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中芯国际集成电路制造上海有限公司
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非晶硅氧化硅叠层结构的形成方法技术
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文档序号:5048932
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一种非晶硅氧化硅叠层结构的形成方法,包括:使用化学气相沉积形成氧化硅层,反应物为氯代硅烷和氧自由基。本发明降低了非晶硅层形成过程的反应温度,避免了反应过程中反复的升温和降温过程,降低了时间消耗,提高了产能。...
该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司授权不得商用。
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