垂直磁记录介质的制造方法技术

本发明专利技术涉及垂直磁记录介质的制造方法，该垂直磁记录介质包括基板、形成在该基板上的软磁性层、直接或夹着中间层形成在该软磁性层上的具有对于表面垂直的易磁化轴的磁记录层，上述磁记录层中形成有将上述磁记录层分离为多个记录要素的多个槽，该制造方法具备将形成在上述磁记录层的上层的硬掩模层作为掩模，通过使用至少含有卤素和氧的气体的反应性离子蚀刻来形成上述各槽的工序。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及。 本申请基于2007年7月18日在日本申请的特愿2007-187253号主张优先权，将 其内容合并于此。
技术介绍
以往，硬盘等中使用的磁记录介质，通过构成磁记录层的磁性粒子的微细化、材料 的变更、磁头加工的微细化等改良而实现了面记录密度的大幅提高。然而，对于面记录密 度的进一步提高，由于磁头的加工限度、磁头的记录磁场扩大而引起对与记录对象的磁道 (记录要素)邻接的磁道的错误的信息记录、再生时串扰等问题明显化，用现有方法来提高 面记录密度已达到极限。 目前已知，为了进一步提高面记录密度，在磁记录层中，相互邻接的磁道的边界部 分形成槽，将邻接的磁道之间磁分离而得到的磁记录介质(例如参照专利文献l)。这种磁 记录介质被称为分离磁道型磁记录介质等，由于邻接的磁道之间通过槽被物理性地分离， 不会产生对邻接磁道的错误记录、串扰等问题，作为可进一步提高面记录密度的磁记录介 质而备受期待。 在这种磁记录层中具备槽的磁记录介质的制造中，目前已知在非磁性的基板自身 上形成槽，在该基板上层压软磁性层、磁记录层，由此仿照形成在基板上的槽的形状而在磁 记录层中形成槽的制造方法(例如参照专利文献2)。 此外，已知对于形成在基板上的磁记录层，通过使磁性材料羰基化的化学性蚀刻 方法，将磁性记录层的一部分羰基化并除去，由此在磁记录层中形成槽的方法(例如参照 非专利文献1)。 专利文献1 :日本特开2006-31756号公报 专利文献2 :日本特开2006-127681号公报 非专利文献1 :日本应用磁气学会志Vol28， No 3. 2004， P. 249-253 但是，制造在磁记录层中具备槽的磁记录介质中，利用上述专利文献2所记载的制造方法时，难以在磁记录层中形成准确地仿照形成在基板上的槽的形状的槽，存在磁记录层的结晶取向容易混乱、而在规定的方向上未形成易磁化轴，或槽自身产生磁各向异性而不能切实地将邻接的磁道之间磁分离等问题。 另一方面，利用非专利文献1所记载的制造方法时，磁记录层的构成材料限于与 化学性蚀刻使用的羰基反应生成羰基化合物的材料，存在不能利用即使磁特性优异、但不 与羰基反应的材料来形成槽的大的限制。
技术实现思路
本专利技术是为了解决上述问题而提出的，其目的在于，提供对磁记录层的构成材料 的种类不加以限定，可高精度形成磁分离记录要素的槽的。 为了解决上述课题，本专利技术采用以下技术方案。 S卩，本专利技术的，该垂直磁记录介质包括基板、形成在该 基板上的软磁性层、直接或夹着中间层形成在该软磁性层上的具有对于表面垂直的易磁化 轴的磁记录层，所述磁记录层中形成有将所述磁记录层分离为多个记录要素的多个槽，其 中，所述制造方法具备将形成在所述磁记录层的上层的硬掩模层作为掩模，通过使用至少 含有卤素和氧的气体的反应性离子蚀刻来形成所述各槽的工序。 所述各槽优选以达到所述中间层的中途中的深度形成，从而不暴露所述软磁性层。 此外，优选至少通过所述软磁性层与所述磁记录层之间产生的蚀刻速度差，除去 对所述各槽的侧壁附着的附着物，并直至所述软磁性层的一面附近的深度来形成所述各槽。 形成所述槽后，优选使用至少含氢气体的气体等离子体对所述磁记录层进行照 射。 所述磁记录层可至少含Co。所述磁记录层可至少含有不与羰基反应的金属元素。所述硬掩模层可至少含有Ti 、 W、 Ta中的任意一种。 所述各槽可沿所述垂直磁记录介质的记录磁道方向形成。 此外，所述各槽可沿所述垂直磁记录介质的记录磁道方向和与其垂直的方向形 成。 进而，所述各槽可形成为大致格子状。 根据本专利技术的，通过使用含氧和卤素的蚀刻气体对磁 记录层进行蚀刻，可在磁记录层中形成高精度且微细的槽。 此外，例如可以对于以往不能通过羰基化来进行蚀刻的由含有Pt或Cr等不与羰 基反应的金属元素的材料构成的磁记录层进行蚀刻。由此，可以在由含有Pt或Cr等不与 羰基反应的金属元素的材料构成的磁记录层中高精度地形成槽。 进一步地，通过使用含氧和卤素的蚀刻气体对磁记录层进行蚀刻，在硬掩模层的 表面上形成氧化膜，在硬掩模层与磁记录层之间，相对于蚀刻气体的蚀刻速度产生大幅度 的差异。由此，对于形成在磁记录层中的槽的深度，即使硬掩模层的厚度大幅度变薄，也可 在磁记录层中将槽形成至规定深度。通过使硬掩模层的厚度变薄，减少了由于蚀刻时硬掩 模层的飞散而对槽的附着，可高精度地形成槽，同时在后工序中也可容易地除去硬掩模层。附图说明 图1A为表示用本专利技术的形成的垂直磁记录介质的 例的截面图； 图1B为图1A的a的放大图； 图2A为表示本专利技术的的一例的截面图； 图2B为表示本专利技术的的一例的截面图； 图2C为表示本专利技术的的一例的截面图； 图2D为表示本专利技术的的一例的截面图； 图3A为表示本专利技术的的一例的截面 图3B为表示本专利技术的的一例的截面图 图3C为表示本专利技术的的一例的截面图 图3D为表示本专利技术的的一例的截面图 图4为表示垂直磁记录介质的其它例的截面图； 图5为表示垂直磁记录介质的其它例的截面图； 图6为表示本专利技术的验证结果的图。 符号说明10垂直磁记录介质11基板12软磁性层13中间层14磁记录层15槽具体实施例方式以下对本专利技术中的垂直磁记录介质制造方法的最佳方式进行说明。而且，本实施 方式是为了更好地理解本专利技术主旨而进行的具体说明，只要没有特别指定，则不限定本发 明。 首先，对通过本专利技术的制造的垂直磁记录介质的一例 进行说明。图1A和图1B分别为表示计算机硬盘驱动器中使用的分离磁道型垂直磁记录介 质的一部分断裂立体图和主要部分放大截面图。而且，在图1A和图1B中，为了明确表示各 部分，特别是将厚度方向放大来进行说明。 垂直磁记录介质10为在由圆盘状的非磁性体形成的基板11上依次层压有软磁性 层12、中间层13、磁记录层14和保护层15的结构。 [基板] 作为基板11，可以举出例如在由铝及其合金或氧化物、钛及其合金或氧化物、或者硅、玻璃、碳、陶瓷、塑料、树脂以及它们的复合体形成的基板表面上用溅射法、气相沉积法、电镀法等成膜法对不同种材质的非磁性层进行表面涂布处理而得到的基板。 作为基板11的形状，在磁盘用途的情况下使用炸面圈圆盘状的基板。在上层设置有后述的磁记录层14的基板11，即垂直磁记录介质10在磁记录和再生时，以该圆盘的中心为轴，例如以3600rpm 15000rpm左右的速度旋转来使用。此时，进行信息的读取、写入的磁头，相对于垂直磁记录介质10的表面或背面隔开0. 1 ii m 几nm左右的间隔来悬浮行进。因此，作为基板11优选适当地控制表面或背面的平坦性、表背两面的平行性、基板圆周方向的起伏和表背面的粗糙度。[软磁性层] 成为基板11的上层的软磁性层12可通过溅射法或气相沉积法等来形成。作为其 结构，例如可使用称为CoNbZr膜的非晶质的合金材料、称为FeTaC膜的微结晶析出型的合 金膜、或称为NiFe膜的结晶质的合金膜。此外，这种软磁性层12例如也可由软磁性体和非 磁性体交替层压而成的层压体构成。5 中间层13例如也称为取向层等。例如，使在该中间层13上重叠形成的磁记录层 14的易磁化轴的方向相对于垂直磁记录介质10的表面在垂直方向上取向。此外，谋求促 进磁记录层14的外延生长。中本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种垂直磁记录介质的制造方法，所述垂直磁记录介质包括基板、形成在该基板上的软磁性层、直接或夹着中间层形成在该软磁性层上的具有对于表面垂直的易磁化轴的磁记录层，所述磁记录层中形成有将所述磁记录层分离为多个记录要素的多个槽，所述制造方法的特征在于，具备：将形成在所述磁记录层的上层的硬掩模层作为掩模，通过使用至少含有卤素和氧的气体的反应性离子蚀刻来形成所述各槽的工序。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】JP 2007-7-18 187253/2007一种垂直磁记录介质的制造方法，所述垂直磁记录介质包括基板、形成在该基板上的软磁性层、直接或夹着中间层形成在该软磁性层上的具有对于表面垂直的易磁化轴的磁记录层，所述磁记录层中形成有将所述磁记录层分离为多个记录要素的多个槽，所述制造方法的特征在于，具备将形成在所述磁记录层的上层的硬掩模层作为掩模，通过使用至少含有卤素和氧的气体的反应性离子蚀刻来形成所述各槽的工序。2. 根据权利要求1所述的垂直磁记录介质的制造方法，所述各槽以达到所述中间层的 中途中的深度形成，从而不暴露所述软磁性层。3. 根据权利要求1所述的垂直磁记录介质的制造方法，至少通过所述软磁性层与所述 磁记录层之间产生的蚀刻速度差，除去对所述各槽的侧壁附着的附着物，并直至所述软磁 性层的一面附近的深度来形成所述各槽...

【专利技术属性】
技术研发人员：山本直志，
申请(专利权)人：株式会社爱发科，
类型：发明
国别省市：JP[日本]