非晶硅氧化硅叠层结构的形成方法技术

一种非晶硅氧化硅叠层结构的形成方法，包括：使用化学气相沉积形成氧化硅层，反应物为氯代硅烷和氧自由基。本发明专利技术降低了非晶硅层形成过程的反应温度，避免了反应过程中反复的升温和降温过程，降低了时间消耗，提高了产能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造领域，特别涉及。
技术介绍
随着半导体技术的发展，闪存(flash memory)作为一种非挥发性存储器得到了广 泛的应用。闪存在传统的MOS晶体管结构基础上增加了一个浮栅和一层隧穿氧化层，并利 用浮栅来存储电荷，实现了存储内容的非挥发性。随着信息技术的发展，特别是音视频处理 等多媒体技术的不断进步，要求闪存的存储容量日益增大。为了提高闪存的存储容量，研究 人员提出了一种三维堆叠式闪存(3D stack flash)结构，在制造过程中将多层器件堆叠在 同一晶圆上，大幅提高了集成度。图1给出了所述三维堆叠式闪存的结构示意图，如图1所示，主要包括衬底100 ； 多晶硅叠层101 ；掺杂的硅柱110。所述多晶硅叠层101由多个多晶硅层构成，彼此之间形 成有介质层(图中未示出)作为隔离，所述介质层的材料一般为氧化硅。所述多晶硅叠层 101构成了控制栅；所述多晶硅叠层101和介质层上形成有孔洞，掺杂的硅柱110填充所述 孔洞，构成有源区(active area) 0由于所述多晶硅叠层101为多层结构，每一层多晶硅就 对应一层存储单元，因此，通过增加所述多晶硅叠层10本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种非晶硅氧化硅叠层结构的形成方法，其特征在于，包括：使用化学气相沉积形成氧化硅层，反应物为氯代硅烷和氧自由基。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：三重野文健，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：31