基板处理设备以及磁记录介质制造方法技术

本发明专利技术提供了一种基板处理设备以及磁记录介质制造方法，该基板处理设备能够抑制经由基板相对布置的离子束产生器内部的相互污染和／或损坏。根据本发明专利技术实施例的基板处理设备包括向基板（Ｗ）的一个待处理表面照射离子束的第一离子束产生器以及向另一个待处理表面照射离子束的第二离子束产生器，其中，第一离子束产生器和第二离子束产生器经由基板（Ｗ）相对布置，并且第一离子束产生器的第一栅格以及第二离子束产生器的第二栅格的每一个中与基板（Ｗ）的开口相对应的区域封闭。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种在硬盘等磁记录盘的制造中向基板的两个 表面照射离子束以对基板的两个表面进行处理的基板处理设备 以及^兹记录介质制造方法。
技术介绍
硬盘等磁记录盘的制造大致分为前处理和后处理，其中， 前处理包括村层的形成、用于记录层的^F兹膜的形成以及用于保 护记录层的保护膜的形成，并且后处理包括例如已形成保护膜 的基板表面上的润滑层的形成。通常，磁记录盘在基板的两个表面上都具有记录层，因此， 在前述的处理中，在基板的两个表面上进行各种处理。作为用于如上所述对基板的两个表面进行处理的技术，公开了例如如下的技术在基板两侧设置离子枪，从而从离子枪 向基板的各表面发出并照射由离子化的氩气形成的离子束(参 见曰本特开2005-56535)。然而，如日本特开2005-56535中的在基板的相背表面相对 地布置离子枪(离子束产生器)的技术存在如下的问题相对的 离子束产生器被其离子束相互影响。特别是，当使用像用于磁记录盘的基板那样在中心有开口 的基板并向基板的两个表面照射离子束时，来自 一个离子束产 生器的离子束通过基板的开口进入另一离子束产生器。结果， 存在离子束产生器的内部被相互污染和/或损坏的问题
技术实现思路
因此，鉴于上述情况做出了本专利技术，并且本专利技术的目的是 提供 一 种能够抑制经由基板相对布置的离子束产生器内部的相 互污染和/或损坏的。为实现上述目的而^:出的本专利技术包括如下结构。 本专利技术提供了一种基板处理设备，其能够向包括开口的基 板照射离子束以进行预定处理，所述基板处理设备包括第一离子束产生器，其包括用于提取等离子体中的离子的第一离子提取机构；以及第二离子束产生器，其包括用于提取等离子体 中的离子的第二离子提取机构，所述第二离子束产生器被布置 成与所述第一离子束产生器相对，其中所述第一离子束产生器 和所述第二离子束产生器均被布置成向所述第一离子束产生器 和所述第二离子束产生器之间的区域照射离子束；所述第一离 子提取机构包括第 一栅格，并且所述第二离子提取机构包括第 二栅格；以及当将保持有所述基板的基板承载器布置在所述第 一离子束产生器和所述第二离子束产生器之间的区域中时，所 述第一栅格和所述第二栅格的每一个中与所述基板的开口相对 应的区域的至少一部分封闭，从而防止离子束通过所述第一栅 格和所述第二栅格的每一个中与所述基板的开口相对应的区域 的所述至少一部分。另外，本专利技术提供了一种基板处理设备，其能够向包括开 口的基板照射离子束以进行预定处理，所述基板处理设备包括 第一离子束产生器，其包括用于提取等离子体中的离子的第一 离子提取机构；以及第二离子束产生器，其包括用于提取等离 子体中的离子的第二离子提取机构，所述第二离子束产生器被 布置成与所述第一离子束产生器相对，其中所述第一离子束产 生器和所述第二离子束产生器均被布置成向所述第一离子束产 生器和所述第二离子束产生器之间的区域照射离子束；所述第一离子提取机构包括第 一 栅格，并且所述第二离子提取机构包 括第二栅格；所述第一栅格包括第一封闭区域，并且所述第二栅格包括第二封闭区域；以及当将保持有所述基板的基板承载器布置在所述第一离子束产生器和所述第二离子束产生器之间 的区域中时，所述第一封闭区域和所述第二封闭区域被定位成 使得所述开口的至少 一 部分位于所述第 一 封闭区域和所述第二 封闭区域之间。另外，本专利技术提供了一种使用如上所述的基板处理设备来制造磁记录介质的方法，所述方法包括如下步骤将保持有包 括开口的基板的基板承载器布置在所述第一离子束产生器和所 述第二离子束产生器之间的区域中，其中，所述基板承载器被布置成使得所述开口的至少一部分位于所述第一栅格的封闭区 域和所述第二栅格的封闭区域之间；以及通过所述第一离子束 产生器向所述基板的一个待处理表面照射离子束，并且通过所 述第二离子束产生器向所述基板的另 一个待处理表面照射离子束根据本专利技术，封闭第一离子束产生器的第一栅格以及第二 离子束产生器的第二栅格的每一个中与基板的开口相对应的区 域的至少一部分，以防止离子束通过。因此，防止或减少了离 子束通过基板的开口进入相对的离子束产生器，使得能够抑制 在相对布置的第 一 和第二离子束产生器内部的相互污染或损 坏。附图说明图1是示出从上方观察的根据本专利技术实施例的基板处理设 备的结构的框图。图2是根据本专利技术实施例的离子束产生器的结构的示意截面图。图3A是根据本专利技术实施例的离子束产生器中的栅格的示 意图。图3B是根据本专利技术实施例的离子束产生器中的栅格的示意图。图4是根据本专利技术实施例的磁记录介质制造方法中所使用 的制造设备的示意结构图。图5是根据本专利技术实施例的磁记录介质制造设备要处理的 层叠体的示意图。图6是用于按步示出根据本专利技术实施例的磁记录介质制造 方法的示意图。图7是用于按步示出根据本专利技术实施例的磁记录介质制造 方法的示意图。图8是用于按步示出根据本专利技术实施例的磁记录介质制造 方法的示意图。图9是用于按步示出根据本专利技术实施例的磁记录介质制造 方法的示意图。图IO是用于按步示出根据本专利技术实施例的磁记录介质制造 方法的示意图。图ll是用于按步示出根据本专利技术实施例的磁记录介质制造 方法的示意图。图12是示出根据本专利技术实施例的磁记录介质制造方法的流程图。图13示出根据本专利技术实施例的离子束蚀刻(IBE)中各材料的々虫刻率。图14是示出根据本专利技术实施例当进行离子束蚀刻时所蚀刻 的物质的改变的图。具体实施例方式下面参照附图说明本专利技术的实施例。然而，本专利技术不限于 本实施例。参照图l说明根据本专利技术实施例的基板处理设备。图l是示 出从上方观察的根据本实施例的基板处理设备的结构的框图。如图l所示，基板处理设备100主要包括基板(晶片)w、经由基板W相对布置的第 一和第二离子束产生器la和lb、控制单元101、计数器103和计算机接口 105。本实施例中的基板W是用于硬盘等磁记录介质的基板，并 通常具有形成在大致为圆形的盘状基板的中心处的开口 。基板W由基板承载器(未示出)沿垂直方向保持在竖直位置。第一离子束产生器la和第二离子束产生器lb经由基板W相 对布置，以面对该基板W的相背表面。换言之，将第一离子束 产生器la和第二离子束产生器lb的每一个布置成向两者之间的 区域照射离子束，并且将保持包括有开口的基板W的基板承载 器布置在该区域中。在图l所示的结构中，将第一和第二离子束 产生器la和lb的离子束发射面和基板W的待处理表面布置成大 致相互平4于。第一离子束产生器la包括电极5a、用于产生等离子体的放 电室2a以及作为用于提取等离子体中的离子的机构的提取电极 7a(来自i文电室侧的电极71a、 72a和73a)。电才及71a、 72a和73a 分别连接至电压源81a、 82a和83a,从而能够独立地控制这些电 极中的每一个。在提取电极7a的附近设置有中和器9a。中和器 9a用于发出电子以中和从离子束产生器la发出的离子束。通过气体引入部件(未示出)将氩气(Ar)等处理气体提供至 放电室2a。通过气体引入部件将Ar提供至》文电室2a,并且从RF源84a向电极5a提供RF功率，从而产生等离子体。离子提取电 极7a提取等离子体中的离子，以在基板W上进行蚀刻。由于第二离子束产生器lb本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基板处理设备，其能够向包括开口的基板照射离子束以进行预定处理，所述基板处理设备包括：　第一离子束产生器，其包括用于提取等离子体中的离子的第一离子提取机构；以及　第二离子束产生器，其包括用于提取等离子体中的离子的第二离子提取机 构，所述第二离子束产生器被布置成与所述第一离子束产生器相对，其中　所述第一离子束产生器和所述第二离子束产生器均被布置成向所述第一离子束产生器和所述第二离子束产生器之间的区域照射离子束；　所述第一离子提取机构包括第一栅格，并且所述 第二离子提取机构包括第二栅格；以及　当将保持有所述基板的基板承载器布置在所述第一离子束产生器和所述第二离子束产生器之间的区域中时，所述第一栅格和所述第二栅格的每一个中与所述基板的开口相对应的区域的至少一部分封闭，从而防止离子束通过所述 第一栅格和所述第二栅格的每一个中与所述基板的开口相对应的区域的所述至少一部分。

【技术特征摘要】
JP 2008-7-31 2008-197736;JP 2008-9-29 2008-2495861.一种基板处理设备，其能够向包括开口的基板照射离子束以进行预定处理，所述基板处理设备包括第一离子束产生器，其包括用于提取等离子体中的离子的第一离子提取机构；以及第二离子束产生器，其包括用于提取等离子体中的离子的第二离子提取机构，所述第二离子束产生器被布置成与所述第一离子束产生器相对，其中所述第一离子束产生器和所述第二离子束产生器均被布置成向所述第一离子束产生器和所述第二离子束产生器之间的区域照射离子束；所述第一离子提取机构包括第一栅格，并且所述第二离子提取机构包括第二栅格；以及当将保持有所述基板的基板承载器布置在所述第一离子束产生器和所述第二离子束产生器之间的区域中时，所述第一栅格和所述第二栅格的每一个中与所述基板的开口相对应的区域的至少一部分封闭，从而防止离子束通过所述第一栅格和所述第二栅格的每一个中与所述基板的开口相对应的区域的所述至少一部分。2. —种基板处理设备，其能够向包括开口的基板照射离子 束以进行预定处理，所述基板处理设备包括第一离子束产生器，其包括用于提取等离子体中...

【专利技术属性】
技术研发人员：山中和人，芝本雅弘，三好步，人见聪，大卫朱利安托贾亚普拉维拉，
申请(专利权)人：佳能安内华股份有限公司，
类型：发明
国别省市：JP[]