基板处理设备以及磁记录介质制造方法技术

本发明专利技术提供了一种基板处理设备以及磁记录介质制造方法，该基板处理设备能够抑制经由基板相对布置的离子束产生器内部的相互污染和／或损坏。根据本发明专利技术实施例的基板处理设备包括向基板的一个待处理表面照射离子束的第一离子束产生器以及向另一个待处理表面照射离子束的第二离子束产生器，其中，第一离子束产生器和第二离子束产生器经由基板相对布置，并且第一离子束产生器中的第一栅格和第二离子束产生器中的第二栅格配置成相互不对称。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种在石更盘等磁记录盘的制造中向基々反的两个 表面照射离子束以对基板的两个表面进行处理的基板处理设备 以及》兹记录介质制造方法。
技术介绍
硬盘等磁记录盘的制造大致分为前处理和后处理，其中， 前处理包括衬层的形成、用于记录层的磁膜的形成以及用于保 护记录层的保护膜的形成，并且后处理包括例如已形成保护膜 的基板表面上的润滑层的形成。通常，磁记录盘在基板的两个表面上都具有记录层，因此， 在前述的处理中，在基板的两个表面上进行各种处理。作为用于如上所述对基板的两个表面进行处理的技术，公开了例如如下的技术在基板两侧设置离子枪，从而从离子枪 向基板的各表面发出并照射由离子化的氩气形成的离子束(参 见曰本特开2005-56535)。然而，如日本特开2005-56535中的在基^1的相背表面相对 地布置离子枪(离子束产生器)的技术存在如下的问题相对的 离子束产生器被其离子束相互影响。特别是，当使用像用于磁记录盘的基板那样在中心有开口 的基板并向基板的两个表面照射离子束时，来自 一个离子束产 生器的离子束通过基板的开口进入另一离子束产生器。结果， 存在离子束产生器的内部被相互污染和/或损坏的问题
技术实现思路
因此，鉴于上述情况做出了本专利技术，并且本专利技术的目的是 提供 一 种能够抑制经由基板相对布置的离子束产生器内部的相 互污染和/或损坏的。 为实现上述目的而做出的本专利技术包括如下结构。 本专利技术提供一种基板处理设备，其能够向包括开口的基板照射离子束以进行预定处理，所述基板处理设备包括第一离 子束产生器，其包括用于提取等离子体中的离子的第一提取机 构；以及第二离子束产生器，其包括用于提取等离子体中的离 子的第二提取机构，所述第二离子束产生器被布置成与所述第 一离子束产生器相对，其中所述第一离子束产生器和所述第二 离子束产生器均被布置成向所述第一离子束产生器和所述第二 离子束产生器之间的区域照射离子束；所述第 一 提取机构包括 第一栅格，并且所述第二提取机构包括第二栅格；以及所述第 一栅格和所述第二 4册格,皮布置成相互不对称。另外，本专利技术提供一种使用如上所述的基板处理设备来制 造磁记录介质的方法，所述方法包括如下步骤将保持有包括 开口的基板的基板承载器布置在所述第一离子束产生器和所述 第二离子束产生器之间的区域中；以及通过所述第一离子束产 生器向所述基板的一个待处理表面照射离子束，并且通过所述 第二离子束产生器向所述基板的另 一 个待处理表面照射离子束。根据本专利技术，将第一离子束产生器中的第一 栅格(grid)和第 二离子束产生器中的第二栅格配置成相互不对称。因此，防止 了离子束通过栅格中的细微孔和基板开口进入相对的离子束产 生器，使得能够抑制相对布置的离子束产生器内部的相互污染 和损坏。附图说明图l是示出从上方观察的根据本专利技术实施例的基^反处理设 备的结构的框图。图2是根据本专利技术实施例的离子束产生器的结构的示意截 面图。图3A是根据本专利技术实施例的离子束产生器中的栅格的示意图。图3B是根据本专利技术实施例的离子束产生器中的栅格的示 意图。图4是根据本专利技术实施例的磁记录介质制造方法中所使用 的制造设备的示意结构图。图5是根据本专利技术实施例的磁记录介质制造设备要处理的 层叠体的示意图。图6是用于按步示出根据本专利技术实施例的磁记录介质制造 方法的示意图。图7是用于按步示出根据本专利技术实施例的磁记录介质制造 方法的示意图。图8是用于按步示出根据本专利技术实施例的磁记录介质制造 方法的示意图。图9是用于按步示出根据本专利技术实施例的磁记录介质制造 方法的示意图。图IO是用于按步示出根据本专利技术实施例的磁记录介质制造 方法的示意图。图ll是用于按步示出根据本专利技术实施例的磁记录介质制造 方法的示意图。图12是示出根据本专利技术实施例的^i记录介质制造方法的流 程图。图13示出根据本专利技术实施例的离子束蚀刻(IBE)中各材料 的々虫刻率。图14是示出根据本专利技术实施例当进行离子束蚀刻时所蚀刻 的物质的改变的图。具体实施例方式下面参照附图说明本专利技术的实施例。然而，本专利技术不限于 本实施例。参照图l说明根据本专利技术实施例的基板处理设备。图l是示 出从上方观察的根据本实施例的基板处理设备的结构的框图。如图l所示，基板处理设备100主要包括基板(晶片)w、经 由基板W相对布置的第 一 和第二离子束产生器1 a和1 b 、控制单 元101、计数器103和计算机接口 105。本实施例中的基板W是用于硬盘等》兹记录介质的基板，并 通常具有形成在大致为圓形的盘状基板的中心处的开口 。基板W由基板承载器(未示出)沿垂直方向保持在竖直位置。第一离子束产生器la和第二离子束产生器lb经由基板W相 对布置，以面对该基板W的相背表面。换言之，将第一离子束 产生器la和第二离子束产生器lb的每一个布置成向两者之间的 区域照射离子束，并且将保持有包括开口的基板W的基板承载 器布置在该区域中。在图l所示的结构中，将第一和第二离子束 产生器la和lb的离子束发射面和基板W的待处理表面布置成大 致相互平4亍。第一离子束产生器la包括电极5a、用于产生等离子体的放 电室2a以及作为用于提取等离子体中的离子的机构的提取电极 7a(来自力丈电室侧的电极71a、 72a和73a)。电才及71a、 72a和73a 分别连4姿至电压源81a、 82a和83a， /人而能够独立地控制这些电极中的每一个。在提取电极7a的附近设置有中和器9a。中和器 9a用于发出电子以中和从离子束产生器la发出的离子束。通过气体引入部件(未示出)将氩气(Ar)等处理气体提供至 放电室2a。通过气体引入部件将Ar提供至ii电室2a，并且从RF 源84a向电极5a提供RF功率，从而产生等离子体。离子提取电 极7a提取等离子体中的离子，以在基板W上进行蚀刻。由于第二离子束产生器lb具有与上述离子束产生器la类似 的结构，因此，省略第二离子束产生器lb的说明。连接至离子束产生器la中的电压源8a以及离子束产生器lb 中的电压源8b的控制单元101控制各电压源8a和8b。连接至控制 单元101的计数器103被配置成能够对离子束产生器la和lb处理 的基板的数量进行计数，并且在达到预定的计数(例如，1000) 时，指示控制单元101开始清洁。连接至控制单元101和计数器103的计算机界面105被配置 成设备用户可以输入清洁条件(处理时间等)。接着，参照图2、 3A和3B详细说明离子束产生器l(la和lb)。图2是离子束产生器的结构的示意截面图。图3A是离子束 产生器la中的栅格的示意图。另外，图3B是离子束产生器lb中 的栅格的示意图。由于第一和第二离子束产生器la和lb具有相 同的结构，因此在适当地省略分支符号a和b的情况下进行说明。如图2所示，离子束产生器l包括用于限制其中的等离子体 量的放电室2。该放电室2的压力通常保持在约l(TPa(10-s毫巴) 到约10-4a (10-3毫巴)的范围内。通过等离子体限制容器3限定 放电室2，并且围绕着等离子体限制容器3的外周布置有多极磁 性部件4，多极磁性部件4用于俘获作为等离子体形成的结果而 在放电室2中释放的离子。该^兹性部件4通常包括多个才奉状永^兹 体。在 一 种结构中，使用极本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基板处理设备，其能够向包括开口的基板照射离子束以进行预定处理，所述基板处理设备包括：　第一离子束产生器，其包括用于提取等离子体中的离子的第一提取机构；以及　第二离子束产生器，其包括用于提取等离子体中的离子的第二提取机构，所述 第二离子束产生器被布置成与所述第一离子束产生器相对，其中　所述第一离子束产生器和所述第二离子束产生器均被布置成向所述第一离子束产生器和所述第二离子束产生器之间的区域照射离子束；　所述第一提取机构包括第一栅格，并且所述第二提取机构 包括第二栅格；以及　所述第一栅格和所述第二栅格被布置成相互不对称。

【技术特征摘要】
JP 2008-7-31 2008-197736;JP 2008-9-29 2008-2495851.一种基板处理设备，其能够向包括开口的基板照射离子束以进行预定处理，所述基板处理设备包括第一离子束产生器，其包括用于提取等离子体中的离子的第一提取机构；以及第二离子束产生器，其包括用于提取等离子体中的离子的第二提取机构，所述第二离子束产生器被布置成与所述第一离子束产生器相对，其中所述第一离子束产生器和所述第二离子束产生器均被布置成向所述第一离子束产生器和所述第二离子束产生器之间的区域照射离子束；所述第一提取机构包括第一栅格，并且所述第二提取机构包括...

【专利技术属性】
技术研发人员：山中和人，芝本雅弘，三好步，人见聪，大卫朱利安托贾亚普拉维拉，
申请(专利权)人：佳能安内华股份有限公司，
类型：发明
国别省市：JP[]