【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于磁性材料与元器件
，涉及磁记录技术，具体涉及一种磁隧道 结氧化铝隧穿层的制备方法。
技术介绍
磁隧道结一般由两层铁磁金属薄膜层之间夹入一层超薄的绝缘薄膜构成。其基 本结构为铁磁层Fl/绝缘薄膜层(隧穿层)/铁磁层F2，如图1所示。在一定的电压作用 下电流通过隧穿层时会产生隧穿电子，当两铁磁层磁化方向不同时，会对通过磁隧道结的 隧穿电子产生不同的散射，而使磁隧道结呈现不同的电阻值(当两铁磁层平行时磁隧道结 呈现低阻态，而当两铁磁层反平行时隧道结呈现高阻态)，该电阻值的变化率称为隧穿磁阻尺一 -RTMR( TMR=^I^^1x100% )。由于磁隧道结具有大的TMR值、高的磁场灵敏度，是目〖低阻前磁性随机存储器主要选择的单元结构。在磁隧道结中，最关键的为其中绝缘薄膜层也就 是隧穿层的制备。目前隧穿层一般选择氧化铝或氧化镁材料，且厚度在25人以下，只有当 隧穿层完全氧化时才能产生最大的TMR。目前制备氧化铝隧穿层均采用将金属Al层氧化 形成氧化铝，采用的氧化方法包括自然氧化、热氧化、等离子氧化、离子束氧化等，而最常用 的为等离子氧化法。从实验报道来...
【技术保护点】
一种磁隧道结隧穿层的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：①先镀制所需隧穿层总厚度２／５的金属Ａｌ层；②镀制完成后，放入氧氩比为１∶２的混合气体中，将金属Ａｌ层氧化为Ａｌ↓［２］Ｏ↓［３］；③当步骤②氧化完成后，在生成的Ａｌ↓［２］Ｏ↓［３］薄膜上继续沉积所需隧穿层总厚度３／５的金属Ａｌ层；④当步骤③镀制完成后，同样在氧氩比为１∶２的混合气体中，将步骤③镀制的金属Ａｌ层氧化为Ａｌ↓［２］Ｏ。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：荆玉兰，唐晓莉，张怀武，苏桦，钟智勇，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：90[中国|成都]
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