基板处理设备以及磁记录介质制造方法技术

本发明专利技术提供了一种基板处理设备以及磁记录介质制造方法，该基板处理设备能够抑制经由基板相对布置的离子束产生器内部的相互污染和／或损坏。根据本发明专利技术实施例的基板处理设备包括向基板（Ｗ）的一个待处理表面照射离子束的第一离子束产生器以及向另一个待处理表面照射离子束的第二离子束产生器，其中，第一离子束产生器和第二离子束产生器经由基板（Ｗ）相对布置，并且第一离子束产生器的第一栅格以及第二离子束产生器的第二栅格的每一个中与基板（Ｗ）的开口相对应的区域封闭。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种在硬盘等磁记录盘的制造中向基板的两个 表面照射离子束以对基板的两个表面进行处理的基板处理设备 以及^兹记录介质制造方法。
技术介绍
硬盘等磁记录盘的制造大致分为前处理和后处理，其中， 前处理包括村层的形成、用于记录层的^F兹膜的形成以及用于保 护记录层的保护膜的形成，并且后处理包括例如已形成保护膜 的基板表面上的润滑层的形成。通常，磁记录盘在基板的两个表面上都具有记录层，因此， 在前述的处理中，在基板的两个表面上进行各种处理。作为用于如上所述对基板的两个表面进行处理的技术，公开了例如如下的技术在基板两侧设置离子枪，从而从离子枪 向基板的各表面发出并照射由离子化的氩气形成的离子束(参 见曰本特开2005-56535)。然而，如日本特开2005-56535中的在基板的相背表面相对 地布置离子枪(离子束产生器)的技术存在如下的问题相对的 离子束产生器被其离子束相互影响。特别是，当使用像用于磁记录盘的基板那样在中心有开口 的基板并向基板的两个表面照射离子束时，来自 一个离子束产 生器的离子束通过基板的开口进入另一离子束产生器。结果， 存在离子束产生器的内部被相互污染和/或本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基板处理设备，其能够向包括开口的基板照射离子束以进行预定处理，所述基板处理设备包括：　第一离子束产生器，其包括用于提取等离子体中的离子的第一离子提取机构；以及　第二离子束产生器，其包括用于提取等离子体中的离子的第二离子提取机 构，所述第二离子束产生器被布置成与所述第一离子束产生器相对，其中　所述第一离子束产生器和所述第二离子束产生器均被布置成向所述第一离子束产生器和所述第二离子束产生器之间的区域照射离子束；　所述第一离子提取机构包括第一栅格，并且所述 第二离子提取机构包括第二栅格；以及　当将保持有所述基板的基板承载器布置在所述第一离子束产生器和所...

【技术特征摘要】
JP 2008-7-31 2008-197736;JP 2008-9-29 2008-2495861.一种基板处理设备，其能够向包括开口的基板照射离子束以进行预定处理，所述基板处理设备包括第一离子束产生器，其包括用于提取等离子体中的离子的第一离子提取机构；以及第二离子束产生器，其包括用于提取等离子体中的离子的第二离子提取机构，所述第二离子束产生器被布置成与所述第一离子束产生器相对，其中所述第一离子束产生器和所述第二离子束产生器均被布置成向所述第一离子束产生器和所述第二离子束产生器之间的区域照射离子束；所述第一离子提取机构包括第一栅格，并且所述第二离子提取机构包括第二栅格；以及当将保持有所述基板的基板承载器布置在所述第一离子束产生器和所述第二离子束产生器之间的区域中时，所述第一栅格和所述第二栅格的每一个中与所述基板的开口相对应的区域的至少一部分封闭，从而防止离子束通过所述第一栅格和所述第二栅格的每一个中与所述基板的开口相对应的区域的所述至少一部分。2. —种基板处理设备，其能够向包括开口的基板照射离子 束以进行预定处理，所述基板处理设备包括第一离子束产生器，其包括用于提取等离子体中...

【专利技术属性】
技术研发人员：山中和人，芝本雅弘，三好步，人见聪，大卫朱利安托贾亚普拉维拉，
申请(专利权)人：佳能安内华股份有限公司，
类型：发明
国别省市：JP[]