【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】二氧化硅烟炱体的生产在光纤和高品质光学材料的生产中，合成玻璃质二氧化硅的中空圆柱体的制造是一种很重要的众所周知的工艺。一种最广泛使用的技术是所谓的外部气相沉积(OVD)方法，其中在一个或多个以选定二氧化硅前体进料的燃烧器的火焰中生成二氧化硅烟炱，所述前体通常为气相形式，但有时候为气溶胶喷雾形式。通过氧化或水解使火焰中的前体转化成二氧化硅纳米颗粒流，将这种流引导到旋转基材或心轴，颗粒在其上集合形成多孔二氧化硅烟炱体。沉积过程完成时，并且在冷却之后，可以从基材移取这种烟炱体，随后可在含氯气氛中加热进行脱水或除去任何金属杂质。此后可在真空下或在氦气氛中烧结多孔二氧化硅体，得到无孔合成二氧化硅玻璃的中空圆柱体。对于可通过掺杂二氧化硅或其他方式来调节所溶解物质的含量从而以多种方式改进玻璃性质的具体应用，存在这种方法的多种变型。心轴必须能支承烟炱体的重量，但其还必须能承受沉积过程中存在的环境条件，包括与气态反应产物和二氧化硅接触、局部沉积温度通常在600-1100°C范围内、非常高的火焰温度，不存在会使心轴强度降低或导致二氧化硅体发生不可接受的污染的机械故障或反应。要符合这些要...
【技术保护点】
一种通过在心轴上进行外部气相沉积从而制造合成玻璃质二氧化硅烟炱的中空圆柱形多孔体的方法，其特征在于，将心轴温度控制为在整个沉积过程中保持基本恒定。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2011.04.08 GB 1106015.91.一种通过在心轴上进行外部气相沉积从而制造合成玻璃质二氧化硅烟炱的中空圆柱形多孔体的方法，其特征在于，将心轴温度控制为在整个沉积过程中保持基本恒定。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在整个沉积过程中对心轴的一个或多个选定部分的温度进行监视。3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述心轴的所述选定部分包括在沉积过程中在其上沉积烟炱的区域以及位于烟炱沉积物每个端部的区域。4.如任意前述权利要求所述的方法，其特征在于，在至少一个合成燃烧器的火焰中生产二氧化硅烟炱颗粒，其中在沉积过程中对通向所述燃烧器的二氧化硅前体材料和/或燃料气体的流量进行调节，以确保心轴温度在沉积区域的整个长度上保持基本恒定且均匀。5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，通过一个或多个供应有燃烧气体但不供应二氧化硅前体的另外的燃烧器，在二氧化硅沉积区域的一个或两个端部和/或与其相邻的心轴的附近施加额外的热 量。6.如任意前述权利要求所述的方法，其特征在于，通过电加热装置实现或促进对心轴温度的控制。7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述心轴是中空的，所述电加热装置包括设置在心轴之内的一个或多个加热元件。8.如任意前述权利要求所述的方法，其特征在于，为所述心轴提供冷却装置。9.如权利要求8所述的方法，其特征在于，所述心轴是中空的，所述冷却通过进料到心轴内部的空气或其他冷却剂流体的流动提供。10.如任意前述权利要求所述的方法，其特征在于，将烟炱沉积物端部区域中的心轴温度保持在沉积开始时该区域温度的50°C以内。11.如任意前述权利要求所述的方法，其特征在于，将烟炱沉积物端部区域中的心轴温度保持在沉积开始时该区域温度的25°C以内。12.如任意前述权利要求所述的方法，其特征在于，将烟炱沉积物端部区域中的心轴温度保持在沉积开始时该区域温度的5°C以内。13.如任意前述权利要求所述的方法，其特征在于，将烟炱沉积物所覆盖的任何区域中的心轴温度保持在沉积开始时该区域温度的50°C以内。14.如任意前述权利要求所述的方法，其特征在于，将烟炱沉积物所覆盖的任何区域中的心轴温度保持在沉积开始时该区域温度的25°C以内。15.如任意前述权利要求所述的方法，其特征在于，将烟炱沉积物所覆盖的任何区域中的心轴温度保持在沉积开始时该区域温度的5°C以内。16.如任意前述权利要求所述的方法，其特征在于，所述心轴的外直径大于...
【专利技术属性】
技术研发人员：A·芒迪，I·G·塞斯，
申请(专利权)人：贺利氏石英英国有限公司，
类型：
国别省市：
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