散介质的保护频带部和数据部上形成氧化物等的膜，然后通过离子束 蚀刻等方法对表面进行蚀刻，使离散介质的数据部再次露出表面，从而在离散介质的表面 上通过保护频带部形成图案化的数据部。并且在该表面上形成保护膜，从而制成离散介质。此外，专利文献3记载了在形成离散介质的保护频带部(非磁性区域)时，使用具 有流动性的光固化性树脂。此外，专利文献4记载了在纳米压印中使用具有光固化反应功能的重均分子量为 1，000 50，000的硅氧烷系高分子化合物。此外，专利文献5中记载了将氢化倍半硅氧烷 聚合物和溶剂的混合物涂布在基板表面上，在该涂布面上按压具有微细图案的模具，再除 去溶剂并水解固化，从而在基板表面上形成微细SiO2图案的方法。专利文献1 特开平6-259709号公报专利文献2 特开平9-97419号公报专利文献3 特开2005-100496号公报专利文献4 特开2007-072374号公报专利文献5 特开2003-100609号公报
技术实现思路
当使用专利文献2中记载的氧化物、氮化物、碳化物、硼化物、聚合物作为离散介 质的保护频带部时，有时会制造出蚀刻后表面粗糙，即使在其表面上形成保护膜，表面粗糙 度也较差的离散介质。此外，当使用专利文献2中记载的氧化物、氮化物、碳化物、硼化物、聚合物作为保 护频带部来制造离散介质，并将其装入到硬盘驱动器中时，根据硬盘驱动器的使用环境，有 时磁记录介质会受到腐蚀，硬盘驱动器被破坏，并且磁记录介质的电磁转换特性变差。本专利技术人对产生这些问题的原因进行分析研究，结果清楚了，在制造离散介质时， 由于保护频带部使用的材料的涂布特性和蚀刻特性差，所以在保护频带部的蚀刻后的表面 上会出现凹凸，在其表面上形成保护膜时，保护膜上会接着反映出这些凹凸，结果制造出表 面粗糙度差的离散介质。此外，在通过溅射法形成保护频带部时，不能将非磁性材料致密填 充在磁性层的凹部，结果在该位置产生空隙，根据硬盘驱动器的使用环境不同，有时会在该 空隙出现腐蚀。为了不出现这种空隙，想出了使液状物质固化来形成保护频带部的方法。作为用 于形成保护频带部的液状物质，已知旋制氧化硅(Spin on Glass)等的氧化硅化合物，但这 些物质粘性高，因此难以致密填充在磁性层的凹部。此外还已知有粘性低的旋制氧化硅等， 但这些物质固化时的收缩率大，其收缩时会在磁性层的凹部产生空隙，此外，会导致磁性层 的凸部变形，该空隙、变形会成为磁记录介质腐蚀的起点。对实现高记录密度的磁记录方式的离散介质或图案介质而言，本专利技术的目的在于以高生产率制造介质表面平滑性高，此外耐环境性高的磁记录介质。本专利技术人为了解决上述问题进行了深入研究，结果发现以下内容而完成本专利技术 在制造在非磁性基板上至少具有被非磁性材料磁性分隔开的记录层、保护膜的磁记录介质 时，通过使用可通过活性能量线固化的有机硅化合物作为非磁性材料，可以提供表面平滑 性高的磁记录介质，此外该磁记录介质耐环境性优异。这是基于下述见解而完成的本专利技术的制造中使用的有机硅化合物相对于构成磁 记录介质的磁性层等部位的材料润湿性高，而且化合物本身的表面张力和粘性低，所以可 以致密填充在记录层的凹部，进而由于固化时的收缩率低，所以很少使微细结构的记录层 变形，而且凝固后的表面平滑。此外，本专利技术的制造中使用的有机硅化合物，由于具有高度结构控制的骨架，所以 在使用离子束等进行干蚀刻时具有优异的蚀刻特性，可以得到平滑的蚀刻面。基于这些认识，本专利技术由以下技术方案构成。(1). 一种磁记录介质的制造方法，是在非磁性基板上至少具有记录层和保护膜的 磁记录介质的制造方法，其特征在于，依次具有以下工序在基板上形成连续的记录层的工序，形成图案化的抗蚀剂层的工序，依照该抗蚀剂图案部分性地除去上述记录层的工序，在上述记录层和已除去记录层的部位上涂布具有活性能量线固化性官能团的有 机硅化合物的工序，通过活性能量线使上述有机硅化合物固化的工序，对上述有机硅化合物进行蚀刻，使磁性层在表面露出的工序，以及形成保护膜的工序。(2).根据上述(1)所本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：新井良和，内田博，今井直行，福岛正人，
申请(专利权)人：昭和电工株式会社，
类型：发明
国别省市：JP